使用内嵌缺陷信息的裸片筛选制造技术

本文中的实施例包含使用内嵌缺陷信息进行裸片筛选的方法、系统及设备。此类实施例可包含：接收多个缺陷；接收多个裸片的晶片分检电气数据；将所述缺陷中的每一者分类为所关注缺陷或妨害；确定所述所关注缺陷中的每一者的所关注缺陷置信度；确定含有所述所关注缺陷中的至少一者的所述裸片中的每一者的裸片退回指数；确定裸片退回指数切割线；及产生上墨图。所述缺陷中的每一者可与所述多个裸片中的裸片相关联。所述裸片中的每一者可被标记为通过晶片分检电气测试或未通过所述晶片分检电气测试。将所述缺陷中的每一者分类为所关注缺陷或妨害可使用缺陷分类模型完成，所述缺陷分类模型可包含机器学习。可将所述上墨图以电子方式传递到上墨系统。式传递到上墨系统。式传递到上墨系统。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用内嵌缺陷信息的裸片筛选
[0001]相关申请案的交叉参考
[0002]本申请案主张2019年3月27日申请的第62/824,900号美国临时申请案的优先权，所述申请案的全部公开内容以引用的方式并入本文中。


[0003]本公开大体上涉及晶片检验。更特定来说，本公开大体上涉及减少晶片检验中的误宰(overkill)。

技术介绍

[0004]在半导体行业中，存在用于筛选出具有致命缺陷的高风险的裸片的当前方法。此类方法是重要的，因为其有助于防止具有致命缺陷的裸片从制造进入到供应链中的下一步骤。然而，此类现存方法必须平衡效率与有效性，且因而存在改进空间。大多数供货商试图改进其供货商质量指数，其中行业目标是零缺陷。为此，可降低裸片的早期故障率(EFR)。
[0005]致命缺陷可导致半导体装置的故障(malfunction/failure)，而非致命缺陷基本上不影响半导体装置的性能。例如，致命缺陷可a)具有亚微米大小；b)将单个掩模层级的元件(例如金属或门堆叠浇道)短接在一起或在这些相同层级下产生开口；及c)可使用内嵌检验工具(例如检验SEM)检验。
[0006]存在降低裸片的早期故障率的一些系统。当前，一些晶片厂及无生产线工厂(fabless shop)使用类似零件平均测试(PAT)的方法。在PAT中，概念是识别高风险裸片(在规格内的裸片但其在统计上不同于其它裸片的正态总体)。地理PAT(G
‑
PAT)是对PAT的改进，其基于裸片与其它故障裸片的地理近接性而判断裸片的适合性。G
‑
PAT具有变体，好裸片坏邻居(good
‑
die bad
‑
neighborhood)，其增加缺陷倾向于聚集的经验理解。参数PAT(P
‑
PAT)涉及定义临界电气测试参数，且正态分布的离群点被视为待消除的可疑者。
[0007]一些工厂可使用来自内嵌检验的缺陷大小作为准则以确定是否应筛选出裸片。
[0008]在许多工厂中，使用上墨过程来划分筛选出的裸片。在此过程中，将指定哪些裸片将筛选出(涂墨)的晶片图发送到上墨系统。上墨系统将可见墨水标记放置于将被筛选出的裸片上。以此方式，这些“经涂墨”裸片可从制造过程移除，这是因为其被视为故障裸片。因此，制造商可不在其认为已发生故障或可能过早发生故障的裸片上花费另外时间、能量及资源。
[0009]然而，这些系统仅使用具有最小缺陷信息的电气数据。这通常导致误宰，即，筛选出良好且通过电气测试、可能不会在所述领域中发生故障及可能不会在应力测试中的过度燃烧下发生故障的裸片。误宰导致晶片厂的收益损失及半导体供货商可靠性指数(以百万分率(ppm)测量)的降级。
[0010]还存在基于前述测试方案的测试覆盖率的未知因素。其覆盖率通常仅为裸片的完整功能性的60％到80％。这是用于筛选出裸片的信息中存在大差距的证据。
[0011]因此，需要用于筛选出裸片以进行上墨的改进系统。

