使用主要光学模式扫描一或多个半导体晶片或其部分以识别缺陷。使用电子显微镜选择并检视多个所述经识别缺陷，包含第一类别的缺陷及第二类别的缺陷。基于此检视，将所述多个缺陷的相应缺陷分类为所述第一类别或所述第二类别的缺陷。使用多个辅助光学模式使...

本发明揭示用于检测半导体样本上的缺陷的设备及方法。首先使用光学检验器以用经选择以检测在跨半导体样本的对应位置处的候选缺陷及扰乱点位点的积极预定义的阈值检验所述样本。高分辨率分布式探针检验器包含相对于所述样本移动以扫描及获得每一位点的高分...

本发明实施例可包含用于校正电子束工具的响应函数的方法、系统及设备。所述校正可包含：调制具有频率的电子束参数；基于所述电子束参数朝向样本发射电子束，由此将电子散射，其中所述电子束由具有源相位及着陆角度的源波函数描述；在电子检测器处检测所述...

本发明公开一种用于缺陷重检及分类的系统。所述系统可包含控制器，其中所述控制器可经配置以接收样品的一或多个训练图像。所述一或多个训练图像包含多个训练缺陷。所述控制器可进一步经配置以将多个差值滤波器应用到所述一或多个训练图像，且接收指示所述...

一种计量系统可包含耦合到计量工具的控制器。所述控制器可接收计量目标设计，所述计量目标设计包含通过利用光刻工具在样本上曝光出第一曝光场而形成的至少一第一特征及通过利用所述光刻工具在所述样本上曝光出第二曝光场而形成的至少一第二特征，其中所述...

本文中呈现用于测量晶体管沟道结构的光学性质并将所述光学性质与应变状态联系起来的方法及系统。对紧密模拟部分制造的实际装置结构的计量目标执行应变的光学散射测量。在一个方面中，基于沿着及跨越半导体沟道的所测量光谱的差异，采用光学散射测量来测量...

本申请实施例涉及用于确定缺陷数据的充分性以用于分类的方法和设备。缺陷分类包含：获取样本的一或多个图像；接收基于一或多个训练缺陷的一或多个属性对一或多个训练缺陷的手动分类；基于所述经接收的手动分类和所述一或多个训练缺陷的所述属性产生整体学...

本申请的实施例涉及功率可扩展的非线性光波长转换器。一种系统包含非线性晶体，所述非线性晶体经定位使得激光光束的焦点在所述非线性晶体外部处于垂直于所述激光光束的光束传播方向的至少一个平面中。所述非线性晶体安置于晶体座组合件中。可将激光光束引...

公开一种具有多个金属涂层的悬臂式探针。所述悬臂式探针包含至少一个探针销。第一金属涂层安置于所述探针销的尖端上，且第二金属涂层安置于所述探针销的根部上。所述第二金属涂层接触所述第一金属涂层，且包括比所述第一金属涂层更软(更柔性)的金属。

本发明提供散射术重叠SCOL测量方法、系统及目标以实现具有裸片中目标的有效SCOL计量。方法包括通过以下项产生信号矩阵：以至少一个照明参数的多个值且在SCOL目标上的多个光点位置照明所述目标，其中所述照明是以产生光点直径<...

传感器单元可安置于支撑部件中。所述传感器单元中的每一者可包含：折叠柔性板，其具有多个层压片；及光圈；以及传感器，其安置于所述折叠柔性板中使得所述传感器定位于所述光圈上方。可在用于半导体晶片的宽带等离子体检查工具中使用系统。工具中使用系统...

使用来自计量工具的测量，可确定所述计量工具上的工具设置的组合。接着可确定候选者，且可针对所述候选者中的每一者产生响应表面模型。然后可依据所述响应表面模型来确定提供最大响应且对噪声源最不敏感的所述工具设置的所述候选者的列表。所述候选者的所...

使用光学显微镜检验半导体裸片以产生所述半导体裸片的测试图像。导出所述半导体裸片的所述测试图像与参考图像之间的差异图像。针对所述半导体裸片的多个缺陷中的每一缺陷，将点扩散函数拟合到如在所述差异图像中指示的所述缺陷且确定所述经拟合点扩散函数...

基于针对多个光学模式、检测算法和属性的所关注缺陷和扰乱点事件的工作转储，识别前述内容的最佳组合。可针对在零偏移下检测的全部所述所关注缺陷，比较所述模式中的每一者与所述检测算法中的每一者的组合。可针对所述组合中的每一者中的所述属性中的一者...

图像中的可能缺陷的热图可表示为对应于每一像素的缺陷概率指数的矩阵。所述图像可自从扫描电子显微镜或其它检验工具的检测器接收的数据产生。可量化所述图像中的超过所述矩阵中的对应阈值的像素的数目。

本发明揭示一种暗场检验系统，其可包含：照明源，其用于产生照明光束；一或多个照明光学器件，其用于将所述照明光束沿着照明方向按离轴角引导到样本；检测器；一或多个集光光学器件，其用于基于响应于所述照明光束从所述样本收集的光在所述检测器上产生所...

本发明公开一种用于特性化样品的系统。在一个实施例中，所述系统包含控制器，所述控制器经配置以：接收所述样品的一或多个缺陷的训练图像；基于所述训练图像生成机器学习分类器；接收样品的一或多个缺陷的产品图像；运用所述机器学习分类器确定一或多个缺...

本申请实施例涉及热点及工艺窗监测。本申请提供计量叠加目标以及监测工艺缺点的方法。目标包括周期性结构，所述周期性结构中的至少一者包括沿着所述周期性结构的对应分段方向的重复不对称元件。举例来说，可以不同方式将所述元件的不对称性设计为沿着垂直...

本申请实施例涉及成像计量工具中的光学系统及成像叠加计量工具中的光学系统。本发明提供计量工具及方法，其估计对应于从周期性目标上的光散射产生的不同衍射级的形貌相位的效应，及调整测量条件以改进测量准确度。在成像中，可通过基于对比函数行为的分析...

本申请实施例涉及光学系统。本发明提供计量工具及方法，其估计对应于从周期性目标上的光散射产生的不同衍射级的形貌相位的效应，及调整测量条件以改进测量准确度。在成像中，可通过基于对比函数行为的分析选择适当测量条件、改变照明条件(减小光谱宽度及...