一种提升晶圆曝光质量的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种提升晶圆曝光质量的装置，属于集成电路制造技术领域。包括承片台，所述承片台设有mask板，所述mask板与承片台之间形成间隙，为工作腔体；晶圆设于承片台上，所述晶圆上盖设掩模版，所述掩模版搭设于mask板上；所述工作腔体与氮气管路和真空管路连通；所述氮气管路上设有三通电磁阀，所述真空管路上设有二通电磁阀；所述三通电磁阀和二通电磁阀分别与选择开关电连接，所述选择开关拨至接触式曝光时，氮气经氮气管路流入工作腔体，且工作腔体内的空气经真空管路抽离；所述选择开关拨至接近式曝光时，氮气经真空管路流入工作腔体底部。本申请一键切换，操作便捷，保证作业腔体保留了氮气，防止设备受损；提高了晶圆的曝光质量。曝光质量。曝光质量。

【技术实现步骤摘要】
一种提升晶圆曝光质量的装置


[0001]本技术涉及一种提升晶圆曝光质量的装置，属于集成电路或分立器件芯片制造


技术介绍

[0002]光刻是一种重要的基本工艺，其工艺技术质量是影响产品性能、可靠性及成品率的关键因素之一。光刻技术的稳定性、可靠性对产品的质量和成本有着重要影响，对光刻工艺的稳定性进行研究对产品质量有着重要的意义。光刻工艺涉及到复杂的光化学反应，曝光工艺直接影响着最终图形的质量。影响曝光的因素较为繁杂，其中设备是关键因素之一，需要不断进行验证改善。
[0003]目前，PLA501光刻机有两种曝光方式：即接触式和接近式，两种方式通过设备面板上的按钮可实现互相切换，其中采用接近式曝光的晶圆，易产生显影不清的问题，经过DOE研究发现与曝光机氮气管吹气到晶圆表面相关。氮气管路的作用：接触式光刻作业结束后掩模版与晶圆快速分离。如果没有此氮气吹入腔体，那么掩模版和晶圆两个相对平行、间距仅10μm的平面就会因为大气压力的作用，无法快速分离。晶圆及下面的承片台会无法跟随间隙单元及时下降，导致间隙单元降到位后承片台与晶圆掉落，撞击到间本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提升晶圆曝光质量的装置，其特征在于：包括承片台，所述承片台边缘设有mask板，所述mask板与承片台之间形成间隙，作为工作腔体；晶圆设于承片台上，所述晶圆上盖设掩模版，所述掩模版搭设于mask板上；所述工作腔体分别与氮气管路和真空管路连通；所述氮气管路上设有三通电磁阀，所述真空管路上设有二通电磁阀；所述三通电磁阀和二通电磁阀分别与选择开关电连接，所述选择开关拨至接触式曝光时，氮气经氮气管路流入工作腔体，且工作腔体内的空气经真空管路抽离；所述选择开关拨至接近式曝光时，氮气经真空管路流入工作腔体底部。2.根据权利要求1所述的一种提升晶圆曝光质量的装置，其特征在于：所述三通电磁阀出口分别连接接触式氮气管路和接近式氮气管路，所述接触式氮气管路与工...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈礼梅，马成鸿，陈林，顾军魏，
申请(专利权)人：江苏新顺微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：