【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种机台监测方法。
技术介绍
1、离子注入（implantation）是半导体制造工艺中的一种关键技术。在半导体制造工艺中，为了保持离子注入过程的稳定性，需要定期对机台进行监测。
2、目前，高剂量的离子注入工艺常用电阻（rs）检测法对机台进行监测，低剂量的普通离子注入常用热波（thermal wave，简称tw）检测法对机台进行监测。
3、然而，先进制程往往会引入高剂量的共离子注入来控制掺杂离子的分布，这些离子由于自身特性在进行快速热退火之后材料不会产生导电性能，导致离子注入实际情况难以通过电阻检测法或热波检测法进行监测，进而给不同机台之间的工作匹配增加了难度。
技术实现思路
1、基于此，本申请提供一种机台监测方法，包括：
2、提供机台组，机台组包括同种机型的多个机台；提供与机台一一对应的多个测试晶圆，测试晶圆包括第一衬底；
3、采用多个机台于对应的第一衬底上分别形成离子植入层；
4、对各离子植...
【技术保护点】
1.一种机台监测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的机台监测方法，其特征在于，所述去除工艺包括化学机械抛光工艺。
3.根据权利要求1所述的机台监测方法，其特征在于，所述根据多个第一厚度判断所述机台组中的多个所述机台是否匹配，包括：
4.根据权利要求3所述的机台监测方法，其特征在于，所述判断所述第一厚度对应的所述机台与同一所述机台组中的其他所述机台不匹配之后，还包括：对剩余离子植入层重复进行预设工艺时间的去除工艺，直至所述离子植入层剩余的厚度未超出所述预设剩余厚度范围。
5.根据权利要求1所述的机台监测方法，...
【技术特征摘要】
1.一种机台监测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的机台监测方法，其特征在于，所述去除工艺包括化学机械抛光工艺。
3.根据权利要求1所述的机台监测方法，其特征在于，所述根据多个第一厚度判断所述机台组中的多个所述机台是否匹配，包括：
4.根据权利要求3所述的机台监测方法，其特征在于，所述判断所述第一厚度对应的所述机台与同一所述机台组中的其他所述机台不匹配之后，还包括：对剩余离子植入层重复进行预设工艺时间的去除工艺，直至所述离子植入层剩余的厚度未超出所述预设剩余厚度范围。
5.根据权利要求1所述的机台监测方法，其特征在于，所述采用多个所述机台于对应的所述第一衬底上形成多个离子植入层，包括：
6.根据权利要求5所述的机台监测方法，其特征在于，所述离子注入工艺包括共离子注入工艺；所述共离子注入工艺过程中采用的注入离子包括：碳、锗、氟及氮中的至少两种；所述离子植入层包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：刁勤超，方晓宇，郭宜婷，程挚，朱正浩，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。