本发明涉及适合用于电子器件中的式(1)的化合物以及电子器件，尤其是包含这些化合物的有机电致发光器件。X在每次出现时相同或不同地为CR或N，或两个相邻的X代表下式(2)的基团，其中，虚线键表示该基团在式(1)中的结合，条件是：式(1)的化...

本申请涉及用于电子器件中的化合物，该化合物的制备方法，以及包含该化合物的电子器件。

本发明涉及稠合的N‑杂芳族化合物，这些化合物的制备方法，以及含有所述化合物的电子器件。

本发明涉及适合用于电子器件的化合物，并且涉及包含这些化合物的电子器件、尤其是有机电致发光器件。

本发明涉及式(I)化合物、制备所述化合物的方法和含有至少一种式(I)化合物的电子器件。

本发明涉及一种电子器件、其用途及其制造方法。

本发明提供一种能够形成填充具有高纵横比的沟槽并与基板具有优异亲和性的非晶硅牺牲膜的新颖的非晶硅牺牲膜的制备方法和用于形成非晶硅的组合物。一种非晶硅牺牲膜的制备方法，包括：(i)通过光照射和/或加热包含5个以上硅的环状聚硅烷或包含该环状聚...

提供一种与基板的亲和性高、埋入性优异且能够使膜厚度增加的用于形成非晶硅的组合物。[解决手段]一种用于形成非晶硅的组合物，包含：(a)嵌段共聚物，其具有含有5个以上硅的聚硅烷骨架的直链和/或环状嵌段A和具有含有20个以上硅的聚硅氮烷骨架的...

[课题]提供一种新型聚硅氧烷化合物，其在形成固化膜的情况下，能够形成提高基板与固化膜之间的粘合性的固化膜。[解决手段]提供经由丙烯酸类聚合单元键合分子中的特定结构的丙烯酸类聚合的聚硅氧烷和包含该聚硅氧烷的组合物。

本申请涉及用于电子器件的化合物、制备所述化合物的方法以及包含所述化合物的电子器件。

本发明涉及用于电子器件的材料、制备所述材料的方法以及含有所述材料的电子器件。

本申请涉及适合用于对电子器件中包含的电极进行改性的自组装单层以及此类电子器件。本申请还涉及在电极上沉积这种自组装单层的方法以及相应器件的制造。方法以及相应器件的制造。方法以及相应器件的制造。

本发明涉及可用于制造电子器件的功能层，尤其是用于电子器件的化合物。本发明还涉及一种制备根据本发明的化合物的方法以及包含其的电子器件。

提供一种能够抑制在形成硅质膜的过程中产生空隙的聚硅氧烷组合物。一种聚硅氧烷组合物，包含：聚硅氧烷，第一酸解离常数pKa

本发明涉及聚合物，所述聚合物具有至少一种下式(I)的重复单元，其中Ar

本发明涉及可以用于有机电子器件中作为活性化合物，特别是用于电子器件中的化合物。本发明还涉及用于制备根据本发明的化合物的方法，以及包含所述化合物的电子器件。

本发明涉及：式(1)的化合物，所述化合物适合用于电子器件、特别是有机电致发光器件中；制备式(1)的化合物的方法；用于制备式(1)的化合物的中间体化合物；以及包含式(1)的化合物的电子器件。的电子器件。

本发明涉及以通式(I)表示的稠合的咪唑并吡啶化合物及其药学上可接受的组合物，它们可用作BTK抑制剂。用作BTK抑制剂。用作BTK抑制剂。

本发明涉及一种用于形成具有至少两种不同的像素类型的电子器件的有机元件的方法，所述像素类型包括第一像素类型(像素A)和第二像素类型(像素B)，

本发明涉及一种杂环螺环化合物。具体地，本发明涉及一种具有电子传导基团的螺环化合物，和涉及含有所述化合物的电子器件，特别是有机电致发光器件。有机电致发光器件。