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宁波江丰电子材料股份有限公司专利技术
宁波江丰电子材料股份有限公司共有1691项专利
可减少旋转靶偏心的夹具以及装粉包套的加工方法技术
本申请公开了可减少旋转靶偏心的夹具以及装粉包套的加工方法,其中,夹具,包括金属本体,所述金属本体的一端具有环状的内包套槽和环状的外包套槽,所述内包套槽和所述外包套槽同心设置且外包套槽位于内包套槽的外侧,所述金属本体还具有贯穿金属本体的投...
一种镀膜蒸发料的分拣装置制造方法及图纸
本实用新型涉及一种镀膜蒸发料的分拣装置,所述分拣装置包括依次连接的振动盘、称重分拣机以及磁选装置,所述振动盘为螺旋振动盘,螺旋振动盘中设置有输送柱状料的滑道。本实用新型所述分拣装置能够区分成分不同但颜色相同的同规格蒸发料,防止蒸发料的混...
一种钛靶材及其制备方法技术
本发明提供一种钛靶材及其制备方法,所述制备方法包括:钛靶坯依次经第一锻伸、第一热处理、压制、第二热处理、第一校平、第三热处理、第二校平和退火;所述第一锻伸的预热温度为460~480℃。所述制备方法针对钛靶材选用460~480℃的第一锻伸...
一种钽靶材反溅射层的加工方法技术
本发明提供一种钽靶材反溅射层的加工方法,所述加工方法包括在所述反溅射层依次进行喷砂处理和熔射处理。所述方法可以有效降低钽靶材溅射过程中出现Particle的风险,提高靶材的使用寿命。的使用寿命。的使用寿命。
一种多晶硅靶材与铜背板的钎焊方法技术
本发明提供一种多晶硅靶材与铜背板的钎焊方法,所述钎焊方法对多晶硅靶材和铜背板分别采用不同的预处理方式和浸润处理方式提高二者的浸润效果,之后在处理后铜背板上放置铜丝,将所述处理后多晶硅靶材扣合在上面,并依次叠合处理后铜背板、铜丝、处理后多...
一种石墨热等静压成型的加工方法技术
本发明提供了一种石墨热等静压成型的加工方法,所述加工方法包括以下步骤:将石墨原料装填于包套中,所述石墨原料与包套的内壁之间设有无机纤维棉;装填完成后将包套封口并进行脱气处理;将脱气后的包套进行热等静压处理,冷却后去除包套,得到石墨产品。...
一种高纯合金铝靶材及其制备方法技术
本发明提供了一种高纯合金铝靶材及其制备方法,所述制备方法包括:将铝靶坯依次进行第一锻伸、第一热处理、第一静压、第二锻伸、第二热处理、压制和第三热处理。本发明提供的制备方法得到铝靶材的平均晶粒尺寸低于35μm,无内部缺陷且内部结构更加均匀...
一种高纯铜靶材及其制备方法技术
本发明提供一种高纯铜靶材及其制备方法,所述制备方法包括:将铜靶坯依次进行锻伸、第一热处理、压延和第二热处理;所述第一热处理的温度为695
一种高纯铝硅靶材及其制备方法技术
本发明提供了一种高纯铝硅靶材及其制备方法,所述制备方法包括以下步骤:将高纯铝硅靶坯依次进行锻伸、一次热处理、静压、二次热处理、压延以及三次热处理,得到高纯铝硅靶材;所述一次热处理的温度为480
一种圆形钛靶材组件制造技术
本实用新型提供了一种圆形钛靶材组件,包括相互连接的圆形钛靶材与圆形背板,所述圆形背板的背面包括冷却水道,所述冷却水道包括环形水道,所述圆形背板与所述环形水道的圆心重合;其中,所述圆形钛靶材的直径为300
一种靶材背板制造技术
本实用新型提供一种靶材背板,所述靶材背板包括背板本体;所述背板本体上设置有沉孔;所述靶材背板还包括与所述沉孔相适配的绝缘支撑柱;所述绝缘支撑柱的高度高于沉孔的深度;所述靶材背板中绝缘支撑柱通过与沉孔过渡配合紧配在一起,且绝缘支撑柱突出一...
一种圆形钨钛靶材组件制造技术
本实用新型提供了一种圆形钨钛靶材组件,包括圆形钨钛靶材、圆形背板以及焊料层,在所述背板焊接面设置第一圆形凹槽,在所述第一圆形凹槽的底面设置第二圆形凹槽并形成环形接触台阶,在所述环形接触台阶上设置至少2个台阶凹槽,所述台阶凹槽与所述第二圆...
一种靶材溅射面的抛光方法技术
本发明提供了一种靶材溅射面的抛光方法,所述抛光方法包括以下步骤:采用钻石砂布对靶材的待加工面进行抛光处理,以形成溅射面;所述钻石砂布的目数为250
一种靶材清洗剂及其清洗方法技术
本发明提供了一种靶材清洗剂及其清洗方法,所述的靶材清洗剂按重量份包括以下组分:烷基磺酸钠9~20重量份,脂肪醇醚硫酸钠9~20重量份,巯基苯骈噻唑钠1~5重量份,蛋白酶2~5重量份,十二烷基硫酸钠2~7重量份。本发明操作流程简单,清洁效...
一种无氧铜背板及其制备方法技术
本发明提供一种无氧铜背板及其制备方法,所述制备方法包括:将坯料依次进行第一锻伸、第一热处理、压制、第二热处理和退火;所述第一锻伸的预热温度为490
一种用于装饰镀膜的碳化钨靶材及其制备方法技术
本发明提供了一种用于装饰镀膜的碳化钨靶材及其制备方法,所述制备方法包括以下步骤:(1)筛分纯度≥99.98%的碳化钨原料,得到碳化钨粉末;(2)将步骤(1)所得碳化钨粉末进行烧结温度为1800
一种铬硅合金溅射靶材及其制备方法技术
本发明提供了一种铬硅合金溅射靶材及其制备方法,所述制备方法包括以下步骤:(1)筛分纯度≥99.98%的铬硅合金原料,得到铬硅合金粉末;(2)将步骤(1)所得铬硅合金粉末进行真空热压烧结处理,得到铬硅合金靶坯;(3)将步骤(2)所得铬硅合...
一种铝硅靶材及其制备方法技术
本发明提供一种铝硅靶材及其制备方法,所述制备方法包括:将铝硅靶坯依次进行第一锻伸、第一热处理、第二锻伸、第二热处理、压制和第三热处理;所述第一锻伸与第二锻伸的预热温度分别为140
一种靶材组件制造技术
本实用新型提供了一种靶材组件,所述靶材组件包括层叠设置的靶材与背板;所述背板为圆盆状;所述背板的盆底内部设置有环形水道;所述环形水道的进水口连接有进水管道;所述环形水道的出水口连接有出水管道;所述进水管道与出水管道分别独立地设置在所述背...
一种半导体用可调背板制造技术
本实用新型提供一种半导体用可调背板,所述可调背板包括背板以及设置于所述背板表面的内环组件以及外环组件,所述内环组件设置于所述外环组件内部,所述内环组件以及所述外环组件分别独立为导磁组件。所述可调背板可以更有效的稳定电磁场波动,方便可靠,...
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