化学放大型正型光致抗蚀组合物以及使用了其的图案形成方法技术

本发明专利技术提供一种可形成具有优异的截面形状的图案的正型化学放大型光致抗蚀组合物与使用了其的图案形成方法。一种正型化学放大型光致抗蚀组合物、以及使用了其的图案形成方法，该正型化学放大型光致抗蚀组合物包含：(A)与酸进行反应而使得相对于碱性水溶液的溶解度增加的聚合物、(B)有机溶剂、(C)包含不具有极性基团的阳离子的第一光酸产生剂、以及(D)包含具有极性基团的阳离子的第二光酸产生剂。

Chemically amplified positive photoresist composition and pattern forming method using it

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】化学放大型正型光致抗蚀组合物以及使用了其的图案形成方法
本专利技术涉及在半导体器件(device)和/或半导体集成电路等的制造中使用的化学放大型正型光致抗蚀组合物以及使用了该化学放大型正型光致抗蚀组合物的图案形成方法。
技术介绍
想要利用光刻法(lithographymethod)而形成微细的图案的情况下，在抗蚀材料方面要求高的分辨率。应对于这样的要求，有人使用包含基体树脂与光酸产生剂(以下，有时会称为PAG)的化学放大型抗蚀组合物。例如，关于正型化学放大型抗蚀组合物，包含了在酸的作用下相对于碱水溶液的溶解度增加的树脂成分、以及在曝光了的情况下生成酸的PAG，在形成抗蚀图案之时，在利用曝光由PAG生成了酸的情况下，曝光的部分变为碱可溶性。一般而言，关于利用刻蚀法而获得的膜，可分类为50～900nm左右的所谓的抗蚀薄膜与1μm以上的抗蚀厚膜。其中，抗蚀厚膜用于制造半导体器件、微机械(micromachine)、注入掩模(implantmask)等，因此在所使用的抗蚀组合物方面要求高分辨率以及高灵敏度，另外在所制造的图案方面要求精度。而且，近来，伴随着半导体器件的小型化等，人们要求更高精本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化学放大型正型光致抗蚀组合物，其包含：(A)与酸进行反应而使得相对于碱性水溶液的溶解度增加的聚合物、(B)有机溶剂、(C)选自由XA‑ZA、XB‑ZA、XB‑ZB、XB‑ZC、以及XC‑ZA组成的组中的第一光酸产生剂、以及(D)选自由XA‑ZB以及XC‑ZB组成的组中的第二光酸产生剂：此处，XA由下式表示，R

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.01.04 JP 2017-0002701.一种化学放大型正型光致抗蚀组合物，其包含：(A)与酸进行反应而使得相对于碱性水溶液的溶解度增加的聚合物、(B)有机溶剂、(C)选自由XA-ZA、XB-ZA、XB-ZB、XB-ZC、以及XC-ZA组成的组中的第一光酸产生剂、以及(D)选自由XA-ZB以及XC-ZB组成的组中的第二光酸产生剂：此处，XA由下式表示，RXA-I+-RXA(XA)式中，RXA为烷基芳基，各个RXA可以相同也可不同，XB由下式表示，式中，RXB分别独立地为非取代芳基、烷基取代芳基、芳基取代芳基、芳基硫基取代芳基、芳氧基取代芳基、非取代烷基、芳基取代烷基、芳基硫基取代烷基、或者芳氧基取代烷基，XC由下式表示，式中，RXC分别独立地为非取代芳基、烷基取代芳基、芳基取代芳基、芳基硫基取代芳基、芳氧基取代芳基、烷基氧基取代芳基、羟基芳基、烷基氧基烷基取代芳基、羧酸酯基取代芳基、酰氧基取代芳基、非取代烷基、芳基取代烷基、芳基硫基取代烷基、烷基氧基取代烷基、羟基烷基、羧酸酯基取代烷基、或者酰氧基取代烷基，RXC之中的至少一个是烷基氧基取代芳基、羟基芳基、羧酸酯基取代芳基、酰氧基取代芳基、烷基氧基取代烷基、羟基烷基、羧酸酯基取代烷基、或者酰氧基取代烷基，ZA由下式表示，RZAS03-(ZA)式中，RZA为氟取代烷基、氟取代烷基醚基、氟取代芳基、氟取代酰基、或者氟取代烷氧基芳基，ZB由下式表示，式中，RZB分别独立地为氟取代烷基、氟取代烷基醚基、氟取代芳基、氟取代酰基、或者氟取代烷氧基芳基，另外，2个RZB不结合或相互结合而形成氟取代的杂环结构，ZC由下式表示，式中，RZC为氢原子、烷基、烷氧基、或者羟基，LZC为氧基或者羰基氧基，XZC分别独立地为氢原子或者氟原子，nZC1为0～10，且nZC2为0～21，并且其中XA、XB、或者XC的正电荷与ZA、ZB或者ZC的...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木理人，河户俊二，高市哲正，明石一通，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE