一种抗原结合分子(ABM)，其包含由VL和CL抗体结构域组成的抗体轻链(LC)的同源LC/HC二聚体，其与至少包含VH和CH1抗体结构域的抗体重链(HC)缔合，其缔合是通过配对VL和VH结构域以及CL和CH结构域实现的，其中CL结构域中...

本发明涉及通式(I)的三芳基胺化合物。本发明还涉及用于制备所述化合物、低聚物、聚合物或树枝状聚合物的方法以及含有所述化合物的制剂，所述化合物在电子器件中的用途，以及包含所述化合物的电子器件。

本发明涉及根据所定义的式的螺桨烷化合物，所述化合物在电子器件中的用途以及包含所述所谓螺桨烷化合物中的一种或多种的电子器件。本发明还涉及制造所述所谓螺桨烷化合物的方法。

本发明涉及有机电致发光器件和有机电致发光器件的制造方法，所述有机电致发光器件包括包含金属络合物作为主要组分的空穴注入层。

本发明描述了一种制造三‑邻金属化金属化合物的方法，所述金属化合物可以作为功能材料用作在可以广泛归于电子工业的多种应用中的功能材料的着色组分。

本发明涉及适用于电子器件的化合物，以及涉及包含所述化合物的电子器件、特别是有机电致发光器件。

本发明涉及咔唑衍生物，尤其是用于电子器件中的咔唑衍生物。本发明还涉及用于制备本发明化合物的方法以及包含所述化合物的电子器件。

本公开内容一般涉及靶向人蛋白程序性死亡配体1(PD‑L1)和转化生长因子β(TGFβ)的双功能蛋白质的体重非依赖性(BW‑非依赖性)给药方案和剂型。

本发明涉及式(1)至(4)的化合物，其适合用于电子器件、特别是有机电致发光器件，涉及用于所述式(1)至(4)的化合物的中间体化合物以及涉及包含所述式(1)至(4)的化合物的电子器件。

本发明涉及一种形成具有至少一种像素类型的有机EL元件的方法，所述有机EL元件包括至少三个不同的层，包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)和发光层(EML)，其特征在于至少一种像素类型的HIL、HTL和EML是通过沉积油墨获得的，...

本发明涉及一种形成具有至少两种不同像素类型的电子器件的有机元件的方法，所述像素类型包括第一像素类型(像素A)和第二像素类型(像素B)，其中像素A的至少一个层和像素B的一个层是通过同时施加油墨来沉积的，其特征在于，同时沉积的用于制造像素A...

本发明涉及含有至少一种有机功能材料和至少第一有机溶剂的制剂，其中所述第一有机溶剂含有至少一个[2.2.1]双环基团，以及涉及通过使用这些制剂制备的电子器件。

本发明涉及适合用于电子器件中的化合物，涉及包含所述化合物的电子器件，特别是有机电致发光器件。

本发明提供一种可形成具有优异的截面形状的图案的正型化学放大型光致抗蚀组合物与使用了其的图案形成方法。一种正型化学放大型光致抗蚀组合物、以及使用了其的图案形成方法，该正型化学放大型光致抗蚀组合物包含：(A)与酸进行反应而使得相对于碱性水溶...

本发明涉及包含彼此为构造异构体的至少两种有机功能化合物OSM1和OSM2的混合物，其特别是用于电子器件中。本发明还涉及用于制备根据本发明的化合物的方法，以及包含所述化合物的电子器件。

本申请涉及根据特定式的硅杂芴衍生物。所述硅杂芴衍生物可用于电子器件中。此外，本申请涉及所述硅杂芴衍生物的制备方法，以及包含所述硅杂芴衍生物的电子器件。

本发明提供一种半导体材料和膜，其在溶剂中的溶解性高，并且具有高的填充性、耐热性以及/或者蚀刻耐受性。进一步提供使用了该半导体材料的半导体的制造方法。本发明提供一种新型化合物。提供了：一种由特定的芳香族烃环衍生物构成的半导体材料、以及使用...

本发明提供了通式(I)所示的新的咪唑‑哌啶基衍生物，它们的制备及其用于治疗过度增殖性疾病诸如癌症的用途，

本发明提供一种薄膜晶体管基板，其为具备保护膜的薄膜晶体管基板，可赋予高的驱动稳定性。一种薄膜晶体管基板，其特征在于，所述薄膜晶体管基板包含薄膜晶体管、以及将薄膜晶体管包覆的由硅氧烷组合物的固化物形成的保护膜，薄膜晶体管具有包含氧化物半导...

本发明涉及产品的防伪保护领域。具体地，本发明涉及一种用读取器设备读取标记的方法，该标记包括物理不可克隆功能PUF和对应的读取器设备。特别地，这种读取器设备标记能够与多组件安全系统的组件特别是防伪保护系统的组件结合使用或者能够形成多组件安...