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提供一种半导体存储装置及其制造方法，能够削减通过光刻来形成抗蚀剂的工序，并降低成本。第２杂质区域（２ｂ）构成为沿列方向相邻的第２杂质区域（２ｂ）彼此连接，选择栅极电极（４）构成为环状，以包围第２杂质区域（２ｂ），并且与字线（ＷＬ）电连接，第...
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