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一种半导体结构,包括:一第一碳纳米管,一半导体层,以及一第二碳纳米管,该半导体层定义一第一表面以及与该第一表面相对设置的第二表面,该第一碳纳米管设置在半导体层的第一表面,并与第一表面直接接触,该第二碳纳米管设置在半导体层的第二表面,并与该第...该专利属于清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构,包括:一第一碳纳米管,一半导体层,以及一第二碳纳米管,该半导体层定义一第一表面以及与该第一表面相对设置的第二表面,该第一碳纳米管设置在半导体层的第一表面,并与第一表面直接接触,该第二碳纳米管设置在半导体层的第二表面,并与该第...