一种量子点发光二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种量子点发光二极管，其包括设置在衬底上的底电极层，顶电极层以及设置在所述底电极层和顶电极层之间的叠层，所述叠层包括量子点发光层，所述底电极层上还设置有绝缘层，所述绝缘层包覆在所述叠层的裸露区域，所述叠层的裸露区域为叠层与底电极层以及叠层与顶电极层未接触的区域。本实用新型专利技术通过在所述叠层的裸露区域包覆绝缘层，可有效防止空气中的水氧渗入到叠层内部，确保量子点发光二极管的稳定性，从而提高其使用寿命；同时通过在叠层的裸露区域包覆绝缘层还可防止顶电极层与叠层之间的非正常接触，避免量子点发光二极管内部发生短路。

A quantum dot LED

【技术实现步骤摘要】
一种量子点发光二极管
本技术涉及量子点领域，尤其涉及一种量子点发光二极管。
技术介绍
量子点电致发光作为一种新型的固态照明技术，具有成本低、重量轻、响应速度快、色彩饱和度高等优点，其具有广阔的发展前景，并已成为新一代LED照明的重要研究方向之一。传统的量子点发光二极管(QLED)器件通常包括阴极、阳极以及设置在阴极和阳极之间的量子点发光层和功能层，然而，QLED器件中的量子点发光层和其它功能层导致量子点发光层易与空气中的水分、氧气等接触，导致发光层被侵蚀和破坏；并且现有QLED器件易产生结构性侧向的漏电流，从而降低了器件的使用寿命。因此，现有技术还有待于改进。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本技术的目的在于提供一种量子点发光二极管，旨在解决由于量子点发光层和其它功能层均是裸露设置在玻璃衬底表面，导致QLED器件稳定性下降以及使用寿面降低的问题。本技术的技术方案如下：一种量子点发光二极管，包括设置在衬底上的底电极层，顶电极层以及设置在所述底电极层和顶电极层之间的叠层，所述叠层包括量子点发光层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光二极管，包括设置在衬底上的底电极层，顶电极层以及设置在所述底电极层和顶电极层之间的叠层，所述叠层包括量子点发光层，其特征在于，所述底电极层上还设置有绝缘层，所述绝缘层包覆在所述叠层的裸露区域，所述叠层的裸露区域为叠层与底电极层以及叠层与顶电极层未接触的区域。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管，包括设置在衬底上的底电极层，顶电极层以及设置在所述底电极层和顶电极层之间的叠层，所述叠层包括量子点发光层，其特征在于，所述底电极层上还设置有绝缘层，所述绝缘层包覆在所述叠层的裸露区域，所述叠层的裸露区域为叠层与底电极层以及叠层与顶电极层未接触的区域。


2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述绝缘层与所述底电极层以及顶电极层形成密封空间，所述叠层设置在所述密封空间内。


3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述叠层设置在所述底电极层的中间区域，所述底电极层未设置叠层的区域均设置有绝缘层，所述绝缘层的厚度大于等于所述叠层的厚度。


4.根据权利要求1-3任一所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述叠层还包括电子功能层和/或空穴功能层。


5.根据权利要求4所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子功能层选自电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层中的一种或多种。


6.根据权利要求4所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴功能层选自空穴注入层、空穴传输层以及电子阻挡层中的一种或多种。


7.根据权利要求1-3...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁文林，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44