一种提升晶圆曝光质量的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种提升晶圆曝光质量的装置，属于集成电路制造技术领域。包括承片台，所述承片台设有mask板，所述mask板与承片台之间形成间隙，为工作腔体；晶圆设于承片台上，所述晶圆上盖设掩模版，所述掩模版搭设于mask板上；所述工作腔体与氮气管路和真空管路连通；所述氮气管路上设有三通电磁阀，所述真空管路上设有二通电磁阀；所述三通电磁阀和二通电磁阀分别与选择开关电连接，所述选择开关拨至接触式曝光时，氮气经氮气管路流入工作腔体，且工作腔体内的空气经真空管路抽离；所述选择开关拨至接近式曝光时，氮气经真空管路流入工作腔体底部。本申请一键切换，操作便捷，保证作业腔体保留了氮气，防止设备受损；提高了晶圆的曝光质量。曝光质量。曝光质量。

【技术实现步骤摘要】
一种提升晶圆曝光质量的装置


[0001]本技术涉及一种提升晶圆曝光质量的装置，属于集成电路或分立器件芯片制造


技术介绍

[0002]光刻是一种重要的基本工艺，其工艺技术质量是影响产品性能、可靠性及成品率的关键因素之一。光刻技术的稳定性、可靠性对产品的质量和成本有着重要影响，对光刻工艺的稳定性进行研究对产品质量有着重要的意义。光刻工艺涉及到复杂的光化学反应，曝光工艺直接影响着最终图形的质量。影响曝光的因素较为繁杂，其中设备是关键因素之一，需要不断进行验证改善。
[0003]目前，PLA501光刻机有两种曝光方式：即接触式和接近式，两种方式通过设备面板上的按钮可实现互相切换，其中采用接近式曝光的晶圆，易产生显影不清的问题，经过DOE研究发现与曝光机氮气管吹气到晶圆表面相关。氮气管路的作用：接触式光刻作业结束后掩模版与晶圆快速分离。如果没有此氮气吹入腔体，那么掩模版和晶圆两个相对平行、间距仅10μm的平面就会因为大气压力的作用，无法快速分离。晶圆及下面的承片台会无法跟随间隙单元及时下降，导致间隙单元降到位后承片台与晶圆掉落，撞击到间隙单元上，对损伤设备较大。若作业接近式晶圆时，拔除氮气管路，可有效解决显影不清问题，但是频繁插拔不仅会对设备产生影响，还会存在误操作风险。

