本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：提供一衬底，在所述衬底上形成垫氧化层；在所述衬底内形成多个浅沟槽；在所述浅沟槽底部形成埋层区；在所述浅沟槽内形成第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构，所述第...

本发明提供一种半导体器件版图结构及其形成方法，半导体器件版图结构的冗余图形区具有至少两个第一冗余图形和至少两个第二冗余图形，每个第一冗余图形包括与器件图形区的有源区图形相同的一个第一冗余有源区图形，以及位于第一冗余有源区图形上的至少两个...

本发明提供了一种晶圆键合方法和背照式图像传感器的形成方法，所述晶圆键合方法包括：提供一晶圆键合结构，晶圆键合结构包括器件晶圆和承载晶圆，器件晶圆包括第一衬底和位于第一衬底上的第一键合层，承载晶圆包括第二衬底和位于第二衬底上的第二键合层，...

本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体制作技术领域。所述制作方法包括：衬底，且所述衬底内至少设置一个沟槽；栅极介质层，设置在所述沟槽的内壁上；栅极结构，设置在所述沟槽内；源掺区，设置在所述栅极结构一侧的所述衬底内；以及漏掺区...

本发明提出了一种光阻的去除方法和装置，涉及半导体制造技术领域，所述装置至少包括：晶圆室；防护罩，罩设于所述晶圆室外；硫酸加热单元，通过第一管道与所述晶圆室连通，且所述硫酸加热单元与晶圆表面具有第一预设距离；以及纯净水加热单元，通过第二管...

本发明提供了一种3D CMOS图像传感器及其形成方法，涉及图像传感器领域，包括：衬底，衬底内包括至少一个光电二极管；阱区，阱区形成于光电二极管上方，并与光电二极管连接，阱区为薄膜空腔结构；浮置扩散区，浮置扩散区形成于衬底上且位于阱区上方...

本发明公开了一种半导体制程中微量元素的分析方法及装置，属于半导体技术领域。所述分析方法包括：将测试样品放置在样品室内；调整离子束的条件，并设置溅射离子的信号收集条件；采用所述离子束轰击所述测试样品表面；收集所述测试样品表面的所述溅射离子...

本发明提供一种闪存器件、存储单元及其制造方法，所述存储单元包括衬底，垂直于衬底的第一立体沟道及第二立体沟道；相对设于第一立体沟道的两端的第一漏端及第一源端，相对设于第二立体沟道的两端的第二漏端及第二源端；至少部分环绕第一立体沟道的第一存...

本发明提供了一种3D CMOS图像传感器及其形成方法，涉及图像传感器领域，包括：衬底，所述衬底内包括至少一个光电二极管；P型阱区，所述P型阱区形成于所述光电二极管上方且与所述光电二极管连接；浮置扩散区，所述浮置扩散区形成于所述衬底上且位...

本发明提供了一种晶圆键合方法以及背照式图像传感器的形成方法，所述晶圆键合方法包括：提供一晶圆键合结构，晶圆键合结构包括器件晶圆和承载晶圆，器件晶圆包括第一衬底和位于第一衬底上的第一键合层，所述承载晶圆包括第二衬底和位于第二衬底上的第二键...

本发明提供一种半导体器件及其制作方法。该半导体器件的制作方法包括：在基底的垫氧化层上形成图形化的掩模层，以掩模层为掩模，执行离子注入工艺，在基底中形成埋层；去除图形化的掩模层，增加垫氧化层的厚度形成扩散覆盖层，扩散覆盖层包括自下而上层叠...

本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，所述制作方法包括：提供一衬底，所述衬底上形成有第一层间介质层以及贯穿所述第一层间介质层的第一开口；执行多次铜电镀工艺形成铜薄膜以分步骤填充第一开口，直至填满所述第一开口，并且每次执行铜电镀工艺之后...

本发明公开了一种芯片的测试结构及测试方法，属于半导体技术领域。所述测试结构包括：第一分部，设置在衬底的表面上，且沿所述衬底内的有源区的方向延伸；第二分部，一端与所述第一分部连接，另一端向所述有源区上延伸，且与所述有源区上的介质层接触，所...

本发明提供一种浅沟槽的制备方法，通过在所述图形化的硬掩模层上以及所述第一凹槽的内壁上通过LPCVD工艺形成氧化物膜层；以所述氧化物侧墙为掩模，刻蚀所述半导体衬底，以在所述第二凹槽底部形成第三凹槽，所述第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽连通且构...

本实用新型公开了一种晶圆处理装置，包括：腔室：操作平台，设置在所述腔室内，所述操作平台上设置有研磨单元和清洗单元；烘干单元，设置在所述腔室内；输送单元，设置在所述腔室内，且所述输送单元包括推动件，所述推动件一端与晶圆贴合。通过本实用新型...

本发明提供了一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供一基底，基底上形成有栅极结构和侧墙，在侧墙底部的基底内形成有轻掺杂区；形成自对准金属硅化物阻挡层；对自对准金属硅化物形成区内的自对准金属硅化物阻挡层进行刻蚀，在侧墙与基底构成的拐...

本发明公开了一种介质层可靠性测试结构及测试方法，属于半导体技术领域，所述介质层可靠性测试结构包括：衬底，其上设置多个有源区；至少一个待测试介质层，设置在所述有源区上；多晶硅层，设置在所述待测试介质层上；辅助金属结构，设置在所述多晶硅层上...

本发明提供一种基于实时派工系统的晶圆批次派工方法，包括以下步骤：S10：利用自动化系统的背景程序，周期性扫描所有机台的载台信息，以确认是否存在需要补传送的预约晶圆批次；S20：对需要补传送的所述预约晶圆批次进行补传送前的检测，以确认所述...

本发明涉及半导体技术领域，且本发明提出一种半导体器件的制造方法及半导体结构，包括：提供一衬底；形成半导体层于衬底上；形成介电层于半导体层上；形成光阻层于介电层上；以第二阱区内的光阻层为掩膜，向第一阱区植入离子，形成第一掺杂区，并刻蚀部分...

本发明公开了一种图像传感器及其制造方法，属于半导体制造技术领域，且所述图像传感器的制造方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成多个浅沟槽隔离结构，且所述浅沟槽隔离结构将衬底区分为多个感光区域；向所述感光区域中多次注入离子，形成光电二极管的...