一种高线性度复合绝缘侧栅结构的GaN晶体管器件制造技术

本发明专利技术涉及一种高线性度复合绝缘侧栅结构的GaN晶体管器件，包括：衬底层；若干沟道层，若干所述沟道层依次叠于所述衬底层上；栅极，设置在若干所述沟道层的两侧和顶部，并位于所述GaN晶体管器件的中间位置处，而且至少最底层的所述沟道层的两侧不设置所述栅极，其中，所述栅极包括栅介质层和栅金属层；源极，设置在所述若干沟道层上，并位于所述GaN晶体管器件的靠近一侧的位置处；漏极，设置在所述若干沟道层上，并位于所述GaN晶体管器件的靠近另一侧的位置处。本发明专利技术的GaN晶体管器件具有较小的开态电阻，同时具有较大的电流驱动能力，而且线性度高、功耗小。

【技术实现步骤摘要】
一种高线性度复合绝缘侧栅结构的GaN晶体管器件
本专利技术属于微电子
，具体涉及一种高线性度复合绝缘侧栅结构的GaN晶体管器件。
技术介绍
近年来以SiC和GaN为代表的第三代宽禁带半导体以其大禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高饱和电子速度和异质结界面2DEG浓度高等特性，使其受到广泛关注。GaN材料凭借着AlGaN/GaN异质结形成的高浓度的二维电子气，在大电流与高频方面比现有SiMOSFET器件具有明显的优越特性，因此近些年来国内外研究者对其进行了广泛而深入的研究。AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管HEMT在高温器件及大功率微波器件方面已显示出了得天独厚的优势，追求器件高频率、高压、高功率吸引了众多的研究。为了进一步推动GaN异质结器件在更大电流、更高功率、更低功耗、更高频率、开关模式、多值逻辑门等领域的应用，对于多沟道多异质结材料和绝缘栅器件的研究就显得很有必要。目前，常规的多沟道器件或纳米沟道三维栅结构器件大多采用肖特基接触制作栅电极。肖特基接触具有较大的反向泄漏电流，该泄漏电流的产生会增大静态功耗，降低击本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高线性度复合绝缘侧栅结构的GaN晶体管器件，其特征在于，包括：/n衬底层(1)；/n若干沟道层，若干所述沟道层依次叠于所述衬底层(1)上；/n栅极(2)，设置在若干所述沟道层的两侧和顶部，并位于所述GaN晶体管器件的中间位置处，而且至少最底层的所述沟道层两侧不设置所述栅极(2)，其中，所述栅极(2)包括栅介质层(201)和栅金属层(202)；/n源极(3)，设置在所述若干沟道层上，并位于所述GaN晶体管器件的靠近一侧的位置处；/n漏极(4)，设置在所述若干沟道层上，并位于所述GaN晶体管器件的靠近另一侧的位置处。/n

【技术特征摘要】
1.一种高线性度复合绝缘侧栅结构的GaN晶体管器件，其特征在于，包括：
衬底层(1)；
若干沟道层，若干所述沟道层依次叠于所述衬底层(1)上；
栅极(2)，设置在若干所述沟道层的两侧和顶部，并位于所述GaN晶体管器件的中间位置处，而且至少最底层的所述沟道层两侧不设置所述栅极(2)，其中，所述栅极(2)包括栅介质层(201)和栅金属层(202)；
源极(3)，设置在所述若干沟道层上，并位于所述GaN晶体管器件的靠近一侧的位置处；
漏极(4)，设置在所述若干沟道层上，并位于所述GaN晶体管器件的靠近另一侧的位置处。


2.根据权利要求1所述的高线性度复合绝缘侧栅结构的GaN晶体管器件，其特征在于，所述沟道层包括自下而上设置的GaN缓冲层和AlGaN势垒层，所述GaN缓冲层和所述AlGaN势垒层形成AlGaN/GaN异质结。


3.根据权利要求2所述的高线性度复合绝缘侧栅结构的GaN晶体管器件，其特征在于，所述AlGaN势垒层的厚度为15～25nm。


4.根据权利要求1或2所述的高线性度复合绝缘侧栅结构的GaN晶体管器件，其特征在于，所述衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：王冲，刘凯，马晓华，郑雪峰，李昂，赵垚澎，何云龙，郝跃，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61