本发明涉及包含至少一种聚合物和至少一种盐的组合物以及包含所述组合物的电致发光器件。具体地，本发明涉及包含至少一种聚合物和至少一种盐的组合物，其中所述聚合物含有三芳基胺重复单元，涉及所述组合物的制造方法以及所述组合物在电子器件中、特别是在...

本发明涉及包含至少一种超支化聚合物和至少一种有机溶剂的制剂，所述超支化聚合物含有30至70mol％的至少一种空穴传输重复单元A、5至30mol％的至少一种支化重复单元B、5至30mol％的至少一种其它重复单元C和5至40mol％的至少一...

本申请涉及一种制造聚环烯烃层的方法、通过这样的方法制成并包含这样的层的电子器件，以及用于制造这样的聚环烯烃层的制剂。以及用于制造这样的聚环烯烃层的制剂。

本发明涉及用作BTK抑制剂的1

本发明涉及一种光致抗蚀剂组合物，其包含聚合物、光致产酸剂、包含单元EO和单元PO的(C)化合物以及溶剂。并且本发明涉及一种用于制造光致抗蚀剂涂层、经蚀刻的光致抗蚀剂涂层以及经蚀刻的含硅层的方法。并且，本发明涉及一种用于制造器件的方法。用...

本发明涉及一种使用式I：R1‑

本发明涉及一种制剂和通过使用这些制剂制备的电致发光器件，所述制剂含有至少一种有机功能材料和至少三种不同的有机溶剂，所述至少三种不同的有机溶剂选自至少两种不同的有机溶剂A和至少一种有机溶剂B，其中至少一种有机溶剂A的沸点在250～350℃...

[问题]本发明涉及一种埋设具有狭窄的宽度以及高的高宽比的沟、并且能够实现厚膜化的新型的聚合物。[解决手段]一种嵌段共聚物，其包含：具有含5个以上硅的聚硅烷骨架的直链或环状的嵌段A，和具有含20个以上硅的聚硅氮烷骨架的嵌段B。

本发明涉及作为IRAK抑制剂的通式I所示的化合物及药学上可接受的组合物。

本发明涉及包含茚并咔唑衍生物的有机电致发光器件。

本发明涉及一种包含电子传输性主体和空穴传输性主体的组合物、涉及所述组合物在电子器件中的用途以及涉及包含所述组合物的电子器件。所述电子传输性主体最优选地选自三嗪‑二苯并呋喃‑芴基体系的类别或选自三嗪‑二苯并噻吩‑芴基体系的类别。所述空穴传...

本公开涉及用双功能融合蛋白靶向TGF‑β抑制的剂量方案，用于治疗未经治疗患者中的癌症或抑制所述患者中肿瘤生长的方法。

本发明涉及用于电子器件的材料。具体地，本发明涉及根据式(1)的化合物，所述化合物适用于电子器件中，特别适用于有机电致发光器件中。

本发明涉及产品的防伪保护领域。具体地，本发明涉及包括物理不可克隆功能PUF的复合安全标记、包括这种复合安全标记的物理对象及其提供方法，以及用于读取标记的对应方法和读取器设备。特别地，无限制地，这种读取器设备可以与多组件安全系统，特别是防...

本发明涉及用于电子器件的材料。具体地，本发明涉及化合物、组合物，涉及包含要求保护的化合物和组合物的制剂，和涉及包含要求保护的化合物和组合物的光电器件。

本发明涉及电子器件。具体地，本发明涉及一种含有特定式的呫吨或噻吨化合物的电子器件。该电子器件优选是有机电致发光器件(OLED)。本发明还涉及特定的呫吨或噻吨化合物本身及其在前述的器件中的用途，及其制造方法。

本发明涉及作为IRAK抑制剂的通式I所示的化合物及药学上可接受的组合物。

本申请涉及芴基胺化合物，其在电子器件中的用途，以及用于制备所述化合物的合成方法。

本发明涉及用于OLED中的含硼化合物。具体地，本发明涉及具有式(I)或(II)的双环结构单元的含硼化合物，和涉及含有所述化合物的电子器件，特别是有机电致发光器件，例如OLED。

本发明涉及用于OLED中的含硼化合物。具体地，本发明涉及具有式(I)或(II)的双环结构单元的含硼化合物，和涉及含有所述化合物的电子器件，特别是有机电致发光器件，例如OLED。