温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

涉及半导体装置。与阻断电压相匹配地实现IGBT的导通电压的降低。多个IGBT单元(20)各自具有：n基极层(1)，其形成于半导体层(100)；p基极层(2)，其形成于n基极层的第1主面侧的表层部；n发射极层(3)，其形成于p基极层的表层部；...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。