技术实现思路

[0004]本技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种提升晶圆曝光质量的装置，操作便捷，最大限度降低误操作；既能保证作业腔体留有保护氮气，防止设备受损，又能保证吹入的氮气并不会直吹晶圆表面，避免显影不清，提高晶圆的曝光质量。
[0005]本技术解决上述问题所采用的技术方案为：一种提升晶圆曝光质量的装置，包括承片台，所述承片台边缘设有mask板，所述mask板与承片台之间形成间隙，作为工作腔体；晶圆设于承片台上，所述晶圆上盖设掩模版，所述掩模版搭设于mask板上；所述工作腔体分别与氮气管路和真空管路连通；所述氮气管路上设有三通电磁阀，所述真空管路上设有二通电磁阀；所述三通电磁阀和二通电磁阀分别与选择开关电连接，所述选择开关拨至接触式曝光时，氮气经氮气管路流入工作腔体，且工作腔体内的空气经真空管路抽离；所述选择开关拨至接近式曝光时，氮气经真空管路流入工作腔体底部。
[0006]所述三通电磁阀出口连接接触式氮气管路和接近式氮气管路，所述接触式氮气管路与工作腔体连通，所述接近式氮气管路与真空管路连通。
[0007]所述真空管路包括第一真空管路和第二真空管路，所述二通电磁阀设于第一真空管路上，所述第一真空管路、第二真空管路和接近式氮气管路通过三通接头连通，所述二通电磁阀控制第二真空管路交替与第一真空管路或接近式氮气管路连通。
[0008]所述选择开关包括接触式触点和接近式触点，拨至所述接触式触点时为接触式曝
光，所述接触式氮气管路导通；拨至所述接近式触点时为接近式曝光，所述接近式氮气管路导通。
[0009]所述第二真空管路设于工作腔体底部。
[0010]与现有技术相比，本技术的优点在于：一种提升晶圆曝光质量的装置，通过选择开关联动三通电磁阀和二通电磁阀动作，一键切换，操作便捷，最大限度减少了做错工艺的可能性。既能保证作业腔体保留了氮气，防止设备受损；又能保证吹入的氮气并不会直吹晶圆表面，提高了晶圆的曝光质量。
附图说明
[0011]图1为本技术实施例一种提升晶圆曝光质量的装置的示意图；
[0012]图中1选择开关、2三通电磁阀、3二通电磁阀、4电磁阀控制线路、5接触式氮气管路、6第一真空管路、7三通接头、8掩模版、9mask板、10工作腔体、11承片台、12晶圆、13接近式氮气管路、14第二真空管路。
具体实施方式
[0013]以下结合附图实施例对本技术作进一步详细描述。
[0014]如图1所示，本实施例中的一种提升晶圆曝光质量的装置，包括承片台11，mask板9支撑于承片台11边缘，mask板9与承片台11之间形成环状的间隙，作为工作腔体10。晶圆12设于承片台11顶面，晶圆12上盖设掩模版8，且掩模版8外沿搭设于mask板9上。工作腔体10分别与氮气管路和真空管路连通。氮气管路上设有三通电磁阀2，三通电磁阀2出口分别连接接触式氮气管路5和接近式氮气管路13。真空管路上设有二通电磁阀3，真空管路为二段式结构件：第一真空管路6和第二真空管路14，两者之间通过三通接头7连接，三通接头7另一接口连接接近式氮气管路13。二通电磁阀3设于第一真空管路6上，第二真空管路14出口端设于工作腔体10底部。三通电磁阀2和二通电磁阀3通过电磁阀控制线路4与选择开关1电连接。选择开关1包括接触式触点和接近式触点，选择开关1拨至接触式触点时为接触式曝光，选择开关1拨至接近式触点时为接近式曝光。接触式触点与三通电磁阀2电连接，接近式触点与二通电磁阀3电连接。当选择开关1拨至接触式触点时，三通电磁阀2中AC导通、BC截止，二通电磁阀3中ED导通，即接触式氮气管路5导通，第一真空管路6与第二真空管路14导通，氮气经接触式氮气管路5流入工作腔体10，氮气促使晶圆完成曝光后掩模版8与晶圆12快速分离，并将工作腔体10的空气经真空管路抽离。当选择开关1拨至接近式触点时，三通电磁阀2中BC导通、AC截止，二通电磁阀3中ED截止，即接近式氮气管路导通，且与第二真空管路连通，氮气经接近式氮气管路流入第二真空管路后汇至工作腔体底部，使得吹入的氮气并不会直吹晶圆，避免了作业的晶圆显影后存在显影不清异常。
[0015]本申请通过选择开关联动三通电磁阀和二通电磁阀动作，一键切换，操作便捷，最大限度减少了做错工艺的可能性。既能保证作业腔体保留了氮气，防止设备受损；又能保证吹入的氮气并不会直吹晶圆表面，提高了晶圆的曝光质量。
[0016]除上述实施例外，本技术还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本技术权利要求的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提升晶圆曝光质量的装置，其特征在于：包括承片台，所述承片台边缘设有mask板，所述mask板与承片台之间形成间隙，作为工作腔体；晶圆设于承片台上，所述晶圆上盖设掩模版，所述掩模版搭设于mask板上；所述工作腔体分别与氮气管路和真空管路连通；所述氮气管路上设有三通电磁阀，所述真空管路上设有二通电磁阀；所述三通电磁阀和二通电磁阀分别与选择开关电连接，所述选择开关拨至接触式曝光时，氮气经氮气管路流入工作腔体，且工作腔体内的空气经真空管路抽离；所述选择开关拨至接近式曝光时，氮气经真空管路流入工作腔体底部。2.根据权利要求1所述的一种提升晶圆曝光质量的装置，其特征在于：所述三通电磁阀出口分别连接接触式氮气管路和接近式氮气管路，所述接触式氮气管路与工...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈礼梅，马成鸿，陈林，顾军魏，
申请(专利权)人：江苏新顺微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：