半导体存储装置及其制造方法制造方法及图纸

提供一种半导体存储装置及其制造方法，能够削减通过光刻来形成抗蚀剂的工序，并降低成本。第２杂质区域（２ｂ）构成为沿列方向相邻的第２杂质区域（２ｂ）彼此连接，选择栅极电极（４）构成为环状，以包围第２杂质区域（２ｂ），并且与字线（ＷＬ）电连接，第１控制栅极电极（６ａ）在选择栅极电极（４）的外周侧构成为环状，第２控制栅极电极（６ｂ）在选择栅极电极（４）的内周侧构成为环状，在存储单元上按每一行分别配置有所对应的第１、第２位线（ＢＬ），第１位线（ＢＬ）与沿行方向相邻的第１杂质区域（２ａ）中的一个第１杂质区域电连接，第２位线（ＢＬ）与沿行方向相邻的第１杂质区域（２ａ）中的另一个第１杂质区域电连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有分裂栅型的非易失性存储器的半导体存储装置及其制造方 法。
技术介绍
在具有分裂栅型的非易失性存储器的半导体存储装置中，有的半导体存储装置 具有如下结构的存储单元在基板101的主面形成有隔着沟道区域的一对杂质区域102a、 102b，在沟道区域上经由栅极绝缘膜103形成有选择栅极(Select gate)电极104，在选择 栅极电极104的两侧面及沟道区域(杂质区域102a、102b与选择栅极电极104之间的区域 的沟道区域)的表面，经由栅极分离绝缘膜105 (例如0N0膜)形成有侧壁状的控制栅极 (Control gate)电极106a、106b (参照图7、9、10，例如参照专利文献1、2)。在这种半导体 存储装置中，在选择栅极电极104被提供预定电位并选择该单元后，控制提供给各杂质区 域102a、102b和各控制栅极电极106a、106b的电位，由此能够将电荷存储到各控制栅极电 极106a、106b下方的栅极分离绝缘膜105中并进行写入，并且能够读出，还能够释放栅极分 离绝缘膜105中的电荷并进行删除。把这种存储单元设为阵列结构的电路中，如图8所示，存储单本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储装置，其特征在于，具有存储单元，该存储单元包括：第１杂质区域和第２杂质区域，形成于基板的沟道区域的两侧；选择栅极电极，在所述沟道区域上经由栅极绝缘膜形成；以及第１控制栅极电极和第２控制栅极电极，在所述选择栅极电极的两侧面及沟道区域的表面经由栅极分离绝缘膜形成为侧壁状，所述存储单元沿行方向和列方向并列排列，所述第２杂质区域构成为沿列方向相邻的所述第２杂质区域彼此连接，并且与共用源极线电连接，所述选择栅极电极构成为环状，以包围所述第２杂质区域，并且与字线电连接，所述第１控制栅极电极在所述选择栅极电极的外周侧构成为环状，所述第２控制栅极电极在所述选择栅极电极的内周侧且所述第２杂质区域的...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：竹下利章，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]