【技术实现步骤摘要】
具有薄半导体管芯的半导体器件
本公开大体上涉及半导体器件的领域，并且具体地涉及包含薄半导体管芯的半导体器件的领域。
技术介绍
在器件制造期间，特别是在将管芯安装在器件载体上期间，薄管芯承受了管芯破裂的风险。虽然从获得增强的器件性能的角度来看，小管芯厚度是有利的，但是与常规厚度的管芯相比，薄的管芯更易损坏，例如角部破裂或管芯边缘碎裂。因此，减小管芯厚度尤其是在封装期间增加了管芯完整性的风险，并且可能导致在生产期间产量下降或现场早期故障。
技术实现思路
根据本公开的一个方面，半导体器件包括半导体管芯，该半导体管芯包括前侧表面、与前侧表面相对的背侧表面、以及侧面。背侧金属化层沉积在背侧表面之上，并横向向外突出超过侧面。侧面保护层覆盖侧面。根据本公开的另一方面，半导体装置包括前述权利要求中任一项所述的半导体器件。该半导体装置还包括器件载体和布置在器件载体与背侧金属化层之间以将半导体器件安装到器件载体的焊料层。在竖直投影中，焊料层的轮廓包围侧面的轮廓。根据本公开的又一方面，制造半导体器件的方法包括在...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n半导体管芯，包括前侧表面、与所述前侧表面相对的背侧表面、以及侧面；/n背侧金属化层，沉积在所述背侧表面上并且横向向外突出超过所述侧面；以及/n侧面保护层，覆盖所述侧面。/n
【技术特征摘要】
20191112 EP 19208697.31.一种半导体器件，包括：
半导体管芯，包括前侧表面、与所述前侧表面相对的背侧表面、以及侧面；
背侧金属化层，沉积在所述背侧表面上并且横向向外突出超过所述侧面；以及
侧面保护层，覆盖所述侧面。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体管芯的厚度等于或小于60μm或40μm或20μm或15μm。
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，所述侧面保护层是聚合物层。
4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中，所述侧面保护层完全覆盖所述侧面。
5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中，在竖直投影中，所述背侧金属化层的轮廓包围所述侧面的轮廓。
6.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中，所述侧面保护层在所述半导体管芯的所述背侧表面上突出。
7.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中，
所述侧面保护层的外侧面具有激光切割表面状况；并且
所述背侧金属化层的外侧面具有激光切割表面状况。
8.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中，
所述侧面保护层包括第一子层和第二子层；
所述第一子层与所述侧面重叠且不与所述背侧表面重叠；并且
所述第二子层与所述背侧表面和所述侧面的边缘区重叠。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，
所述第一子层与所述侧面的下部区间隔开一定间隙；并...
【专利技术属性】
技术研发人员：C·格鲁贝尔，B·贝尔纳德，T·波尔斯特，C·冯科布林斯基，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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