本发明涉及双核、三核和四核金属络合物，并且涉及包含这些金属络合物的电子器件，特别是有机电致发光器件。

本申请涉及适合用于电子器件中的式(I)的胺化合物。

本发明涉及适用于电子器件、特别是有机电致发光器件中的式(1)化合物，并且涉及包含这些化合物的电子器件。

本发明涉及适用于电子器件、特别是有机电致发光器件中的式(1)化合物，并且涉及包含这些化合物的电子器件。

本申请涉及一种适用于电子器件中的根据式(I)、(II)或(III)的胺化合物。

本发明涉及适合用于电子器件、特别是有机电致发光器件的式(1)化合物，以及包含这些化合物的电子器件。

本发明涉及用于制备有机电致发光器件用材料的合成结构单元。具体地，本发明涉及如下化合物，所述化合物适合作为制备用于有机电致发光器件中的电子活性材料的合成前体。

本发明涉及含有至少一种有机功能材料和至少第一有机溶剂和第二有机溶剂的制剂，其中所述第一有机溶剂是金刚烷衍生物；以及通过使用这些制剂制备的电子器件。

本发明涉及适用于有机电致发光器件中、特别是作为发光体的铱络合物。式(1)、(2)、(3)。V

本发明涉及一种用于电子器件的材料。具体地，本发明涉及具有呈现电子传导和空穴传导基团的特定空间排列的功能取代基的三环化合物，涉及包含所述功能取代基的器件，以及涉及其制造和用途。

一种特异性抗原结合成员(ABM)，包含特异性抗原结合部分和包含CH2结构域的抗体Fc区域，其经工程化在位置108和/或113处进行半胱氨酸取代，其中根据IMGT进行编号，并且其中抗体Fc区域不包含抗原结合CH3结构域的；以及一种ABM缀...

提供了通过原子层沉积和/或化学气相沉积形成含钌膜的方法。所述方法包括：将至少一种前体和无氧共反应物，比如肼或烷基肼，递送到基材以形成含钌膜，其中该至少一种前体的结构对应于式I：(L)Ru(CO)

本发明涉及适用于电子器件中的化合物，并且涉及包含所述化合物的电子器件、尤其是有机电致发光器件。

本发明涉及用于电子器件的组合物。具体地，本发明涉及用于电子器件的包含有机功能材料混合物的组合物和制剂。

本发明提供一种感光性硅氧烷组合物，其可形成具有期望的锥度以及线宽的图案。[手段]一种感光性硅氧烷组合物，其包含聚硅氧烷、光活性剂、以及溶剂，所述聚硅氧烷具有由以下的式(ia’)表示的结构：

一个目的是提供一种可以形成精细的抗蚀剂图案并保持它们的抗蚀剂组合物。另一个目的是提供一种负型剥离抗蚀剂组合物，其可以减少由该组合物制成的抗蚀剂图案的缺陷。本发明的另一个目的是提供一种负型剥离抗蚀剂组合物，由该组合物制成的抗蚀剂图案的可去...

本发明涉及包含特定的双极性主体和联三苯叉衍生物的组合物、所述组合物在电子器件中的用途以及包含所述组合物的电子器件。

一个目的是提供一种具有良好耐热性的化合物。本发明的另一个目的是提供一种涂层，该涂层具有较小的膜收缩性，良好的间隙填充性能和良好的平坦性。本发明提供了乙炔基衍生的复合物和包含其的组合物。并且，本发明提供了用其制造涂层的方法以及制造器件的方法。

本申请涉及根据特定式的硅杂芴衍生物。所述硅杂芴衍生物可用于电子器件中。此外，本申请涉及用于制备所述硅杂芴衍生物的方法和包含所述硅杂芴衍生物的电子器件。

本发明涉及杂环化合物，特别是用于电子器件的杂环化合物。本发明还涉及本发明化合物的制备方法，以及包含所述化合物的电子器件。