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本发明提供一种半导体器件的制造方法，使用长波长激光，有选择地对半导体衬底内的预定区域进行退火。在具有区域（Ａｎ）和区域（Ａｐ）的半导体衬底（１）上形成对于激光（２０）的照射随着膜厚变薄而反射率变小的反射率调整膜（１７）后，蚀刻区域（Ａｎ）上...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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