乙炔基衍生的复合物、包含其的组合物、通过其制造涂层的方法以及制造包含该涂层的器件的方法技术

一个目的是提供一种具有良好耐热性的化合物。本发明专利技术的另一个目的是提供一种涂层，该涂层具有较小的膜收缩性，良好的间隙填充性能和良好的平坦性。本发明专利技术提供了乙炔基衍生的复合物和包含其的组合物。并且，本发明专利技术提供了用其制造涂层的方法以及制造器件的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】乙炔基衍生的复合物、包含其的组合物、通过其制造涂层的方法以及制造包含该涂层的器件的方法
本专利技术涉及乙炔基衍生的复合物和包含其的组合物。并且，本专利技术涉及用其制造涂层的方法和制造器件(device)的方法。
技术介绍
在器件(例如半导体器件)的制造过程中，通常采用使用光致抗蚀剂(以下简称为“抗蚀剂”)的光刻技术来进行精细处理。精细处理包括以下步骤：在诸如硅晶片的半导体衬底上形成薄光致抗蚀剂层；用与目标器件的图案相对应的掩模图案覆盖该层；通过掩模图案使该层暴露于诸如紫外线的活化光下；使已曝光的层显影以获得光致抗蚀剂图案；使用获得的光致抗蚀剂图案作为保护涂层来蚀刻衬底，从而形成与上述图案相对应的精细凹凸。由于近年来半导体的高集成度和三维化，需要在经加工以具有精细凹凸图案的衬底上进一步涂覆层并重复加工。可以将抗蚀剂组合物和其他层组合物以液态形式涂覆在衬底上，并且可以通过辐射、加热等进行固化以获得抗蚀剂涂层和其他涂层。抗蚀剂涂层和其他涂层在这种高精度的环境中进行层压，并且就某些性能(例如成膜、避免与另一层相互混合等)要求高质本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.乙炔基衍生的复合物，包含单元A和单元B，其中/n单元A由式(1)表示，/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171220 EP 17208939.31.乙炔基衍生的复合物，包含单元A和单元B，其中
单元A由式(1)表示，



Ar是C6-41芳烃环，
R1是氢，卤素，氰基，未取代的C1-6烷基，取代有至少一个从C1-6烷基、卤素和氰基中选出的取代基的C1-6烷基，未取代的C3-20芳环，或取代有至少一个从C1-6烷基、卤素和氰基中选出的取代基的C3-20芳环，
R2和R3各自独立地是氢，卤素，氰基，未取代的C1-6烷基，取代有至少一个从C1-6烷基、卤素和氰基中选出的取代基的C1-6烷基，未取代的C3-20芳环，或取代有至少一个从C1-6烷基、卤素和氰基中选出的取代基的C3-20芳环，
R4是C1-6烷基、卤素或氰基，
n1是整数，n1≥1，
n2是0、1、2、3或4，
单元B由式(2)表示，



环Cy1是C5-6脂环族化合物，
Ph1和Ph2各自独立地为C6-10芳烃环，分别包括环Cy1中相邻的2个碳，
R5和R6各自独立地是氢，卤素，氰基，未取代的C1-6烷基，或取代有至少一个从卤素和氰基中选出的取代基的C1-6烷基，
虚线是键合到乙炔基衍生的复合物另一部分的直接键，
R7、R8和R9各自独立地是氢，未取代的C1-6烷基，取代有至少一个从卤素或氰基中选出的取代基的C1-6烷基，未取代的C6-16芳烃，取代有至少一个从卤素或氰基中选出的取代基的C6-16芳烃，连接至乙炔基衍生的复合物另一部分的未取代的C1-6亚烷基，连接至乙炔基衍生的复合物另一部分的取代有至少一个从卤素或氰基中选出的取代基的C1-6亚烷基，或键合到乙炔基衍生的复合物另一部分的直接键，
n3和n4各自独立地是0、1、2、3或4，并且
n5是0或1。


2.根据权利要求1的乙炔基衍生的复合物，其中P1和P2各自独立地为苯基或萘基，并且n3和n4为0。


3.根据权利要求1或2的乙炔基衍生的复合物，其中
Ar是苯基，萘基，芴，菲，苝或9,9-二苯基芴，
R1、R2和R3是氢，
n1是1或2，并且
n2为0。


4.一种组合物，其包含根据权利要求1至3中一项或多项的乙炔基衍生的复合物，以及溶剂。
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【专利技术属性】
技术研发人员：中杉茂正，滨祐介，柳田浩志，关藤高志，松浦裕里子，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE