一种晶圆处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种晶圆处理装置，包括：腔室：操作平台，设置在所述腔室内，所述操作平台上设置有研磨单元和清洗单元；烘干单元，设置在所述腔室内；输送单元，设置在所述腔室内，且所述输送单元包括推动件，所述推动件一端与晶圆贴合。通过本实用新型专利技术提供的晶圆处理装置，提高晶圆处理效率和晶圆处理良率。提高晶圆处理效率和晶圆处理良率。提高晶圆处理效率和晶圆处理良率。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆处理装置


[0001]本技术涉及半导体设备
，特别涉及一种晶圆处理装置。

技术介绍

[0002]在晶圆制造中，随着制程技术的升级以及半导体器件体积的缩小，在进行光刻时，对晶圆表面的平坦程度的要求越来越高。化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，CMP)是实现晶圆表面平坦化的一种较佳的工艺过程，尤其是在半导体制作工艺进入亚微米领域后，化学机械研磨已成为一项不可或缺的工艺技术。在平坦化后，晶圆表面残留有研磨液和研磨颗粒等，需要对晶圆进行清洗和烘干，晶圆在不同操作工序间进行运转。
[0003]但是，在晶圆处理装置中，晶圆在运转过程中易出现位移或划伤等问题。因此，如何获得高效且晶圆低损耗的处理装置已经成为亟需解决的问题。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种晶圆处理装置，可以提高晶圆处理效率，并提升晶圆处理良率。
[0005]本技术提供一种晶圆处理装置，至少包括：
[0006]腔室：
[0007]操作平台，设置在所述腔室内，所述操作平台上设置有研磨单元和清洗单元；
[0008]烘干单元，设置在所述腔室内；以及
[0009]输送单元，设置在所述腔室内，所述输送单元包括推动件，所述推动件一端与晶圆贴合。
[0010]在本技术的一实施例中，所述推动件包括推动杆和推动头，所述推动头与所述推动杆可拆卸连接。
[0011]在本技术的一实施例中，所述推动头包括承载部，所述承载部与所述晶圆的侧边贴合。r/>[0012]在本技术的一实施例中，所述推动头包括限位部，所述限位部位于所述承载部的两侧。
[0013]在本技术的一实施例中，所述限位部上设置有凹槽，所述晶圆的侧边与所述承载部贴合时，所述晶圆的边缘位于所述凹槽内。
[0014]在本技术的一实施例中，所述限位部的顶部至所述承载部的底部的距离为所述晶圆直径的三分之一至二分之一。
[0015]在本技术的一实施例中，所述输送单元设置在所述操作平台相对于所述烘干单元的一侧，且允许所述推动件相对于所述操作平台上下运动。
[0016]在本技术的一实施例中，所述研磨单元包括研磨转盘，所述研磨转盘与所述清洗单元并列设置在所述操作平台上。
[0017]在本技术的一实施例中，所述晶圆处理装置还包括传输通道，所述传输通道与所述烘干单元和所述清洗单元连接。
[0018]在本技术的一实施例中，所述晶圆处理装置还包括动力单元，所述动力单元与所述输送单元电性连接。
[0019]如上所述，本技术提供一种晶圆处理装置，提高了晶圆处理效率，降低生产成本。在晶圆转移过程中，设置与晶圆匹配的弧形推动头，提高晶圆处理装置的适用性。同时，减少晶圆传输过程中的晃动、划伤以及裂纹等问题，提高晶圆处理良率。
[0020]当然，实施本技术的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1为一实施例中处理装置结构示意图。
[0023]图2为一实施例中研磨转盘结构示意图。
[0024]图3为一实施例中输送单元结构图。
[0025]图4为图3的侧视图。
[0026]标记说明：
[0027]10、处理装置；11、腔室；12、操作平台；13、研磨单元；14、研磨转盘；141、研磨垫；142、钻石碟；15、研磨头；16、支撑件；17、检测装置；18、供液系统；19、清洗单元；20、输送单元；21、推动件；211、推动杆；212、推动头；2121、承载部；2122、限位部；22、晶圆；23、传输通道；24、烘干单元；25、动力单元；26、控制装置。
具体实施方式
[0028]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
[0029]须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本方案可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本方案所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本方案所揭示的
技术实现思路
能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本方案可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本方案可实施的范畴。
[0030]在集成电路制造中，为获得表面平整的功能层，需对功能层进行平坦化处理。其中，化学机械研磨是获得全局平坦化的一种超精密表面加工工艺。在化学机械研磨过程中，采用研磨液和研磨垫对晶圆进行研磨。研磨后，需要对晶圆进行清洗和烘干，再进入后续程
序。为减少晶圆在转运过程中，由于出现位移或划伤而造成的晶圆处理良率低的问题。本技术提供一种晶圆处理装置，可对晶圆进行平坦化、清洗及烘干处理等，能够高效处理晶圆。且在处理过程中，晶圆不易出现位移或划伤等问题，提高晶圆处理良率，可广泛应用在集成电路的各制作工序中。
[0031]请参阅图1所示，图1为本申请在一实施例中的晶圆处理装置结构示意图。在本实施例中，处理装置10包括腔室11、操作平台12、研磨单元13、清洗单元19以及烘干单元24。其中，操作平台12设置在腔室11内，研磨单元13和清洗单元19设置在操作平台12上。晶圆22经研磨单元13和清洗单元19后，进入烘干单元24进行烘干。且通过输送单元20将晶圆22送入烘干单元24，输送单元20包括推动件21，推动件21一端与晶圆22贴合，可减少输送过程中晶圆22的位移和划伤。本申请提供的晶圆处理装置结构简单，且能够提高晶圆处理效率，并提高晶圆处理良率。
[0032]请参阅图1至图2所示，在本技术一实施例中，研磨单元13包括研磨转盘14，且研磨转盘14设置在操作平台12上，且研磨转盘14例如设置为圆形。其中，研磨转盘14上设置有研磨垫141，且研磨垫141例如通过贴片(图中未显示)粘附在研磨转盘14上，在研磨结束后可以方便移动或者更换研磨垫141，以在研磨不同材料时，更换匹配的研磨垫141。在本实施例中，研磨垫141例如设置为圆形，且研磨垫141的直径大于或等于研磨转盘14的直径，即研磨垫141的尺寸大于或等于研磨转盘14的尺寸。在研磨过程中，研磨转盘14进行本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆处理装置，其特征在于，包括：腔室：操作平台，设置在所述腔室内，所述操作平台上设置有研磨单元和清洗单元；烘干单元，设置在所述腔室内；以及输送单元，设置在所述腔室内，所述输送单元包括推动件，所述推动件一端与晶圆贴合。2.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述推动件包括推动杆和推动头，所述推动头与所述推动杆可拆卸连接。3.根据权利要求2所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述推动头包括承载部，所述承载部与所述晶圆的侧边贴合。4.根据权利要求3所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述推动头包括限位部，所述限位部位于所述承载部的两侧。5.根据权利要求4所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述限位部上设置有凹槽，所述晶圆的侧边与所述承载部贴合时，所述晶圆的边缘位于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈永烜，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：新型
国别省市：