提供降低抖动的时钟控制电路及其控制方法。至少配有一个平均化电路，该电路相对于由第一和第二输入端输入的第一和第二信号，生成具有内分所述第一和第二信号时间差的时间差信号，并从输出端输出，在所述平均化电路的第一和第二输入端上，输入第一和第二时...

提供可以减低输出偏差并增大驱动能力的驱动电路。包括接受输入信号Ｖｉｎ的差动放大电路（１１）和导电型互不相同的第１以及第２晶体管Ｍ１、Ｍ２。晶体管Ｍ１和Ｍ２以在输出点Ｐ连接互相的源极的形态（源跟随器）串联连接于两个电源供给端子ＶＤＤ和ＧＮ...

一种半导体集成电路及其制造方法，其可以实现较高的制造成品率，并且补偿ＣＭＯＳ型ＳＲＡＭ的ＭＯＳ晶体管的阈值电压的标准离差。在ＳＲＡＭ的信息保存工作和写入工作和读出工作的任一有源模式下，对ＳＲＡＭ存储单元的ＭＯＳ晶体管的衬底（阱）施加衬底...

可变电容电路可以包括ＭＯＳ电容器，以及配置为改变ＭＯＳ电容器的应用电压以改变ＭＯＳ电容器的电容的应用电压切换部分。可变电容电路将ＭＯＳ电容器连接到电子电路。在此，电子电路可以是电压放大电路，并且可变电容电路可以作为放大增益切换电路，该放...

本发明的课题是提供一种用低成本实现稳定的失调电压校正的ＢＴＬ放大系统。ＢＴＬ放大器１０有连接在差动放大器１１的输出基准电压输入端子Ｔ６上的电阻元件Ｒ１１。ＢＴＬ放大器１０的失调电压校正时，可变电流源控制部３２控制输入切换电路２０，将来自...

本发明涉及一种运算放大器及驱动液晶显示器的方法。设计一种可以消除驱动液晶显示器的偏移的运算放大器曾经是困难的。本发明的运算放大器包括：具有第一导电类型的第一晶体管和第二晶体管的第一差分对；具有第二导电类型的第三晶体管和第四晶体管的第二差...

本发明提供一种压控振荡器和使用了它的无线通信机。通过等效地减少压控振荡器的谐振电容值中固定电容的电容值，来使谐振电容的可变量增加，扩大振荡频率的范围。该压控振荡器包括：具有用于差动输出的谐振节点（ＯＵＴ、ＯＵＴＢ）的差动式的负电导产生电...

本发明实现了一种能够更加适当地检测出转子位置的静止位置检测电路和电机驱动电路。本发明利用静止位置检测电路，使电机的各相负荷中流过交流电流，将电流在第１方向上流动的时间和在与第１方向相反的第２方向上流动的时间变换为电气信号并且放大，利用该...

本发明公开一种能够最佳地校正负载电流的ＰＷＭ电流控制装置。在用于控制流过负载的负载电流的电流控制装置中，参考电平产生电路产生参考电平信号，以及参考信号产生电路根据参考电平信号产生参考信号。桥电路包括多个半导体元件，使得半导体元件导通和关...

提供了一种获得效率改善的开关电源装置和半导体集成电路。电容器被设置在产生输出电压的电感器的输出侧与地电位之间。第一开关元件将来自输入电压的电流提供到电感器的输入侧，而当第一开关元件断开时被导通的第二开关元件，将电感器的输入侧设定到规定的...

一种反相负电压ＤＣ－ＤＣ电源电路，包含第一电阻，其一端与输出端子相连，用于将输出电压的变化转换成电流。第一电阻的另一端与零伏钳位电路相连，所述钳位电路包含第一和第二晶体管。电流镜电路包含第三和第四晶体管，并与零伏钳位电路相连，用于使与在...

一种升压器电源电路包括半导体ＩＣ和外部电路。半导体ＩＣ具有：第一电荷泵电路和第二电荷泵电路，其每一个响应于控制信号通过使用电容器来抬升电压；以及选择电路。在第一模式下，选择电路将彼此不同相的第一控制信号和第二控制信号作为控制信号分别输出...

根据本发明的实施例，涉及一种包括第一电源端子、第二电源端子以及输入／输出端子的用于半导体器件的静电放电保护电路，包括：使浪涌电流从输入／输出端子流到第二电源端子的闸流管；以及双极性晶体管，其使浪涌电流从第一电源端子流到输入／输出端子。

提供一种能以单一模式进行振荡的分布反馈型半导体激光器。该分布反馈型半导体激光器，在衍射光栅中具有相移部，其中，将相移部的相移量设定为（８／４０）Λ～（９／４０）Λ（Λ为衍射光栅间隔的２倍）。由此，在注入电流为阈值电流电平时，主模式从阻带...

在本发明的一个实施例中，所述分割光电二极管包括ｐ型衬底、在ｐ型衬底上形成的ｐ型外延层、在ｐ型外延层上形成的ｎ型外延层，并且在与所述ｐ型外延层分隔的所述ｎ型外延层中提供ｐ型分割区，该ｐ型分割区分割光敏区，并且被构造成通过施加反向偏置电压使...

在半导体集成电路器件的温度传感器部分，由钨制成的第一通路形成在多层布线层的最顶层，而由钛制成的衬垫设置在覆盖该通路的多层布线层的区域上。绝缘层以覆盖多层布线层和衬垫的方式设置，第二通路设置成到达该衬垫。通过反应喷溅把氧化钒隐藏在第二通路...

本发明涉及一种半导体器件及其制造工艺。半导体器件１００包括使用后栅极工艺形成的第一栅极２１０。第一栅极２１０包括：在绝缘膜中形成的第一凹入部分中的底表面上形成的栅绝缘膜；形成在第一凹入部分中的栅绝缘膜上的栅电极；以及形成在第一凹入部分中...

本发明提供一种使非易失性半导体存储器件的特性提高了的非易失性半导体存储器件，其存储单元包括：用于蓄积电荷的氮化硅膜（ＳＩＮ），由位于其上下的氧化膜（ＢＯＴＯＸ、ＴＯＰＯＸ）构成的ＯＮＯ膜，其上部的存储器栅电极（ＭＧ），中间隔着ＯＮＯ膜位...

本发明的目的是提供一种具有这种结构的半导体器件，可以用更高的成品率制造。半导体器件１包括在半导体衬底１０上的局部互连层１４（第一互连层）和局部互连层１４上的球形互连层１８（第二互连层）。局部互连层１４和球形互连层１８分别包括局部互连２４...

提供一种即使缩小存储单元也具有优良读出电流驱动能力的非易失性半导体存储器件。在分裂栅极结构的非易失性半导体存储器件中，在凸型衬底上形成存储栅极，将其侧面作为沟道使用。