一种有机电致发光器件制造技术

技术编号:23673894 阅读:79 留言:0更新日期:2020-04-04 19:00
本发明专利技术涉及一种新型结构的有机电致发光器件,所述有机电致发光器件包括基板、位于基板之上的第一电极、位于第一电极之上的有机功能层以及位于有机功能层之上的第二电极。其中有机功能层至少包括阳极界面缓冲层,空穴传输层,有机发光层,电子传输层,其中阳极界面缓冲层包括空穴传输主体材料以及P型掺杂材料,且空穴传输主体材料的HOMO能级大于空穴传输层材料的HOMO能级。

An organic electroluminescent device

【技术实现步骤摘要】
一种有机电致发光器件
本专利技术涉及半导体
,尤其是涉及一种有机电致发光器件及包括其的显示器。
技术介绍
近年来,有机电致发光二极管(OLED)已经被研究开发并广泛的应用于显示设备中。有机电致发光器件作为电流器件,当对其两端电极施加电压,并通过电场作用于有机层功能材料膜层中的正负电荷上,正负电荷进一步在有机发光层中复合,即产生有机电致发光。有机电致发光器件一般为多层结构,除了发光层之外的各种辅助功能层对器件性能同样起着至关重要的作用。合理的器件结构能够有效提高器件的性能,电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层和空穴注入层被广泛用来提高器件的性能。目前对有机电致发光器件提高性能的研究包括:降低器件的驱动电压、提高器件的发光效率、提高器件的使用寿命等。为了实现有机电致发光器件的性能的不断提升,不但需要有机电致发光器件结构和制备工艺的创新,更需要有机电致发光功能材料的不断研究和创新,制造出更高性能的有机电致发光功能材料。现有技术中,通常阳极界面缓冲层的HOMO能级小于或等于空穴传输层材料的HOMO能级。阳极界面缓冲层中的空穴传输主体材料与P型掺杂材料形成电荷转移态后,与空穴传输材料之间会形成较大HOMO能级势垒差,易在阳极界面缓冲层以及空穴传输层界面处形成聚集电荷,影响OLED器件的寿命,在显示面板中会影响整个OLED面板的使用寿命。因此,要改善OLED面板的显示效果和显示寿命,应努力提高单个有机电致发光器件的空穴注入效果,改善发光层内部载流子平衡度。一种新型的技术方案用以克服上述技术难题成为本领域技术人员致力于研究的方向。
技术实现思路
鉴于现有技术中的不足,本专利技术技术方案旨在提供一种具有改善的发光效率和使用寿命的有机电致发光器件及包括其的显示器。本专利技术的一个目的通过提供一种下述的有机电致发光器件而实现,一种有机电致发光器件,包括:基板;第一电极,设置于所述基板之上;有机功能层,设置于所述第一电极之上;第二电极,设置于所述有机功能层之上;其中有机功能层至少包括阳极界面缓冲层,空穴传输层,有机发光层,电子传输层;其特征在于,所述阳极界面缓冲层包括空穴传输主体材料以及P型掺杂材料,所述空穴传输主体材料的HOMO能级大于空穴传输层材料的HOMO能级。优选的,所述阳极界面缓冲层中空穴传输主体材料的HOMO能级与P型掺杂材料的LUMO能级差不大于0.4eV。优选的,所述阳极界面缓冲层中空穴传输主体材料的HOMO能级在5.40eV至5.62eV之间。优选的,所述阳极界面缓冲层中空穴传输主体材料的HOMO能级和空穴传输层材料的HOMO能级的差值不大于0.2eV。优选的,所述阳极界面缓冲膜层的膜厚为1nm至150nm,优选为1nm至10nm。优选的,所述空穴传输层的膜厚为1nm至150nm,优选为30nm至150nm。所述有机电致发光器件包括蓝色、绿色、红色或黄色有机发光材料层中的一种或多种组合;不同有机发光材料层可以横向或纵向叠加组合。所述有机电致发光器件可应用于显示面板中,在显示面板中所述基板可以为TFT背板;所述显示面板在包括多个器件的情况下,所述器件可以横向或纵向叠加组合。所述显示器包括各自具有蓝、绿、红三种颜色的有机发光材料层的器件中的一种或多种组合,所述器件各自具有相同或不同膜厚的空穴传输层,并且所述空穴传输层的材料相同或不同。需要说明的是,除了上述特征膜层以外,其他比如电子阻挡层,空穴阻挡层,电子传输层,电子注入层等特征膜层是否存在,不做特别限定;基于有机电致发光器件的特性需要以及工艺需要,可以选择使用或者不使用。本专利技术通过在有机电致发光器件的制备过程中,于第一电极界面形成阳极界面缓冲层。其中阳极界面缓冲层包含一个可以传导空穴的主体材料和一个深LUMO能级的P型掺杂材料,同时空穴传输主体材料的HOMO能级大于空穴传输材料的HOMO能级。本专利技术的技术核心在于,强调构成有机功能层的阳极界面缓冲层所使用的空穴传输主体材料的HOMO能级深于随后的空穴传输层材料的HOMO能级。一方面,阳极界面缓冲层因为传空穴的主体材料与P型掺杂材料之间的相互作用,可以使阳极与阳极界面缓冲层之间形成欧姆接触,极大的降低电极到有机功能膜层的注入势垒,提升电极到阳极界面缓冲层的空穴注入效率。另一方面,阳极界面缓冲层中空穴传输主体材料较之空穴传输层材料具有更深的HOMO能级,当空穴传输主体材料与P型掺杂材料间形成电荷转移态时,可以降低或消除缓冲膜层到空穴传输层材料膜层界面载流子传导势垒差,提升阳极界面缓冲层与空穴传输材料的界面稳定性,进而提升OLED显示面板像素点的驱动稳定性。为了能更进一步的了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
,请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图,其中附图仅供参考与说明用,并非用来对本专利技术加以限制。附图说明图1示意性地示出了本专利技术一个实施方案的有机电致发光器件的剖视图。图2-6示意性地示出了本专利技术中发光层组合结构图。具体实施方式在下文的描述中,给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而,对于本领域的技术人员而言显而易见的是,本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中,为了避免与本专利技术发生混淆,对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。在本专利技术的上下文中,除非另有说明,HOMO意指分子的最高占据轨道,而LUMO意指分子的最低空轨道。此外,在本专利技术的上下文中,所涉及到的HOMO以及LUMO均以正值来表示。在本专利技术的上下文中,两者的差值意指前者减去后者的差值,例如,文中使用的表述“阳极界面缓冲层中空穴传输主体材料的HOMO能级与P型掺杂材料的LUMO能级差不大于0.4eV”意思是阳极界面缓冲层中空穴传输主体材料的HOMO能级减去P型掺杂材料的LUMO能级之差不大于0.4eV,以及“阳极界面缓冲层中空穴传输主体材料的HOMO能级和空穴传输层材料的HOMO能级的差值不大于0.2eV”意思是阳极界面缓冲层中空穴传输主体材料的HOMO能级减去与空穴传输层材料的HOMO能级之差不大于0.2eV。本文中所列出的任何数值范围意指包括纳入所列范围内具有相同数值精度的全部子范围。例如,“1.0至10.0”意指包括在所列最小值1.0和所列最大值10.0之间的全部子范围(且包括1.0和10.0),也就是说,具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值的全部子范围。本文所列出的任何最大数值限制意指包括纳入本文的全部更小的数值限制,并且本文所列出的任何最小数值限制意指包括纳入本文的全部更大的数值限制。因此,申请人保留修改包括权利要求书的本说明书的权利,以明确描述落入本文明确描述的范围内的任何子范围。为了彻底理解本专利技术,将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构,以便阐释本专利技术的技术方案。为了改善有机电致发光器件的效率以本文档来自技高网
...

