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科磊股份有限公司专利技术
科磊股份有限公司共有1155项专利
用于工件中的缺陷检测的设备及方法技术
本发明揭示一种用于工件中的缺陷检测的设备及方法。提供至少一个光源,且所述光源产生所述工件在其处是透明的波长范围的照明光。相机通过透镜使来自所述工件的至少一个面的所述光成像于所述相机的检测器上。平台用于移动所述工件,且用于使用所述相机使所...
用于转换背侧表面粗糙度为前侧覆盖的系统及方法技术方案
本发明公开一种用于基于形状数据估计样本上的前侧覆盖的系统。所述系统包含特性化子系统及控制器。所述控制器包含一或多个处理器,所述一或多个处理器经配置以:生成真空卡盘的真空孔图;基于所述真空卡盘的所述经生成真空孔图生成跨样本的真空力分布;基...
用于跟踪具有可配置焦点偏移的样本表面的自动聚焦系统技术方案
本发明公开一种自动聚焦系统。所述系统包含照明源。所述系统包含孔径。所述系统包含投影掩模。所述系统包含检测器组合件。所述系统包含中继系统,所述中继系统经配置以将透射穿过所述投影掩模的照明光学地耦合到成像系统。所述中继系统还经配置以将一或多...
结合X射线计量数据集合以改进参数评估的方法及系统技术方案
本发明呈现用于基于在关键过程步骤之前及之后的测量数据测量复杂半导体结构的方法及系统。在一些实施例中,所述测量是基于x射线散射测量数据。在一个方面中,测量是基于将经结合测量数据拟合到所述经测量结构的简化几何模型。在一些实施例中,所述经结合...
用于半导体应用的可学习缺陷检测制造技术
本发明提供用于半导体应用的可学习缺陷检测方法及系统。一种系统包含深度度量学习缺陷检测模型,其经配置以用于将样品的测试图像及对应参考图像投影到潜在空间中,确定在所述潜在空间中所述测试图像的一或多个不同部分与所述对应参考图像的对应部分之间的...
用于检验的缺陷候选生成制造技术
本发明提供用于检测样本上的缺陷候选的系统及方法。一种方法包含在完成样本的至少一大部分的扫描之后,将一或多个分割方法应用到在所述扫描期间生成的输出的至少大部分以借此生成所述输出的两个或更多个区段。所述方法还包含单独检测所述输出的所述两个或...
将绝对Z高度值用于工具之间的协同作用制造技术
本公开揭示一种半导体复查工具,其接收半导体晶片的绝对Z高度值,例如具有斜角边缘的半导体晶片的绝对Z高度值。所述绝对Z高度值可由半导体检验工具确定。所述半导体复查工具在基于所述绝对Z高度值的Z高度内复查所述半导体晶片。可将焦点调整为在所述...
测量测试样本的电性质的方法技术
本方法可用于测量用在(例如)嵌入式MRAM存储器中的磁隧道结的电性质。本方法使用具有用于接触测试样本的指定区域的多个探针尖端的多点探针,所述指定区域与测试样本的待测试的部分电绝缘。电连接件放置在所述磁隧道结下面且到达所述指定区域。面且到...
用于半导体应用的参考图像产生制造技术
本发明提供用于产生用于对样品执行的过程中的参考图像的方法及系统。一种系统包含经配置以接收由实际系统针对样品产生的输出的虚拟系统,所述样品中的每一者具有形成于其上的相同类型的装置区域。所述虚拟系统经配置以基于由所述实际系统中的至少两者针对...
用于光学三维形貌测量的方法及系统技术方案
本申请实施例涉及用于光学三维形貌测量的方法及系统。针对物体的表面的三维形貌测量,通过物镜将图案化照明投影于所述表面上。在所述物体与所述物镜之间进行相对移动,且由检测器通过所述物镜记录所述表面的多个图像。所述相对移动的方向包含相对于所述物...
使用内嵌缺陷信息的裸片筛选制造技术
本文中的实施例包含使用内嵌缺陷信息进行裸片筛选的方法、系统及设备。此类实施例可包含:接收多个缺陷;接收多个裸片的晶片分检电气数据;将所述缺陷中的每一者分类为所关注缺陷或妨害;确定所述所关注缺陷中的每一者的所关注缺陷置信度;确定含有所述所...
半导体装置中参数稳定的错位测量改善制造方法及图纸
一种参数稳定的错位测量改善系统及方法包含:提供选自希望相同的一批晶片的晶片,包含形成在其上的多个多层半导体装置;使用错位计量工具来使用多个测量参数集在所述晶片的至少第一层与第二层之间的多个位点处测量错位,借此针对所述测量参数集中的每一者...
用于计量学中的经改进自叠纹光栅设计制造技术
本发明公开一种使用于计量学中的光栅,其包含周期性结构,所述周期性结构包含具有间距P的多个单元,所述多个单元中的至少一个单元包含:至少第一周期性子结构,其具有小于所述间距P的第一子间距P1;及至少第二周期性子结构,其与所述至少一个单元内的...
利用空间变化极化转子及极化器进行敏感性粒子检测制造技术
一种暗场检验系统可包含:照射源,其用以产生照射束;照射光学器件,其经配置以将所述照射束沿着照射方向以离轴角度引导到样本;聚光光学器件,其用以在暗场模式中响应于所述照射束而聚集来自所述样本的散射光;极化转子,其位于一或多个聚光光学器件的光...
偏移测量的动态改善制造技术
本发明涉及一种动态偏移测量改善方法,其包含:在第一半导体装置晶片上的多个位点处进行至少一次偏移测量,所述第一半导体装置晶片选自旨在为相同的一批次半导体装置晶片;分析所述偏移测量中的每一者;使用来自所述偏移测量中的每一者的所述分析的数据来...
半导体处理设备中的稀有气体的收集及再循环制造技术
本发明公开一种例如用于半导体处理设备的处理腔室,其与回收单元连接。所述回收单元包含用于缓冲气体的第一存储槽及用于稀有气体的第二存储槽。两个存储槽与所述回收单元中的柱体连接。所述回收单元及处理腔室可作为闭合系统操作。所述稀有气体可按可变流...
用于平整化弯曲半导体晶片的真空压紧设备制造技术
本发明公开一种适用于将晶片保持在所要位置及定向中的真空压紧设备,所述设备包含:真空卡盘组合件,其界定具有真空连通孔隙的真空卡盘表面;文氏管(venturi)真空产生器,其相对于所述真空卡盘组合件固定且经由所述真空连通孔隙与所述真空卡盘表...
光学色散的多维模型制造技术
本文中提出用于在生产流程早期基于多维光学色散(MDOD)模型从样本的光学测量估计所关注参数值的方法及系统。MDOD模型依据基本光学色散模型外部的参数描述包括被测量结构的材料的光学色散。在一些实例中,幂律模型描述所述外部参数与所述基本光学...
以带电粒子束系统进行高速热点或缺陷成像技术方案
本申请实施例涉及以带电粒子束系统进行高速热点或缺陷成像。一种检验工具包含控制器,所述控制器经配置以产生电子束的扫描模式以使晶片上的所关注区域成像。所述扫描模式最小化所述电子束在所述晶片的表面上所述所关注区域之间的驻留时间。可基于所述所关...
用于测试图像与设计对准的设计文件选择制造技术
本发明提供用于选择一或多个设计文件以供在测试图像与设计对准中使用的方法及系统。一种方法包含通过将第一及第二组图像与针对样品产生的测试图像进行比较而识别所述第一及第二组图像中的哪一组图像最佳匹配所述测试图像。所述第一及第二组图像分别包含所...
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