多光谱OLED器件及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种多光谱OLED器件，其由下至上依次包括第一电极、空穴传输区域、发光层、电子传输区域以及第二电极，其中空穴传输区域包括阳极界面缓冲层和空穴传输层，并且阳极界面缓冲层中传输空穴的主体材料的HOMO能级大于与其邻接的空穴传输层材料的HOMO能级，这样可以降低或消除缓冲膜层到空穴传输层材料膜层界面载流子传导势垒，提升阳极界面缓冲层与空穴传输层材料的界面稳定性，进而提升多光谱OLED器件的效率以及驱动稳定性，从而使得该多光谱OLED器件具有高效率和长寿命。本发明专利技术还涉及一种制备所述多光谱OLED器件的方法。

Multispectral OLED device and its preparation

【技术实现步骤摘要】
多光谱OLED器件及其制备方法
本专利技术涉及有机半导体发光器件领域，更具体而言，涉及一种多光谱OLED器件及其制备方法。
技术介绍
近年来，有机电致发光二极管(OLED)已经被广泛的研究开发。OLED具有面光源、轻薄、柔性、透明等特点，可以广泛应用于下一代照明和显示领域，具有广阔的市场空间和巨大的应用前景。OLED器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场的驱动下，通过载流子的注入和复合导致发光。在一定的电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，并在发光层中相遇复合发光。多光谱OLED器件中，发光层通常是由两种及两种以上光色互补的发光材料组成，这就使得多光谱OLED相比于单色OLED具有更加复杂的器件结构，同时较为复杂的器件结构对于空穴的注入提出了更高的要求。已知现有的OLED器件中，阳极界面缓冲层中的空穴传输主体材料与P型掺杂材料形成电荷转移态后，与空穴传输材料之间会形成较大HOMO能级势垒差，易在阳极界面缓冲层以及空穴传输层界面处形成聚集电荷，影响OLED器件的效率和器件稳定性。因此，要改善OLED器件的显示效果和显示寿命，应努力提高单个发光像素单元的空穴注入效果，改善发光层内部载流子平衡度。一种新型的技术方案用以克服上述技术难题成为本领域技术人员致力于研究的方向。
技术实现思路
鉴于现有技术中的不足，本专利技术旨在提供一种具有高效率、长寿命的多光谱OLED器件及其制备方法，所得多光谱OLED器件可以有效提升其综合性能，并且制作方法简单。根据本专利技术的一个方面，提供一种多光谱OLED器件，其由下至上依次包括基板、第一电极、空穴传输区域、发光层、电子传输区域和第二电极，其中，所述空穴传输区域由下至上依次包括阳极界面缓冲层和空穴传输层，所述阳极界面缓冲层包括传输空穴的主体材料和P型掺杂材料，所述传输空穴的主体材料的HOMO能级大于邻接于阳极界面缓冲层的空穴传输层材料的HOMO能级，以及，所述发光层内同时存在两种或者两种以上不同发光颜色的有机发光材料，它们可以互补形成多光谱发光。优选地，所述阳极界面缓冲层中传输空穴的主体材料的HOMO能级与P型掺杂材料的LUMO能级差≤0.8eV，优选≤0.6eV，更优选≤0.4eV。优选地，所述阳极界面缓冲层中传输空穴的主体材料的HOMO能级范围在5.40eV至5.62eV之间，优选在5.44eV至5.60eV之间，更优选在5.47eV至5.58eV之间。优选的，所述阳极界面缓冲层中的主体材料的HOMO能级和与其邻接的空穴传输层材料的HOMO能级的差值＞0ev且≤0.2eV。优选的，所述发光层内至少存在两种或者两种以上发光材料；所述发光层中可以是绿色发光材料与黄色发光材料的双色组合，或绿色发光材料与红色发光材料的双色组合，或黄色发光材料与红色发光材料的双色组合，或绿色发光材料、黄色发光材料和红色发光材料的三色组合，或蓝色发光材料与黄色发光材料的双色组合，或蓝色发光材料与绿色发光材料的双色组合，或蓝色发光材料与红色发光材料的双色组合，或蓝色发光材料与绿色发光材料和红色发光材料的三色组合，或蓝色发光材料与绿色发光材料和黄色发光材料的三色组合，或蓝色发光材料与黄色发光材料和红色发光材料的三色组合，或蓝色发光材料与绿色发光材料、黄色发光材料和红色发光材料的四色组合。根据本专利技术的第二方面，提供一种制备如上所述的多光谱OLED器件的方法，包括在基板上由下至上相继层压第一电极、空穴传输区域、发光层、电子传输区域和第二电极，所述空穴传输区域即在第一电极上由下至上相继层压阳极界面缓冲层和空穴传输层形成，所述电子传输区域即在发光层上由下至上相继层压电子传输层和电子注入层形成，其中所述阳极界面缓冲层包括传输空穴的主体材料和P型掺杂材料，所述传输空穴的主体材料的HOMO能级大于邻接于阳极界面缓冲层的空穴传输层材料的HOMO能级，以及，所述发光层内同时存在两种或者两种以上不同发光颜色的有机发光材料，它们可以互补形成多光谱发光。本专利技术在于强调空穴传输区域中的阳极界面缓冲层所使用的传输空穴的主体材料的HOMO能级值大于随后邻接于阳极界面缓冲层的空穴传输层材料的HOMO能级值，并且阳极界面缓冲层中传输空穴的主体材料的HOMO能级与P型掺杂材料的LUMO能级差≤0.8eV，优选≤0.6eV，更优选≤0.4eV。一方面，阳极界面缓冲层因为传输空穴的主体材料与P型掺杂材料之间的相互作用，可以使阳极与阳极界面缓冲层之间形成欧姆接触，极大的降低电极到有机膜层的注入势垒，提升电极到有机材料的空穴注入效率。另一方面，阳极界面缓冲层中用于传输空穴的主体材料较之邻接的空穴传输层材料具有更大的HOMO能级值，当传输空穴的主体材料与P型掺杂材料形成电荷转移态时，可以降低或消除缓冲膜层到空穴传输层材料膜层界面载流子传导势垒差，提升阳极界面缓冲层与空穴传输层材料的界面稳定性，进而提升多光谱OLED器件的效率以及驱动稳定性。为了更进一步地说明本专利技术，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而其仅用于阐述本专利技术，而决不限制本专利技术的范围。附图说明图1示意性地示出了本专利技术一个实施方案的多光谱OLED器件的剖视图。图2-5示意性地示出了本专利技术中发光层组合的结构图。具体实施方式在本专利技术的上下文中，除非另有说明，HOMO意指分子的最高占据轨道，而LUMO意指分子的最低空轨道。此外，在本专利技术的上下文中，所涉及到的HOMO以及LUMO均以正值来表示。在本专利技术的上下文中，两者的差值意指前者减去后者的差值，例如，文中使用的表述“阳极界面缓冲层中传输空穴的主体材料的HOMO能级与P型掺杂材料的LUMO能级差≤0.8eV”意思是阳极界面缓冲层中传输空穴的主体材料的HOMO能级减去P型掺杂材料的LUMO能级之差≤0.8eV，以及“阳极界面缓冲层中传输空穴的主体材料的HOMO能级和与其邻接的空穴传输层材料的HOMO能级的差值≤0.2eV”意思是阳极界面缓冲层中传输空穴的主体材料的HOMO能级减去与其邻接的空穴传输层材料的HOMO能级之差≤0.2eV。本文中所列出的任何数值范围意指包括纳入所列范围内具有相同数值精度的全部子范围。例如，“1.0至10.0”意指包括在所列最小值1.0和所列最大值10.0之间的全部子范围(且包括1.0和10.0)，也就是说，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值的全部子范围。本文所列出的任何最大数值限制意指包括纳入本文的全部更小的数值限制，并且本文所列出的任何最小数值限制意指包括纳入本文的全部更大的数值限制。因此，申请人保留修改包括权利要求书的本说明书的权利，以明确描述落入本文明确描述的范围内的任何子范围。下文中，将进一步描述根据本专利技术实施方案的OLED器件。为了改善多光谱OLED器件的效率以及驱动稳定性，本专利技术提供了一种如上所述的多光谱OLED器件，其特征在于，其中的阳极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多光谱OLED器件，由下至上依次包括第一电极、空穴传输区域、发光层、电子传输区域和第二电极，/n其中，/n所述空穴传输区域由下至上依次包括阳极界面缓冲层和空穴传输层，/n所述阳极界面缓冲层包括传输空穴的主体材料和P型掺杂材料，/n所述阳极界面缓冲层内传输空穴的主体材料的HOMO能级大于邻接于阳极界面缓冲层的空穴传输层材料的HOMO能级，以及/n所述发光层内同时存在两种或者两种以上不同发光颜色的有机发光材料，它们可以互补形成多光谱发光。/n