技术实现思路

[0012]下文是提供对本专利技术的初步理解的简化概述。所述概述未必识别关键元素，也不限制本专利技术的范围，而仅充当对下列描述的介绍。
[0013]在第一实施例中提供一种方法。所述方法可包括：接收多个缺陷；接收多个裸片的晶片分检(wafersort)电气数据；将所述缺陷中的每一者分类为所关注缺陷或妨害；确定所述所关注缺陷中的每一者的所关注缺陷置信度；确定含有所述所关注缺陷中的至少一者的所述裸片中的每一者的裸片退回指数；确定裸片退回指数切割线(cutline)；及产生上墨图。
[0014]在第二实施例中提供一种系统。所述系统可包括检验工具、电子数据存储单元及处理器。
[0015]所述检验工具可包含粒子发射器、载物台及检测器。所述粒子发射器可经配置以在粒子束中发射粒子，例如光子或电子。所述载物台可经配置以将晶片固持于由所述粒子发射器发射的所述粒子束的路径中。所述检测器可经配置以检测由所述晶片反射的所述粒子的一部分且可产生具有多个裸片的晶片图像。
[0016]所述电子数据存储单元可经配置以存储配方。所述配方可包含缺陷分类模型。
[0017]所述处理器可与所述检验工具及所述电子数据存储单元电子通信。所述处理器可经配置以：针对所述晶片接收多个缺陷；接收多个裸片的晶片分检电气数据；将所述缺陷中的每一者分类为所关注缺陷或妨害；确定所述所关注缺陷中的每一者的所关注缺陷置信度；确定含有所述所关注缺陷中的至少一者的所述裸片中的每一者的裸片退回指数；确定裸片退回指数切割线；及产生上墨图。
[0018]在第三实施例中提供一种非暂时性计算机可读存储媒体。所述非暂时性计算机可读存储媒体可包括用于在一或多个计算装置上执行步骤中的一或多个程序。所述步骤可包含：接收多个缺陷；接收多个裸片的晶片分检电气数据；将所述缺陷中的每一者分类为所关注缺陷或妨害；确定所述所关注缺陷中的每一者的所关注缺陷置信度；确定含有所述所关注缺陷中的至少一者的所述裸片中的每一者的裸片退回指数；确定裸片退回指数切割线；及产生上墨图。
[0019]在实施例中，所述缺陷中的每一者可与所述多个裸片中的裸片相关联。所述裸片中的每一者可被标记为通过晶片分检电气测试或未通过所述晶片分检电气测试。将所述缺陷中的每一者分类为所关注缺陷或妨害可使用缺陷分类模型完成。可存在被分类为所关注缺陷的多个缺陷。
[0020]所述上墨图可表示具有高风险故障裸片的晶片。所述高风险故障裸片可为具有超过所述裸片退回指数切割线的裸片退回指数的裸片，且所述高风险故障裸片可被标记为未通过所述晶片分检电气测试。所述上墨图可组成电子文件，其可经配置以输入到裸片上墨系统中。所述电子文件可为SINF文件。
[0021]可进一步提供误宰。所述误宰可为高风险故障裸片的数量对被标记为通过所述晶片分检电气测试的裸片的数量之比。在一些实施例中，处理器可提供所述误宰。在一些其它实施例中，所述一或多个程序可提供所述误宰。
[0022]所述缺陷分类模型可为机器学习模型。所述机器学习模型可使用随机森林或XGBoost建构。
[0023]所述裸片退回指数可包括含于所述给定裸片上的所述缺陷中的每一者的所述所关注缺陷置信度的总和。此可为针对含有所述所关注缺陷中的至少一者的所述裸片中的每一者。
[0024]所述裸片退回指数切割线可包括所述裸片退回指数的几何平均值。
[0025]可进一步将所述电子文件以电子方式发送到裸片上墨系统。在一些实施例中，可进一步由所述处理器将所述电子文件以电子方式发送到与所述处理器电子通信的裸片上墨系统。
附图说明
[0026]为更完全理解本公开的性质及目的，应参考结合附图进行的以下详细描述，其中：
[0027]图1A说明第一分级(bin)分检晶片图；
[0028]图1B说明第一堆叠缺陷晶片图；
[0029]图1C说明第一所关注缺陷置信度晶片图；
[0030]图1D说明第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，其包括：接收多个缺陷，所述缺陷中的每一者与多个裸片中的裸片相关联；接收所述多个裸片的晶片分检电气数据，其中所述裸片中的每一者被标记为通过晶片分检电气测试或未通过所述晶片分检电气测试；使用缺陷分类模型将所述缺陷中的每一者分类为所关注缺陷或妨害，其中存在多个所关注缺陷；确定所述所关注缺陷中的每一者的所关注缺陷置信度；确定含有所述所关注缺陷中的至少一者的所述裸片中的每一者的裸片退回指数；确定裸片退回指数切割线；及产生表示具有高风险故障裸片的晶片的上墨图，其中所述高风险故障裸片是具有超过所述裸片退回指数切割线的裸片退回指数的裸片且被标记为未通过所述晶片分检电气测试。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括提供误宰，其中所述误宰是高风险故障裸片的数量对被标记为通过所述晶片分检电气测试的裸片的数量之比。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述缺陷分类模型是使用随机森林或XGBoost建构的机器学习模型。4.根据权利要求1所述的方法，其中针对含有所述所关注缺陷中的至少一者的所述裸片中的每一者，所述裸片退回指数包括含于其上的所述所关注缺陷中的每一者的所述所关注缺陷置信度的总和。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述裸片退回指数切割线包括所述裸片退回指数的几何平均值。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述上墨图组成经配置以输入到裸片上墨系统中的电子文件。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述电子文件是SINF文件。8.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括将所述电子文件以电子方式发送到所述裸片上墨系统。9.一种系统，其包括：检验工具，其包含：粒子发射器，其经配置以在粒子束中发射粒子；载物台，其经配置以将晶片固持于由所述粒子发射器发射的所述粒子束的路径中；及检测器，其经配置以检测由所述晶片反射的所述粒子的一部分且产生具有多个裸片的晶片图像；电子数据存储单元，其经配置以存储包含缺陷分类模型的配方；及处理器，其与所述检验工具及所述电子数据存储单元电子通信，所述处理器经配置以针对所述晶片：接收多个缺陷，所述缺陷中的每一者与所述多个裸片中的裸片相关联；接收所述多个裸片的晶片分检电气数据，其中所述裸片中的每一者被标记为通过晶片分检电气测试或未通过所述晶片分检电气测试；使用缺陷分类模型将所述缺陷中的每一者分类为所关注缺陷或妨害，其中存在多个所
关注缺陷；确定所述所关注缺陷中的每一者的所关注缺陷置信度；确定含有所述所关注缺陷中的至少一者的所述裸片中的每一者的裸片退回指数；确定裸片退回指数切割线；及产生表示具有高风险故障裸片...

【专利技术属性】
技术研发人员：林璿正，G，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：