半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制造方法，使用长波长激光，有选择地对半导体衬底内的预定区域进行退火。在具有区域（Ａｎ）和区域（Ａｐ）的半导体衬底（１）上形成对于激光（２０）的照射随着膜厚变薄而反射率变小的反射率调整膜（１７）后，蚀刻区域（Ａｎ）上的反射率调整膜（１７）。接着，对半导体衬底（１）照射激光（２０），对区域（Ａｎ）的ｎ－型半导体区域（１１）、ｎ＋型半导体区域（１４）进行退火。同样地，在半导体衬底（１）上形成反射率调整膜（１７）后，蚀刻区域（Ａｐ）上的反射率调整膜（１７）。接着，对半导体衬底（１）照射激光（２０），对区域（Ａｐ）上的ｐ－型半导体区域（１２）、ｐ＋型半导体区域（１５）进行退火。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，尤其涉及适用于包括退火处 理步骤的半导体器件的制造技术有效的技术。
技术介绍
作为半导体衬底，现在最广泛使用的是Si (硅)。在该Si衬底上 例如形成MISFET ( Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor)等。简而言之，MISFET的制造方法是在Si衬底上形成阱， 在该阱上形成栅极绝缘膜，再形成栅极电极，通过离子注入，对栅极 电极两侧的阱导入与阱相反导电类型的杂质，形成作为源极和漏极的 杂质扩散层。这时，在进行了离子注入后，为了激活注入的杂质，而 进行退火处理。在曰本特开平10-261792号公报(专利文献1)中记载有如下技 术从垂直入射向栅极电极一侧倾斜30°而进行离子注入，由此形成 与栅极匹配的浅的源极和漏极扩散层，进行950。C、 5秒的短时间退 火(RTA; Rapid Thermal Annealing),形成4册才及侧壁间隔物后，通过 离子注入，形成与栅极侧壁隔离物匹配的深的源极和漏极，再次进行 950°C、 5秒的短时间退火(RTA)。在曰本特开2000-77541号公报(专利文献2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：步骤ａ，在具有第一区域和第二区域的半导体衬底上形成反射率调整膜，该反射率调整膜随着膜厚变薄而对光源的光照射的反射率变小；步骤ｂ，蚀刻上述第一区域上的上述反射率调整膜；步骤ｃ，在上述步骤ｂ之后，通过对上述半导体衬底照射上述光而对上述第一区域进行退火。

【技术特征摘要】
JP 2006-12-18 339994/20061.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤a，在具有第一区域和第二区域的半导体衬底上形成反射率调整膜，该反射率调整膜随着膜厚变薄而对光源的光照射的反射率变小；步骤b，蚀刻上述第一区域上的上述反射率调整膜；步骤c，在上述步骤b之后，通过对上述半导体衬底照射上述光而对上述第一区域进行退火。2. 根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于 上述光源是3|am以上的长波长激光，上述反射率调整膜是金属膜。3. 根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于 上述反射率调整膜，是上述光的波长的复数折射率的复数部分具有1以上值的膜。4. 根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于 通过上述步骤c，激活注入到成为MISFET的源极和漏极的半导体区域的杂质。5. 根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于 通过上述步骤c,激活注入到成为双极晶体管的发射极和基极的半导体区域的杂质。6. 根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于 在上述步骤a...

【专利技术属性】
技术研发人员：岛明生，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]