本实用新型公开了一种半导体设备功率匹配器的连接装置，所述连接装置至少包括：传输棒；第一连接件；第一盖板，与所述第一连接件可拆卸连接，且所述第一盖板与所述第一连接件合围成第一空腔，用以容纳所述传输棒；绝缘套，设置在所述第一连接件和所述第一...

本实用新型提供一种湿法刻蚀机，包括腔室和传输单元，以及设置在所述腔室和/或所述传输单元内的离子分离装置；其中，所述离子分离装置用于向放置在所述腔室和/或所述传输单元内的晶圆发射预设波长的光波，并利用所述光波将空气离子分离为正离子和负离子...

本申请提供了一种半导体结构的制作方法以及半导体结构。该方法包括：提供基底，基底包括衬底、第一金属层以及第一隔离结构；在基底的裸露表面上形成间隔设置的多个叠层结构，任意两个相邻的叠层结构之间形成第一凹槽，一个叠层结构包括依次层叠的第一阻挡...

本申请提供了一种半导体结构的制作方法以及半导体结构。该方法包括：提供基底，基底包括依次层叠的衬底、金属硅化物层以及介电层；在介电层的裸露表面上形成掺杂结构，掺杂结构包括多个掺杂区域掺杂同一种杂质离子且掺杂浓度不同的掺杂区域，并且沿着第一...

本发明提出了一种化学气相分解试样瓶的清洗治具及清洗装置，属于半导体制造技术领域，所述清洗治具至少包括：清洗舱；底板，固定设置在所述清洗舱内，且所述底板上设置多个限位槽；多个试样瓶，多个所述试样瓶倒扣放置在多个所述限位槽内；盖板，设置在所...

本发明提供一种半导体器件及一种半导体器件的制造方法。所述半导体器件包括形成于衬底表面区域的晶体管，其中，在所述晶体管栅极下方的沟道区两端设有LDD区，所述LDD区包括第一LDD区以及更靠近所述沟道区且相对于所述衬底表面浅于所述第一LDD...

本实用新型公开了一种漏液侦测设备，属于半导体制造领域，所述设备至少包括：存储室；循环水冷机，所述循环水冷机通过循环水管与所述存储室连通；输送装置，一端与所述存储室连通，所述输送装置包括第一输送件、第二输送件和第三输送件，所述第一输送件套...

本实用新型提供一种外加式流量量测装置、混合设备及清洗机，所述外加式流量量测装置包括量测桶，以及第一阀组和第二三通分流阀；所述混合设备包括一个混液槽、至少两个输送泵，以及与输送泵的入口、出口连通的上述外加式流量量测装置。还提供一种清洗机，...

本实用新型公开了一种漏液侦测设备，涉及半导体制造领域，所述设备至少包括：储存室；涂布室，设置在所述储存室的一侧，且所述涂布室通过输送装置与所述储存室连通；循环水冷机，所述循环水冷机通过循环水管与所述储存室连通；压力检测装置，设置在所述储...

本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供一衬底，所述衬底上形成有顶层金属层；在所述顶层金属层上形成钝化层，所述钝化层包含依次层叠的第一氧化物层、氮化物层与第二氧化物层。本发明通过将钝化层设置为氧化物、氮化物与氧化物三层...

本发明提供一种背照式图像传感器及其制作方法。所述制作方法包括：提供基底，基底中形成有间隔分布的多个像素单元，至少部分像素单元的尺寸与其余像素单元的尺寸不同；在基底的背面上形成多个芯模结构；在多个芯模结构的侧壁形成多个侧墙，去除多个芯模结...

本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供一衬底，所述衬底上形成有绝缘层，所述绝缘层内形成有暴露所述衬底的开口；在所述开口内填充钨金属，所述钨金属内残留有氟；进行快速热处理，使所述氟从所述钨金属内挥发出来。本发明通过进行...

本发明提供一种半导体器件及其制备方法。其中，半导体器件包括衬底、第一栅极结构、第二栅极结构、层间介质层和共享插塞；在第一方向上第一栅极结构的一端超出第一初始位置并延伸至第一位置，以通过延长第一栅极结构的长度来确保第一栅极结构的端盖形貌符...

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，在形成接触孔的过程中，先对第二介质层执行第一刻蚀工艺以暴露出第一介质层，接着对所述第一介质层执行两步刻蚀工艺，包括：执行第二刻蚀工艺以去除部分厚度的所述第一介质层以及执行第三刻蚀工艺以扩大所形成的...

本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成金属栅极，所述金属栅极两侧的衬底中形成有源极和漏极；形成介质层，所述介质层覆盖所述衬底和所述金属栅极；执行干法刻蚀工艺，在所述金属栅极上方形成第一接触孔，并在所述源极和...

本发明提供了一种互连结构的制备方法，提供衬底，在衬底上依次形成第一阻挡层、金属层和第二阻挡层，其中，第二阻挡层的厚度大于500埃；依次刻蚀第二阻挡层、金属层和第一阻挡层以形成显露衬底的若干沟槽，相邻两个沟槽之间剩余的金属层作为金属线；形...

本实用新型公开了一种晶圆的分析设备，所述设备至少包括，晶圆装载装置；分析装置，且所述分析装置通过输送装置与所述晶圆装载装置连通；吸附部，设置在所述分析装置与所述晶圆装载装置之间，且所述吸附部一端通过所述输送装置与所述晶圆装载装置连通，所...

本发明涉及半导体制造领域，并公开了一种晶圆的缺陷检测方法及系统，其中晶圆的缺陷检测方法至少包括以下步骤：扫描预检晶圆，并根据预检晶圆的表面缺陷数量，筛选出待检晶圆；获取待检晶圆的缺陷特征信息，将缺陷特征信息的缺陷数据区分为定量数据和定性...

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构至少包括：衬底；浅槽隔离结构，设置在衬底上，且浅槽隔离结构包括凸部，且凸部超出衬底的表面；堆叠结构，设置在衬底上和浅槽隔离结构上；沉积通道，穿过堆叠结构与衬底和/或凸部的表面接触，沉...

本实用新型提供了一种晶圆盒检测系统，包括电源模块、两个以上颜色传感器和分析处理模块；电源模块分别与颜色传感器和分析处理模块连接；每个晶圆盒上分别设置有一种颜色的颜色标识，颜色标识的颜色种类包括两种以上；机台的承载台上设置有两个以上晶圆盒...