用于OLED中的含硼化合物制造技术

本发明专利技术涉及用于OLED中的含硼化合物。具体地，本发明专利技术涉及具有式(I)或(II)的双环结构单元的含硼化合物，和涉及含有所述化合物的电子器件，特别是有机电致发光器件，例如OLED。

【技术实现步骤摘要】
用于OLED中的含硼化合物本专利技术专利申请是国际申请号为PCT/EP2014/002493，国际申请日为2014年9月16日，进入中国国家阶段的申请号为201480054533.6，专利技术名称为“用于OLED中的含硼化合物”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及用于OLED中的含硼化合物。具体地，本专利技术涉及适合用于电子器件中的含硼化合物。本专利技术还涉及其制备方法和涉及电子器件。
技术介绍
含有有机半导体、有机金属半导体和/或聚合物半导体的电子器件正日益变得重要，并且出于成本的原因和由于它们的性能正在很多商业产品中使用。这里的实例包括影印机中的有机类电荷传输材料(例如三芳基胺类空穴传输体)，读出和显示装置中的有机或聚合物发光二极管(OLED或PLED)，或者影印机中的有机光感受器。有机太阳能电池(O-SC)、有机场效应晶体管(O-FET)、有机薄膜晶体管(O-TFT)、有机集成电路(O-IC)、有机光学放大器和有机激光二极管(O-laser)处于发展的高级阶段并且可能具有重大的未来意义。不管各自的最终用途如何，这本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含硼化合物，其包含至少一种式(II)的结构/n

【技术特征摘要】
20131002 EP 13004765.71.一种含硼化合物，其包含至少一种式(II)的结构



其中所使用的符号如下：
X1，X3，X4，X5，X6，X8，X9，X10，X12，X13，X15，X16在每种情况下相同或不同并且是CR2或C-Z，其中X1、X3、X4、X5、X6、X8、X9、X10、X12、X13、X15、X16基团中的至少一个是C-Z；
X2、X7、X11和X14基团是式CR2的基团；
Y是键；
Y1在每种情况下相同或不同并且是键或选自如下的二价桥连基：O、N(R3)；
R3在每种情况下相同或不同并且是H，D，F，Cl，Br，I，CHO，C(＝O)Ar1，P(＝O)(Ar1)2，S(＝O)Ar1，S(＝O)2Ar1，CN，NO2，Si(R4)3，B(OR4)2，OSO2R4，具有1至40个碳原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有3至40个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，所述基团中的每个可以被一个或多个R4基团取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可以被R4C＝CR4、C≡C、Si(R4)2、Ge(R4)2、Sn(R4)2、C＝O、C＝S、C＝Se、P(＝O)(R4)、SO、SO2、O、S或CONR4代替并且其中一个或多个氢原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或者具有5至40个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系中的每个可以被一个或多个R4基团取代，或者具有5至40个芳族环原子并且可以被一个或多个R4基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团，或这些体系的组合；同时，两个或更多个相邻的R2或R3取代基也可以彼此形成单环或多环的脂族或芳族环系；
R2在每种情况下相同或不同并且是H，D，F，Cl，I，CHO，C(＝O)Ar1，P(＝O)(Ar1)2，S(＝O)Ar1，S(＝O)2Ar1，CN，NO2，B(OR4)2，OSO2R4，具有1至40个碳原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有3至40个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，所述基团中的每个可以被一个或多个R4基团取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可以被C≡C、Si(R4)2、Ge(R4)2、Sn(R4)2、C＝O、C＝S、C＝Se、P(＝O)(R4)、SO、SO2、O、S或CONR4代替并且其中一个或多个氢原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或者具有5至40个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系中的每个可以被一个或多个R4基团取代，或者具有5至40个芳族环原子并且可以被一个或多个R4基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团，或这些体系的组合；同时，两个或更多个相邻的R2或R3取代基也可以彼此形成单环或多环的脂族或芳族环系；
R4在每种情况下相同或不同并且是H，D，F，Cl，Br，I，CHO，C(＝O)Ar1，P(＝O)(Ar1)2，S(＝O)Ar1，S(＝O)2Ar1，CN，NO2，Si(R5)3，B(OR5)2，OSO2R5，具有1至40个碳原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有3至40个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，所述基团中的每个可以被一个或多个R5基团取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可以被C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、P(＝O)(R5)、SO、SO2、O、S或CONR5代替并且其中一个或多个氢原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或这些体系的组合；同时，两个或更多个相邻的R4取代基也可以彼此形成单或多环的脂族或芳族环系；
Ar1在每种情况下相同或不同并且是具有5至30个芳族环原子并可以被一个或多个R3基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，与同一磷原子键合的两个Ar1基团也可以通过单键或选自B(R5)、C(R5)2、Si(R5)2、C＝O、C＝NR5、C＝C(R5)2、O、S、S＝O、SO2、N(R5)、P(R5)和P(＝O)R5的桥连基彼此连接；
R5在每种情况下相同或不同并且是H，D，F或者具有1至20个碳原子的脂族、芳族和/或杂芳族烃基基团，其中氢原子也可以被F代替；同时，两个或更多个相邻的R5取代基一起也可以形成单环或多环的脂族或芳族环系；
Z是式(III)的基团



其中所使用的符号如下：
Ar2，Ar3在每种情况下相同或不同并且是具有5至30个芳族环原子并可以被一个或多个R3基团取代的...

【专利技术属性】
技术研发人员：菲利普·施特塞尔，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE