本技术公开了一种基于HTRB试验的功率器件和散热片的安装机构，涉及HTRB试验技术领域。本技术包括散热片本体、器件本体和长尾夹，散热片本体包括散热区和安装区，器件本体通过长尾夹固定在安装区上，长尾夹的脊部内侧与安装区的外边缘处贴合，长尾...

本实用新型涉及一种改善卧式高温扩散炉炉内气流分布的石英炉帽，属于集成电路或分立器件芯片制造技术领域。包括炉帽，所述炉帽顶部开设排气孔，所述排气孔上连接排气管，使得排气管与炉帽内腔连通；作业时，所述排气管出气口朝向扩散炉排风方向。所述排气...

本实用新型涉及一种适用于石英炉管外观检查的支架，属于集成电路或分立器件制造技术领域。包括两移动小车，两所述移动小车之间对称设有伸缩杆，所述伸缩杆驱动两移动小车相对靠近或相对远离；所述移动小车顶部分别开设用于放置石英炉管的置物槽。所述移动...

本发明提出一种用于半导体分立器件芯片测试的台盘及使用方法,台盘包括：上层盘、下层盘及台盘固定支架；上层盘与下层盘由边框结合为一体，边框周边设置多个固定螺孔和多个排气孔；上层盘、下层盘及所述边框围成密封空间；所述排气孔用于连接真空泵；上层...

本发明公开了三极管产品晶圆黑边不打点的版图结构及其制造方法。三极管产品晶圆黑边不打点的版图结构，包括芯片有效管芯区，所述芯片有效管芯区为晶圆的中心区域，当晶圆为5寸晶圆时，所述芯片有效管芯区是一直径为120

本实用新型涉及一种适用于硅片无蜡抛光的夹具，属于集成电路或分立器件制造技术领域。包括抛光头和陶瓷盘，所述陶瓷盘设于抛光头下方，所述抛光头上对称设有锁销，所述抛光头与陶瓷盘通过锁销固定连接；所述陶瓷盘外周设有抛光垫，所述抛光垫底部对称开设...

本实用新型涉及一种简易、高效、稳定的光刻匀胶胶泵系统，属于集成电路制造技术领域。包括液罐，所述液罐连接气管，所述气管上设有数显调压阀，所述数显调压阀通过PLC系统与胶泵home信号连锁，所述数显调压阀控制液罐内的压力，并对其压力进行监控...

本实用新型涉及一种提升晶圆曝光质量的装置，属于集成电路制造技术领域。包括承片台，所述承片台设有mask板，所述mask板与承片台之间形成间隙，为工作腔体；晶圆设于承片台上，所述晶圆上盖设掩模版，所述掩模版搭设于mask板上；所述工作腔体...

本实用新型涉及一种淀积设备高效率保养装置，属于集成电路制造技术领域。包括底板，所述底板上设有腐蚀盖板，所述腐蚀盖板底部开设凹槽，所述腐蚀盖板边缘支撑于底板上，所述凹槽与底板之间的间隙作为腐蚀腔；所述腐蚀盖板上压设压紧块；所述腐蚀盖板上开...

本实用新型涉及一种半导体扩散炉湿氧氧化工艺用高效率气路连接系统，属于半导体技术领域。包括氢氧合成氧化单元和湿氧氧化单元，所述氢氧合成氧化单元和湿氧氧化单元出口分别与炉管连通，关闭所述氢氧合成氧化单元，打开所述湿氧氧化单元，实现湿氧氧化工...

本实用新型涉及一种提高卧式扩散炉非悬臂桨作业下进出舟稳定性的锁扣装置，属于集成电路或分立器件芯片制造技术领域。包括固定底座，所述固定底座与机械手固定连接，所述固定底座上开设孔凹槽，推拉棒一端底部设于所述孔凹槽内，所述推拉棒一端顶部露出孔...

本实用新型涉及一种半导体离子注入机设备排风监测集成系统，属于半导体离子注入设备技术领域。所述离子注入机设备包括若干机体，若干所述机体上分别连接排风管道，所述排风管道内分别设有风压测试表；所述机体上分别设有信号触发器，所述风压测试表与信号...

本实用新型涉及一种涂胶轨道工作腔体的排风风速测量装置，属于半导体设备技术领域。包括排风传导桶，所述排风传导桶罩设于涂胶工作腔体上，所述涂胶工作腔体顶部具有排风口，使得所述排风传导桶与涂胶工作腔体相贯通；所述排风传导桶上设有风速测试仪，对...

本实用新型涉及一种非悬臂桨作业下实现串级控温的卧式扩散石英炉管，属于集成电路或分立器件芯片制造技术领域。包括炉管，所述炉管内穿设水平布置的套管，所述套管一端为密封端，所述套管另一端为开口端，所述套管开口端设有profile热电偶，所述p...

本发明公开了一种MOSFET器件终端结构和制作方法，终端结构包括元胞区，以及围绕元胞区的终端区，终端区包括沟槽分压环和掺杂截止环，沟槽分压环和掺杂截止环都位于衬底之上；沟槽分压环，位于终端区靠近元胞区的一端且向远离元胞区的另一端延伸，包...

本发明公开了一种NPN型数字晶体管芯片结构的制造方法，其包括如下步骤：选取一N型衬底，形成N型外延层，生长一层二氧化硅氧化层；二氧化硅氧化层上面再次匀上一定厚度的光刻胶，通过光刻掩膜版曝光后开出发射区窗口，同时带胶进行发射区磷注入工艺；...

本发明公开了一种多重调制型终端结构的快恢复二极管及其制造方法。一种多重调制型终端结构的二极管，包括从下至上依次设置衬底以及外延层，外延层的顶部中央设置有源区，有源区的外围设置有三个分压环，位于最外侧的分压环的外围连接有P

本发明公开了一种高压混合型沟槽肖特基二极管结构及其制造方法。一种高压混合型沟槽肖特基二极管结构，包括N型衬底以及生长在衬底上表面的外延层，外延层上刻蚀出沟槽结构，沟槽结构包括内外设置的内区以及外区，内区的沟槽为交叉设置的原胞内部T型交叉...

本发明公开了评估芯片物理承压能力的测试装置及其测试方法，包括手摇式数显压力测试机、晶体特性图示仪和两根导体连接线；将手摇式数显压力测试机的金属压杆、不锈钢测试平台分别用导体连接线和晶体特性图示仪的基极、集电极插孔相连；手动摇动手摇式滚轮...

本发明提供一种高压无串扰达林顿晶体管器件及其制备方法，采用组合终端结构有效避免了电场终端边缘集中效应，有效的提升了器件击穿电压，保障电压达到850V以上；T1和T2管之间设置有N型隔离截止条结构，有效的抑制了高压达林顿晶体管的放大串扰异...