【技术保护点】
1.一种有机电致发光器件,包括:/n基板;/n第一电极,设置于所述基板之上;/n有机功能层,设置于所述第一电极之上;/n第二电极,设置于所述有机功能层之上;/n其中有机功能层至少包括阳极界面缓冲层,空穴传输层,有机发光层,电子传输层;其特征在于,/n所述阳极界面缓冲层包括空穴传输主体材料以及P型掺杂材料,/n所述阳极界面缓冲层内空穴传输主体材料的HOMO能级大于空穴传输层材料的HOMO能级。/n

【技术特征摘要】
20180927 CN 20181113198941.一种有机电致发光器件,包括:
基板;
第一电极,设置于所述基板之上;
有机功能层,设置于所述第一电极之上;
第二电极,设置于所述有机功能层之上;
其中有机功能层至少包括阳极界面缓冲层,空穴传输层,有机发光层,电子传输层;其特征在于,
所述阳极界面缓冲层包括空穴传输主体材料以及P型掺杂材料,
所述阳极界面缓冲层内空穴传输主体材料的HOMO能级大于空穴传输层材料的HOMO能级。


2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述阳极界面缓冲层中空穴传输主体材料的HOMO能级与P型掺杂材料的LUMO能级差不大于0.4eV。


3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述阳极界面缓冲层中空穴传输主体材料的HOMO能级在5.40eV至5.62eV之间。


4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述阳极界面缓冲层中空...

【专利技术属性】
技术研发人员:李崇赵鑫栋张兆超
申请(专利权)人:江苏三月光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1