本发明公开了一种以氧杂蒽烯为核心的化合物及其应用，属于半导体技术领域，所述以氧杂蒽烯为核心的化合物的结构如通式(1)所示：

本发明公开了一种以蒽酮衍生物为核心的化合物及其在OLED器件中的应用，本发明化合物的母核与支链均为电子型基团，具有很高的电子传输速率，可以作为电子传输型材料，提升电子的传输和注入性能，较深的HOMO能级可以有效的阻挡空穴传输至电子传输层...

本发明公开了一种以酮和芴为核心的化合物、制备方法及其应用，属于半导体技术领域。本发明提供的化合物的结构如通式(I)所示：

本发明涉及一种基于三重态‑三重态湮灭(TTA)延迟荧光的有机电致发光器件，其中主体材料至少由一种有机化合物组成，且主体材料中的有机化合物具有TTA延迟荧光效果；其中客体材料为具有热活化延迟荧光效果的有机化合物，且客体材料的单线态能级低于...

本发明公开了一种OLED发光器件，包括第一电极、阳极界面缓冲层、空穴传输层、发光层和第二电极，阳极界面缓冲层覆盖于电极表面，空穴传输层邻接于界面缓冲层，所述阳极界面缓冲层含有传导空穴的主体材料和P掺杂材料，所述传导空穴主体材料的HOMO...

本发明涉及一种新型结构的有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括基板、位于基板之上的第一电极、位于第一电极之上的有机功能层以及位于有机功能层之上的第二电极。其中有机功能层至少包括阳极界面缓冲层，空穴传输层，有机发光层，电子传输层，其中...

本发明公开了一种高性能OLED发光器件，包括第一电极、阳极界面缓冲层、空穴传输层、发光层和第二电极，阳极界面缓冲层覆盖于电极表面，空穴传输层邻接于界面缓冲层，所述阳极界面缓冲层含有传导空穴的主体材料和P掺杂材料，所述传导空穴主体材料的H...

本发明涉及一种多光谱OLED器件，其由下至上依次包括第一电极、空穴传输区域、发光层、电子传输区域以及第二电极，其中空穴传输区域包括阳极界面缓冲层和空穴传输层，并且阳极界面缓冲层中传输空穴的主体材料的HOMO能级大于与其邻接的空穴传输层材...

本发明涉及一种以二苯并呋喃衍生物为核心的有机化合物及其应用，属于半导体技术领域，本发明提供化合物的结构如通式(1)所示：

本发明公开了一种以苯并[1,2‑b:5,4‑b’]二苯并呋喃为核心的化合物及其应用。本发明化合物含有苯并[1,2‑b:5,4‑b’]二苯并呋喃结构，具有很强的刚性，连接五元环并环或六元环并环或七元环并环后，具有分子间不易结晶、不易聚集、...

本发明公开了一种芳香胺化合物及其应用，属于半导体技术领域。本发明提供的芳香胺化合物的结构如通式(1)所示：

本发明涉及一种以三芳胺为核心的有机化合物及其制备方法和应用，属于半导体技术领域，本发明提供化合物的结构如通式(1)所示：

本发明公开了一种以苯并[1,2‑b:4,5‑b’]二苯并呋喃为核心的化合物及其应用，本发明提供的化合物的结构如通式(1)所示：

本发明公开了一种以苯并[1,2‑b:3,4‑b’]二苯并呋喃为核心的有机化合物及其制备方法和其应用，本发明提供的化合物的结构如通式(1)所示：

本发明公开了一种以苯并[1,2‑b:5,4‑b’]二苯并呋喃为核心，以二芳基胺基为支链的化合物及其应用，属于半导体技术领域。本发明提供的化合物的结构如通式(1)所示：

本发明涉及一种基于氮杂苯和蒽酮类结构的有机化合物及其在OLED器件上的应用，本发明化合物结构中同时含有氮杂苯和蒽酮类结构，具有较高的玻璃化温度和分子热稳定性；在可见光领域吸收低、折射率高，在应用于OLED器件的CPL层后，可有效提升OL...

本发明涉及一种基于三嗪和蒽酮类结构的有机化合物及其在OLED器件上的应用，本发明化合物具有较高的玻璃化温度和分子热稳定性；在可见光领域吸收低、折射率高，在应用于OLED器件的覆盖层(CPL)后，可有效提升OLED器件的光取出效率；本发明...

本发明公开了一种基于氮杂苯和苯并噁二唑的有机化合物及其应用，属于半导体技术领域。本发明提供的化合物的结构如通式(I)所示：

本发明公开了一种用于OLED的稠环化合物及其应用，该化合物的结构如通式(A)所示，本发明化合物以在芘或氮杂芘的环上进一步增加芳环或杂芳环所形成的稠环化合物为骨架，并引入其他芳香基团，从而使得本发明的稠环化合物具有深的HOMO能级和较高载...

本发明公开了一种含有蒽烯结构的化合物及其应用，属于半导体技术领域。本发明提供的化合物的结构如通式(1)所示：