【技术实现步骤摘要】
一种芳香胺化合物及其应用
本专利技术涉及一种芳香胺化合物及其应用，属于半导体
技术介绍
OLED光电功能材料从用途上可划分为两大类，分别为电荷注入传输材料和发光材料，进一步，还可将电荷注入传输材料分为电子注入传输材料、电子阻挡材料、空穴注入传输材料和空穴阻挡材料。为了制作高性能的OLED发光器件，要求各种有机功能材料具备良好的光电性能，譬如，作为电荷传输材料，要求具有良好的载流子迁移率，高玻璃化转化温度等。构成OLED器件的OLED光电功能材料膜层至少包括两层以上结构，产业上应用的OLED器件结构则包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层等多种膜层，也就是说应用于OLED器件的光电功能材料至少包括空穴注入材料、空穴传输材料、发光材料、电子传输材料等，材料类型和搭配形式具有丰富性和多样性的特点。另外，对于不同结构的OLED器件搭配而言，所使用的光电功能材料具有较强的选择性，相同的材料在不同结构器件中的性能表现也可能完全迥异。因此，针对当前OLED器件的产业应用要求以及OLED器件的不同功能膜层，器件的光电特性需求，必须选择更适合、性能更高的OLED功能材料或材料组合，才能实现器件的高效率、长寿命和低电压的综合特性。
技术实现思路
本专利技术的目的之一，是提供一种芳香胺化合物。本专利技术的化合物，以三芳胺为核心，具有较高的空穴迁移率，合适的HOMO和LUMO能级，通过器件结构优化，可有效提升OLED器件的光电性能和寿命。本专利...
【技术保护点】
1.一种芳香胺化合物，其特征在于，该芳香胺化合物的结构如通式(1)所示：/n
【技术特征摘要】
1.一种芳香胺化合物，其特征在于，该芳香胺化合物的结构如通式(1)所示：
通式(1)中，L1表示为通式(2)、通式(3)、通式(4)、通式(5)、通式(6)、通式(7)、通式(8)、通式(9)、通式(10)或通式(11)所示结构中的一种；
所述X1和X3分别独立地表示为N或C-R8，所述X2表示为-O-、-S-或-CH2-，所述通式(2)、通式(3)、通式(4)、通式(5)、通式(6)、通式(7)、通式(8)、通式(9)、通式(10)或通式(11)中虚线表示与氮原子、L1或L2的连接位点；
所述L2表示为单键、取代或未取代的亚苯基、取代或取代的亚联苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚萘啶基、取代或未取代的的亚吡啶基、通式(2)、通式(3)、通式(4)、通式(5)、通式(6)、通式(7)、通式(8)、通式(9)、通式(10)或通式(11)所示结构中的一种；
所述Ar1、Ar2、Ar3、Ar4分别独立的表示为单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚二联苯基、取代或未取代的亚三联苯基、取代或未取代的亚萘啶基、取代或未取代的亚吡啶基中的一种；
所述R1、R2、R3、R4分别独立的表示为取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的蒽基、通式(18)或通式(19)所示结构中的一种；
所述通式(18)和通式(19)中，Z表示为N或C-R9；
Ar1、Ar2、Ar3、Ar4与通式(18)连接位点处的Z表示为碳原子；
所述X3、X4、X5分别独立地表示为-O-、-S-、-C(R10)(R11)-或-N(R12)-中的一种；所述X3、X5还可以分别表示为单键；
所述R5、R6、R7分别独立地表示为氢原子、C1-C20的烷基、取代或未取代的C6-C40的芳基、含有一个或多个杂原子的取代或未取代的5至40元杂芳基中的一种；
所述R8、R9分别独立地表示为氢原子、卤素、氰基、C1-C20的烷基、C2-C20的烯烃基、取代或未取代的C6-C40的芳基、含有一个或多个杂原子的取代或未取代的5至40元杂芳基中的一种；相邻两个或多个R9可相互键结成环；
所述R10至R12分别独立地表示为C1-C20的烷基、取代或未取代的C6-C40的芳基、含有一个或多个杂原子的取代或未取代的5至40元杂芳基中的一种；R10与R11还可相互键结成环；
取代上述各可取代基团的取代基任选自卤素、氰基、C1-C10烷基、C6-C40的芳基、含有一个或多个杂原子的5至40元杂芳基中的一种或几种；
所述杂芳基中的杂原子任选自选自N、O或S中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的芳香胺化...
【专利技术属性】
技术研发人员：李崇，谢丹丹，王芳，赵四杰，
申请(专利权)人：江苏三月光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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