【技术特征摘要】
1.一种多光谱OLED器件，由下至上依次包括第一电极、空穴传输区域、发光层、电子传输区域和第二电极，
其中，
所述空穴传输区域由下至上依次包括阳极界面缓冲层和空穴传输层，
所述阳极界面缓冲层包括传输空穴的主体材料和P型掺杂材料，
所述阳极界面缓冲层内传输空穴的主体材料的HOMO能级大于邻接于阳极界面缓冲层的空穴传输层材料的HOMO能级，以及
所述发光层内同时存在两种或者两种以上不同发光颜色的有机发光材料，它们可以互补形成多光谱发光。


2.根据权利要求1所述的多光谱OLED器件，其特征在于，所述阳极界面缓冲层中传输空穴的主体材料的HOMO能级与P型掺杂材料的LUMO能级差≤0.8eV，优选≤0.6eV，更优选≤0.4eV。


3.根据权利要求1或2所述的多光谱OLED器件，其特征在于，所述阳极界面缓冲层中传输空穴的主体材料的HOMO能级在5.40eV至5.62eV之间，优选在5.44eV至5.60eV之间，更优选在5.47eV至5.58eV之间。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的多光谱OLED器件，其特征在于，所述阳极界面缓冲层中传输空穴的主体材料的HOMO能级和与其邻接的空穴传输层材料的HOMO能级的差值＞0ev且≤0.2eV。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的多光谱OLED器件，其特征在于，所述阳极界面缓冲膜层的膜厚为1nm至150nm，优选为1nm至10nm。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的多光谱OLED器件，其特征在于，所述空穴传输层的膜厚为1nm至150nm，优选为30nm至150nm。


7.根据权利要求1至6中任一项所述的多光谱OLED器件，其特征在于，所述发光层内至少存在两种或者两种以上发光材料；所述发光层中可以是绿色发光材料与黄色发光材料的双色组合，或绿色发光材料与红色发光材料的双色组合，或黄色发光材料与红色发光材料的双色组合，或绿色发光材料、黄色发光材料和红色发光材料的三色组合，或蓝色发光材料与黄色发光材料的双色组合，或蓝色发光材料与绿色发光材料的双色组合，或蓝色发光材料与红色发光...

【专利技术属性】
技术研发人员：李崇，赵鑫栋，张兆超，
申请(专利权)人：江苏三月光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32