本发明涉及运算放大器、驱动器以及显示器。在本发明的方面中，运算放大器包括输入差分级，该输入差分级具有接收外部输入电压的一个外部输入和两个输出；和两个输出级。开关部件被设置在两个输出级的输入和输入差分级的两个输出之间，并且被构造为交替地连...

本发明提供一种制造半导体器件的方法。在该制造半导体器件的方法中，沿着划线在第一保护膜中形成第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽中的每个具有小于划线宽度的宽度，当用激光切片将晶片分成多个部分时第一保护膜提供在保护元件形成区的第二保护膜下...

本发明涉及一种ＰＬＬ电路。ＰＬＬ电路包括第一和第二电荷泵电路，该第一和第二电荷泵电路根据相位比较器的输出信号控制输出电压；第一滤波器，该第一滤波器滤除被包括在根据从第一电荷泵电路输出的电流生成的信号中的预定的频率分量，并且输出信号作为第...

本发明涉及驱动器和使用该驱动器的显示设备。驱动器包括：灰阶电压供给部件，该灰阶电压供给部件被构造为在第一显示时段将第一输出灰阶电压提供给数据线；和电荷共享执行部件，该电荷共享执行部件被构造为在第一显示时段之后的电荷共享时段中将第一输出灰...

一种半导体装置及使用该装置的显示装置的数据驱动器，实现节省面积的解码器、及使用该解码器的节省面积（低成本）的数据驱动器。具有：晶体管（２１～２４）的排列；被配置在第１布线层（７１）上，在所述排列的上方彼此分离并沿行方向延伸的多个基准电压...

本发明涉及显示驱动器和测试该显示驱动器的方法。该显示驱动器包括：灰阶数据寄存器，该灰阶数据寄存器存储具有位宽的灰阶数据；和灰阶电压信号生成器，该灰阶电压信号生成器生成灰阶电压信号并且输出所生成的灰阶电压信号，该灰阶电压信号具有根据被存储...

本发明涉及图像处理设备和图像处理方法。执行图像数据的滤波处理的图像处理设备包括：滤波处理单元，该滤波处理单元通过将校正值反映在像素值中来执行滤波处理；调整值生成单元，该调整值生成单元基于像素的显示位置生成增益值；以及校正值改变单元，该校...

本发明涉及升压电路和使用升压电路的液晶显示装置。电荷泵电路具有：升压电容器；和充电开关，其将电源电压提供给升压电容器，并且通过切换升压电容器的连接关系其升压比率是可变的。控制电路单元控制升压比率的切换并且根据与电源电压和处于充电的升压电...

本发明提供了一种能够即使在水从半导体器件以外渗透进焊盘之上的开口时仍然阻止在开口的侧表面暴露的氮化钛膜转变成氧化钛膜并且因此提高半导体器件的可靠性的技术和一种能够阻止在焊盘的表面保护膜中出现裂缝并且提高半导体器件的可靠性的技术。形成开口...

现有的半导体模块由于使用了绝缘基板以及在其上形成的配线层，所以提高了成本，为了克服该缺点，本发明提供一种双向开关模块。其构成为，在成为散热板的第１金属底板上，载置具有与所述双向开关电路的第１节点连接的接合电极的第１半导体元件，并且同样地...

本发明提供了用于存储介质的密码处理设备和方法。所述密码处理设备包括：位置信息转换单元，该位置信息转换单元将转换结果存储在缓冲器中，所述转换结果是通过对指示要被访问的数据在存储介质上的位置的位置信息执行转换处理获得的；和数据密码处理单元，...

本发明提供一种设有ＳＲＡＭ的半导体集成电路器件，它以低供给电压满足ＳＮＭ和写余量的需求。该半导体集成电路器件包括：对应多个字线和多个互补位线设置的多个静态存储单元；多个存储单元电源线，每个存储单元电源线向连接到多个互补位线的每个的多个存...

本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。互连被提供在第一绝缘层中并且互连的上表面比第一绝缘层的上表面高。气隙被布置在互连和第一绝缘层之间。第二绝缘层至少形成在第一绝缘层和气隙的上方。第二绝缘层没有覆盖互连。蚀刻停止膜至少形成在第二绝...

本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。互连被提供在第一绝缘层中并且互连的上表面比第一绝缘层的上表面高。气隙被布置在互连和第一绝缘层之间。蚀刻停止膜被形成在第一绝缘层、气隙、以及互连的上方。第二绝缘层被形成在蚀刻停止膜的上方。通孔被...

本发明涉及半导体集成电路和用于半导体集成电路的测试方法。半导体集成电路包括：存储器；逻辑电路，该逻辑电路被构造为输出用于存储器的地址的地址信号；以及地址控制电路，该地址控制电路与存储器的地址端子和逻辑电路相连接，并且被构造为接收测试信号...

本发明涉及半导体器件和半导体器件的制造方法。本发明的一个方面是半导体器件，其包括：半导体基板；第一布线，该第一布线被形成在半导体基板上；第二布线，该第二布线被形成为在第一布线的上方交叉并且在其中第一布线和第二布线相互交叉的交叉部分处在其...

本发明提供一种差分图像生成装置和差分图像生成方法。一个示例性实施例包括差分图像生成装置，该差分图像生成装置包括测量单元和缩放单元。测量单元测量通过对第一和第二输入图像信号执行减法处理而获得的差分图像信号的像素值的变化宽度。缩放单元基于变...

提供一种半导体存储装置及其制造方法，能够削减通过光刻来形成抗蚀剂的工序，并降低成本。第２杂质区域（２ｂ）构成为沿列方向相邻的第２杂质区域（２ｂ）彼此连接，选择栅极电极（４）构成为环状，以包围第２杂质区域（２ｂ），并且与字线（ＷＬ）电连接...

在当前ＬＳＩ或者半导体集成电路器件制造工艺中，在组装器件的步骤（比如树脂密封步骤）之后通常为在高温度（比如近似范围从８５℃至１３０℃）和高湿度（比如约为８０％ＲＨ）的环境中的电压施加测试（高温度和高湿度测试）。对于该测试，本发明的发明人...

硫属化物材料与高熔点金属或硅氧化物膜的接合性差，因此具有在相变存储器的制造工序中容易剥离的问题。另外，硫属化物材料热稳定性差，因此具有在相变存储器的制造工序中容易升华的问题。在硫属化物材料层的上部和下部形成导电性或绝缘性的接合层，使剥离...