一种光阻的去除方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术提出了一种光阻的去除方法和装置，涉及半导体制造技术领域，所述装置至少包括：晶圆室；防护罩，罩设于所述晶圆室外；硫酸加热单元，通过第一管道与所述晶圆室连通，且所述硫酸加热单元与晶圆表面具有第一预设距离；以及纯净水加热单元，通过第二管道与所述晶圆室连通，且所述纯净水加热单元与晶圆表面具有第二预设距离，所述第二预设距离小于所述第一预设距离。本发明专利技术提供的一种光阻的去除方法和装置，能有效增加晶圆表面光阻的去除效果。能有效增加晶圆表面光阻的去除效果。能有效增加晶圆表面光阻的去除效果。

【技术实现步骤摘要】
一种光阻的去除方法和装置


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种光阻的去除方法和装置。

技术介绍

[0002]在半导体制造工业中，将光阻从半导体器件上移除的工艺通常采用硫酸/过氧化氢混合物(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture ,SPM)清洗液处理光阻，以去除半导体器件上的光阻。然而，由于过氧化氢与硫酸混合时剧烈放热，促使过氧化氢挥发分解，影响清洗液的清洗能力，进而影响光阻去除的时间及质量。因此，急需一种高效的光阻去除的方法和装置。

技术实现思路

[0003]本专利技术提出了一种光阻的去除方法和装置，通过设计多级加热和超声雾化的结构，利用高温水蒸气与高温硫酸雾直接在晶圆表面混合，即混瞬间释放大量的热量，大幅提高硫酸接触晶圆表面的温度，从而提高硫酸对硬化光阻的去除能力，同时使用水蒸气可以一定程度上避免金属污染，并且节约成本。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术是通过如下的技术方案实现的：本专利技术提出一种光阻的去除装置，至少包括：晶圆室；防护罩，所述防护罩罩设于所述晶圆室；硫酸加热单元，通过第一管道与所述晶圆室连通，且所述硫酸加热单元与晶圆表面具有第一预设距离；以及纯净水加热单元，通过第二管道与所述晶圆室连通，且所述纯净水加热单元与晶圆表面具有第二预设距离，所述第二预设距离小于所述第一预设距离。
[0005]在本专利技术一实施例中，所述装置还包括双氧水循环单元，所述双氧水循环单元与所述晶圆室连通。
[0006]在本专利技术一实施例中，所述硫酸加热单元包括多个硫酸加热器，所述多个硫酸加热器包覆在所述第一管道外侧。
[0007]在本专利技术一实施例中，所述纯净水加热单元包括多个纯净水加热器，所述多个纯净水加热器包覆在所述第二管道外侧。
[0008]在本专利技术一实施例中，所述硫酸加热单元还包括超声装置，以将硫酸超声震荡为硫酸雾。
[0009]本专利技术还提出一种光阻去除的方法，至少包括以下步骤：将硫酸加热至第一温度；将硫酸进一步加热至第二温度，形成硫酸雾；将超纯水加热至第三温度，形成水蒸气；将所述水蒸气进一步加热至第四温度，形成高温水蒸气；以及
将所述硫酸雾与所述高温水蒸气分别输送至晶圆表面，并在晶圆表面进行即混。
[0010]在本专利技术一实施例中，所述第一温度为90
‑
100℃。
[0011]在本专利技术一实施例中，所述第二温度为160
‑
170℃。
[0012]在本专利技术一实施例中，所述第三温度为60
‑
70℃。
[0013]在本专利技术一实施例中，所述第四温度为90
‑
100℃。
[0014]本专利技术提出一种光阻的去除方法和装置，通过设计多级加热和超声雾化的结构，利用高温水蒸气与高温硫酸雾直接在晶圆表面混合，即混瞬间释放大量的热量，大幅提高硫酸接触晶圆表面的温度，从而提高硫酸对硬化光阻的去除能力，同时使用水蒸气可以一定程度上避免金属污染，并且节约成本。
附图说明
[0015]图1为本专利技术一实施例中光阻去除装置的结构示意图。
[0016]图2为图1中硫酸加热单元的结构示意图。
[0017]图3为图1中纯净水加热单元的结构示意图。
[0018]图4为本专利技术一实施例中光阻去除方法的流程图。
[0019]图5为硫酸在水中质量分数与温度的曲线图。
