本发明涉及半导体装置。减小了半导体装置的尺寸。将其中形成有功率ＭＯＳＦＥＴ的半导体芯片放置在其中形成有另一功率ＭＯＳＦＥＴ的半导体芯片之上，并用包封树脂部分将其密封。半导体芯片被布置为使得上半导体芯片不与位于下半导体芯片的栅极焊盘电极正...

本发明涉及基于单元的集成电路内的电源单元的布置。半导体器件被提供有第一电源单元（２０）、第一单元（１０）以及第二单元（１０）。第一电源单元（２０）和第一单元（１０）被连续地排列在第一行中的行方向上。第二单元（１０）被连续地排列在与第一行...

本发明涉及半导体集成电路以及保存和恢复其内部状态的方法。半导体集成电路包括：第一电路；和第二电路，该第二电路被构造为控制第一电源到第一电路的供给。第一电路包括：第三电路，该第三电路包括触发器组，响应于第一电源的供给的停止来擦除其内部状态...

本发明提供了一种半导体器件的制造方法。期待提供一种具有它们的高度被对齐的Ａｕ凸块的半导体器件的制造方法。制造方法包括：在半导体芯片上形成种子膜；在种子膜上形成在半导体芯片的电极上方具有开口的光刻胶；通过以１．５Ａ／ｄｍ２或以上的电流密度...

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括对准标记。在对准标记上扫描探测束，以检测对准标记的位置坐标，并且该对准标记包括以第一预定间隔、沿扫描检测束的第一方向布置的多个条标记。多个条标记中的每个包括沿与第一方向正交的第二方向...

本发明涉及半导体器件和移除半导体器件噪声的方法。半导体器件包括：噪声检测电路；输入信号延迟电路；以及遮蔽电路。噪声检测电路检测叠加在输入信号上的噪声并且在预定时间段期间输出遮蔽信号。输入信号延迟电路延迟输入信号并且输出其延迟信号。遮蔽电...

本发明涉及半导体器件和用于制造半导体器件的方法。半导体器件包括：半导体基板；层间绝缘膜，该层间绝缘膜被提供在半导体基板上；由被提供在互连沟槽即第二互连沟槽中的金属膜组成的互连即第二铜互连和由被提供在耦接到互连沟槽的连接孔即通孔中的金属膜...

本发明涉及一种半导体器件。在半导体器件中，下部多层互连结构、中间通孔级绝缘间层、以及上部多层互连结构被按照此顺序堆叠在平面图中与焊盘重叠的区域中；上部多层互连结构的上部互连和通孔被形成为连接至焊盘布置区域中的焊盘；中间通孔级绝缘间层不具...

本发明涉及一种显示控制电路。用于显示器的显示控制电路包括：多个放大器，所述多个放大器被连接至显示面板的数据线，所述多个放大器被构造为当提供偏置电流时将灰阶电压施加给数据线；和控制电路，该控制电路将偏置电流提供给放大器，其中，控制电路在第...

涉及到级联的显示面板驱动器的图像数据传输。显示装置被提供有显示面板（５）；第一至第ｎ级联的驱动器（８）；控制器（６）。第一至第ｎ驱动器（８）中的第ｉ驱动器（８）包括：驱动电路（２５－２９），驱动显示面板；第一总线（２３）；第二总线（２４...

本发明涉及光学接收器模块的制造方法及其制造装置。芯调整过程包括在Ｘ、Ｙ和Ｚ方向的每一个中搜索光接收元件的光电流达到其峰值的位置的过程。在搜索过程中，从ＭＣＰ的多模光纤发射的光由透镜收集并被透射到光接收元件。然后进行校验以便确定在搜索方向...

本发明提供一种台面型光电二极管及其制造方法。该台面光电二极管包括台面，台面的侧壁是在台面底部变宽的方向上倾斜的表面。用第一导电类型、第二导电类型、半绝缘型或未掺杂型的半导体层覆盖台面的至少侧壁。在台面的至少侧壁上生长半导体层。台面在上端...

本发明提供一种半导体器件及使用该半导体器件的半导体集成电路，其根据电路的动作特性，灵活使用具有背栅的ＭＯＳ，在宽度较宽的温度范围内实现高速且低功率的ＬＳＩ。本发明使用具有薄膜埋入氧化膜层的ＦＤ－ＳＯＩ，将薄膜埋入氧化膜层的下层半导体区域...

本发明提供了半导体器件和用于制造半导体器件的方法。半导体器件包括布线层；半导体芯片，该半导体芯片被布置在布线层上，其间具有间隙，通过连接部将半导体芯片电气地连接至布线层；第一密封体，该第一密封体被填充在布线层和半导体芯片之间的空间中；以...

本发明涉及显示面板驱动方法、栅极驱动器、以及显示设备。一种驱动显示面板的方法，其中数据信号的电压极性反转周期是三个或者更多个扫描时段，并且通过按照预定时段在第一和第二扫描顺序之间切换而驱动多条扫描线，该方法包括：将其中按照第一扫描顺序驱...

本发明涉及一种差分信号接收电路和显示设备。该差分信号接收电路包括：第一差分电路，该第一差分电路包括第一导电类型的多个耗尽型晶体管并且具有第一输出节点和第二输出节点；第二差分电路，该第二差分电路包括与第一导电类型相对的第二导电类型的多个增...

本发明提供一种高精度、低成本且低损失的数字控制ＩＣ以及利用该数字控制ＩＣ的数字控制电源装置。对于电压主电路（３），在控制电路（２）上设有用于进行反馈控制的模拟／数字变换器即ＡＤＣ（４）、比较器（５）、运算器（７）、数字脉宽调制器即ＤＰＷ...

本发明提供一种半导体器件。该半导体器件，具有：散热器板，该散热器板被保持在预定电势处；ＳＯＩ（绝缘体上硅）芯片，该ＳＯＩ芯片被安装在散热器板上；以及热脂，该热脂被施加到散热器板与ＳＯＩ芯片之间的界面。ＳＯＩ芯片，具有：第一硅衬底，该第一...

提供一种半导体装置及其制造方法和使用它的电源装置。在横型功率ＭＯＳＦＥＴ中，不仅抑制了单元间距的增大，还提高了耐压，降低了反馈电容和接通电阻。相对于ｎ＋型硅衬底（１）的主面（７２）垂直地设置作为耐压保持区域的高电阻的ｎ－型硅区（３），使...

本发明涉及带载封装、单独的带载封装产品及其制造方法。带载封装包括：带基；和互连，该互连被形成在带基上并且延伸以与切割线相交。沿着互连中的每一个形成至少一个狭缝，以与切割线相交并且将互连划分为多个互连元件。