默克专利有限公司专利技术

默克专利有限公司共有1498项专利

  • 本发明涉及包含含有电子受体和电子给体的光活性层的有机光检测器(OPD),所述受体是n型半导体,其是不含富勒烯部分的小分子,所述电子给体是p型半导体,其是包含给体和受体单元的共轭共聚物。
  • 本发明涉及双核金属络合物和含有所述金属络合物的电子器件,特别是有机电致发光器件。
  • 本发明涉及含有电子受体和电子给体的共混物,所述受体是n型半导体,其是不含富勒烯部分的小分子,所述电子给体是p型半导体,其是包含无规序列的给体和受体单元的共轭聚合物,涉及含有这样的共混物的制剂,涉及所述共混物在有机电子(OE)器件,尤其是...
  • 本发明涉及一种含有特定式的呫吨或噻吨化合物的电子器件。该电子器件优选是有机电致发光器件(OLED)。本发明还涉及特定的呫吨或噻吨化合物本身及其在前述的器件中的用途,及其制造方法。
  • 本发明提供一种组合物,其为使用了对抗蚀图案造成的影响少的水系溶剂的反转图案形成组合物,并且涂布后的平整性和填充性良好,蚀刻耐受性优异。进一步提供一种使用了其的图案的形成方法。[解决手段]一种反转图案形成组合物、以及使用了其的微细图案形成...
  • 本发明涉及双核金属络合物和包含所述金属络合物的电子器件,尤其是有机电致发光器件。
  • 本发明涉及含有多环单元的新型有机半导体化合物、涉及它们的制备方法和其中所用的离析物(educts)或中间体、涉及含有它们的组合物、聚合物共混物和制剂、涉及所述化合物、组合物和聚合物共混物作为有机半导体用在有机电子(OE)器件,尤其是有机...
  • 本发明涉及特别用于电子器件中的被咔唑结构取代的二氮杂二苯并呋喃或二氮杂二苯并噻吩衍生物。本发明还涉及用于制造根据本发明的化合物的方法和包含所述化合物的电子器件。
  • 本发明涉及式(1)化合物。所述化合物适用于包含这些化合物的电子器件,特别是有机电致发光器件。在一些实施方式中,所述化合物用作磷光或荧光发光体的基质材料以及空穴阻挡或电子传输材料。
  • 本发明涉及一种用于操作打印设备(1)的方法,其中将为打印步骤提供的流体经由供应管线(14)从流体贮存器(6)引导至打印头(13),以便能够通过打印头(13)施加到表面。将流体引导通过清洁回路(2)中的清洁设备(8),并且使用污染物测量设...
  • 本发明涉及双核金属络合物和包含所述金属络合物的电子器件,特别是有机电致发光器件。
  • 本发明涉及特别是用于电子器件中的被咔唑、芴、菲、苯并呋喃和/或苯并噻吩基团取代的二氮杂二苯并呋喃或二氮杂二苯并噻吩衍生物。本发明还涉及制备根据本发明的化合物的方法和包括这些化合物的电子器件。
  • 本发明涉及被电子传输基团取代的咔唑衍生物,其特别是用于电子器件中。本发明还涉及用于制备根据本发明的化合物的方法,和包含所述化合物的电子器件。
  • 本发明涉及一种用于电子器件的材料。具体地,本发明涉及一种包含特定空间排列的功能取代基的化合物,包含所述化合物的器件,及其制备和用途。
  • 本发明总体涉及用于治疗癌症的联合疗法,尤其以下所述的联合:(i)双功能分子,其包含TGFβRII或其能够结合TGFβ的片段和结合免疫哨点蛋白例如程序性死亡配体1(PD‑L1)的抗体或其抗原结合片段和(ii)至少一种其他抗癌治疗剂。
  • 本发明涉及双核和三核金属络合物,并涉及含有所述络合物的电子器件,特别是有机电致发光器件。
  • 本发明涉及咪唑并吡啶化合物及其药学上可接受的组合物,它们可用作BTK抑制剂。
  • 具有位于公用衬底上的多个阱区的电子器件和相关方法,其中每个阱区由至少三个岸结构限定,所述岸结构形成阱区的侧壁。在每个阱区内存在至少两个电极段,其中电极段由至少一个绝缘岸在侧向上间隔开,其中绝缘岸比电极段厚。存在完全填充阱区的至少一个电荷...
  • 本发明涉及包含至少一种有机功能材料和作为第一有机溶剂的至少一种硫酰胺或磺胺的制剂,以及通过使用这些制剂制备的电子器件。
  • 本发明涉及分离含有金属络合物的对映异构体的混合物的方法,所述金属络合物具有芳族和/或杂芳族配体,涉及金属络合物以及涉及包含这些金属络合物的电子器件,尤其是有机电致发光器件。在所述方法中,金属络合物的对映异构体的混合物与光学活性硼化合物反...