一种半导体器件，包括：互连构件，第一半导体芯片，第二半导体芯片，树脂层，无机绝缘层和通孔电极。第一半导体芯片以面向下的方式安装在互连构件上。树脂层覆盖第一半导体芯片的侧表面。无机绝缘层与第一半导体芯片的后表面接触，且直接覆盖该后表面。而...

提供可以高速运行的高密度掩膜ＲＯＭ。借助掩膜ＲＯＭ，各源线被设置以便被彼此邻近的各列中的存储器单元共享，且位元线被设置以对应于存储器单元的各列。而且，为存储器单元的各列设置空单元。空单元每个都由包括第一开关晶体管和第二开关晶体管的串联电...

一种显示面板驱动电路（１），配备有，与显示面板的数据线连接的第一显示输出接线端（１０）、第一和第二输出级（６、９）以及控制电路（１２）。第一输出级（６）与第一显示输出接线端（１０）直接连接，并且被设置为输出具有相对于标准电压电平的正极性...

本发明涉及一种具有非易失性存储器单元的ＥＥＰＲＯＭ。该非易失性存储单元具有第一ＭＯＳ晶体管（１０）和第二ＭＯＳ晶体管（２０）。该第一ＭＯＳ晶体管（１０）和第二ＭＯＳ晶体管（２０）具有共用栅电极（３０），并且该栅电极（３０）是与周围电路电...

半导体器件及其制造方法。本发明为实现半导体器件的小型化，在第一绝缘膜上，形成岛状半导体层以及包围半导体层的第二绝缘膜，并且布置由导电膜制成的电阻元件（例如，多晶硅电阻元件）使得叠盖平面内的半导体层的上表面。

一种存储单元，具有：控制栅电极，通过栅绝缘膜布置在半导体衬底的主表面上；ＯＮＯ膜，沿控制栅电极的侧表面和半导体衬底的主表面布置；存储栅电极，通过ＯＮＯ膜布置在控制栅电极的侧表面上和半导体衬底的主表面上。使控制栅电极和存储栅电极在其上部上...

测试设备（１０２）包含一端与输入端子（Ｔ１）相连、另一端与输出端子（Ｔ３）相连、使直流分量衰减的第１元件（Ｃ１）；一端与输入端子（Ｔ１）相连、使交流分量衰减的第２元件（Ｌ１）；半导体器件的制造方法包括：连接半导体器件（１０１）的外部输出...

本发明提供一种半导体装置，能使在ＥＳＤ保护元件上产生的热迅速且高效地向半导体装置外部散热。该半导体装置（１）包括：具有漏极区域（４）、源极区域（６）和栅电极（７）的ＭＯＳＦＥＴ型ＥＳＤ保护元件，和热扩散部。在漏极区域（４）上形成的热扩散...

提供了一种半导体器件，其在半导体衬底上方具有彼此接近并构成非易失性存储器的控制栅电极和存储栅电极。存储栅电极的高度低于控制栅栅电极的高度。金属硅化物膜形成在控制栅电极的上表面上方，但不形成在存储栅电极的上表面上方。存储栅电极在其上表面上...

本发明通过减小硅化镍层的电气特性的不均，可以提高半导体元件的可靠性和制造良品率。将半导体晶圆ＳＷ放置在成膜装置的干洗处理用的腔室２７所具备的晶圆载物台２７ａ上后，供给还原气体，对半导体晶圆ＳＷ的主面进行干洗处理，接着，利用温度维持在１８...

关于可以在功能上直接连接的电极焊盘之间的互连，提供了可以有助于模块衬底小型化的半导体器件。进行了叠置的第一半导体芯片和第二半导体芯片以与模块衬底之间中心位置相互左右偏离的方式安装在模块衬底上。在从偏离的半导体芯片的边缘到模块衬底的边缘的...

在熔丝程序电路（ＦＰＫ１－ＦＰＫｎ）中，使用多层金属布线的第３层以上的金属布线（Ｍ（ｉ））来实现熔丝元件ＦＳ。在各熔丝程序电路中，使用扫描触发器（ＦＳＳＲ和ＰＳＲ）来依次传输程序信息和熔丝选择信息，有选择地逐个电切断熔丝。可以低功耗且低...

本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其目的在于，降低被加工膜的加工性状的恶化及图案的皲裂，忠实于设计，且也可以适用于双嵌入式工序等。包括：通过在被加工膜（２）上进行膜的涂敷、加热硬化，形成至少由一个以上的膜构成的加工用掩模层（下层有机膜...

固态图像拾取器件１是背表面入射类型的，并包括半导体衬底１０、半导体层２０和光接收单元３０。固态图像拾取器件１将入射到半导体衬底１０的背表面Ｓ２上的光光电转换为信号电荷，以对物体成像。半导体衬底１０具有电阻率ρ１。半导体层２０设置在半导体...

本发明是即使在ｎ沟道ＭＩＳＦＥＴ的源极和漏极上形成镍或镍合金的硅化物区域的情况下，也可以实现截止漏电流难以增加的半导体器件。在源极和漏极上形成镍或镍合金的硅化物区域的ｎ沟道ＭＩＳＦＥＴ的沟道长度方向平行于半导体基板的结晶方向〈１００〉设...

一种制造半导体装置的方法包括在半导体层中形成沟槽，在沟槽中形成栅电极，在沟槽中的栅电极上形成热氧化膜，在沟槽中的热氧化膜上形成硅酸盐玻璃膜，在半导体层中形成主体区域，以及在主体区域上形成源区。该方法提供了具有沟道长度的减小的波动和低导通...

本发明公开一种半导体装置，其包括：形成到半导体衬底的第一表面的半导体器件；提供在第一通孔中的阻挡膜，该第一通孔以凹状形成到半导体衬底的第一表面；第一通路线，连接至与阻挡膜接触的半导体器件的电极；第二通路线，形成在第二通孔内，与第一通路线...

本发明提供一半导体装置制造方法，其可避免通过隔着在钛膜上形成着氮化钛膜的积层构造的势垒金属膜，将金属膜埋入在绝缘膜上开口的连接孔内部时连接的连接部中产生不良。利用使用ＴｉＣｌ↓［４］气体的热反应在连接孔底部形成热反应Ｔｉ膜，并利用使用Ｔ...

提出了一种半导体芯片（１），包括：至少一个熔丝元件（２１）；在熔丝元件（２１）上方形成的熔丝开口（１７）；以及在熔丝开口（１７）的底部部分（１７ａ）下面形成的、并且在与熔丝元件（２１）相同的层和熔丝元件（２１）上方的层之一中形成的放电电...

本发明提供一种半导体器件的制造方法，使用长波长激光，有选择地对半导体衬底内的预定区域进行退火。在具有区域（Ａｎ）和区域（Ａｐ）的半导体衬底（１）上形成对于激光（２０）的照射随着膜厚变薄而反射率变小的反射率调整膜（１７）后，蚀刻区域（Ａｎ...