[0020]附图说明：100、硫酸加热单元；101、第一阀门；102、第一储存室；103、多个硫酸泵；1031、第一硫酸泵；1032、第二硫酸泵；104、多个硫酸加热器；1041、第一硫酸加热器；1042、第二硫酸加热器；1043、第三硫酸加热器；105、第二储存室；106、第一管道；107、第二阀门；108、超声装置；200、纯净水加热单元；201、第三阀门；202、纯净水储存室；203、多个水泵；2031、第一水泵；2032、第二水泵；204、多个纯净水加热器；2041、第一纯净水加热器；2042、第二纯净水加热器；2043、第三纯净水加热器；205、第二管道；300、晶圆室；301、晶圆；302、晶圆支撑台；303、防护罩；400、双氧水循环单元；401、混合液储存室；402、双氧水输入管道；403、第五阀门；404、混合液输出管道；405、第六阀门。
具体实施方式
[0021]以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0022]需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0023]下面结合若干实施例及附图对本专利技术的技术方案做进一步详细说明，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0024]请参阅图1所示，本专利技术提出一种光阻的去除装置，包括晶圆室300、硫酸加热单元100、纯净水加热单元200以及双氧水循环单元400。硫酸加热单元100与纯净水加热单元200分别与晶圆室300流通，产生的高温硫酸雾与高温水蒸气在晶圆表面混合，即混瞬间温度能达到260℃以上，将晶圆表面大量的硬化光阻进行溶解、去除。
[0025]请参阅图1
‑
图2所示，在本专利技术一实施例中，硫酸加热单元100与晶圆室300的一侧连通。硫酸加热单元100包括第一储存室102、第二储存室105和多个硫酸加热器104，第一储存室102与第二储存室105之间通过第一管道106连通，第一管道106设置有第一阀门101、第二阀门107和多个硫酸泵103，多个硫酸加热器104包覆在第一管道106外壁，以对第一管道106的不同阶段分别进行加热。
[0026]请参阅图1
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图2所示，在本专利技术的一实施例中，第一管道106一端输入硫酸，另一端与晶圆室300连通，且与晶圆301表面具有第一预设距离d1。在本专利技术的一实施例中，第一阀门101设置在第一管道106上，且位于靠近硫酸输入端的一侧，以控制调节硫酸的输入流量。第一管道106用耐腐蚀、耐高温、自润滑、易加工和高机械强度等优异性能的材料制成，本专利技术对第一管道106材质不加以限制，在一些实施例中，第一管道106质例如为聚四氟乙烯、聚醚醚酮、石墨等。在本专利技术一实施例中，第一管道106形状例如设置为圆管状，在其他实施例中，第一管道106形状也可以设置为例如方管状。在本专利技术一实施例中，第一管道106壁厚例如设置为1
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光阻的去除装置，其特征在于，至少包括：晶圆室；防护罩，所述防护罩罩设于所述晶圆室；硫酸加热单元，通过第一管道与所述晶圆室连通，且所述硫酸加热单元与晶圆表面具有第一预设距离；以及纯净水加热单元，通过第二管道与所述晶圆室连通，且所述纯净水加热单元与晶圆表面具有第二预设距离，所述第二预设距离小于所述第一预设距离。2.根据权利要求1所述的一种光阻的去除装置，其特征在于，所述装置还包括双氧水循环单元，所述双氧水循环单元与所述晶圆室连通。3.根据权利要求1所述的一种光阻的去除装置，其特征在于，所述硫酸加热单元包括多个硫酸加热器，所述多个硫酸加热器包覆在所述第一管道外侧。4.根据权利要求1所述的一种光阻的去除装置，其特征在于，所述纯净水加热单元包括多个纯净水加热器，所述多个纯净水加热器包覆在所述第二管道外侧。5.根据权利要求1所述的一种光阻的去除装置，其特征在于，所述硫酸加热单元还包括超声装置，以...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨昱霖，陈宏玮，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：