本发明提供一种碳化硅MOS器件封装检测方法和系统，包括：获取封装后的碳化硅MOS器件的键合线状态信号，根据键合线状态信号，筛选得到碳化硅MOS器件在键合线正常及失效状态下的封装特征参量；基于碳化硅MOS器件在键合线正常及失效状态下的封装...

本申请涉及一种氮化镓微波功率器件，包括具有第一表面和第二表面的基底、间隔设在基底上的多个封装通道、设在基底第二表面上的散热层、设在散热层上且位于封装通道内的驱动器、设在驱动器上的氮化镓器件、设在基底内并与氮化镓器件的源极连接的共源电极、...

本发明公开了一种高可靠碳化硅MOS器件缺陷检测设备，属于检测设备技术领域，主要包括导向框板，在导向框板的内部转动连接有双向联动螺杆，双向联动螺杆的外壁且靠近其底端位置处螺纹连接有螺纹套接支块，且螺纹套接支块的外壁一侧安装有联动翻转机构；...

本发明提供一种基于低功耗氮化镓的芯片制备方法及系统，涉及半导体器件领域，其中，该方法包括：获取氮化镓芯片的印刷电路板图、各元件的特征参数及工作参数，确定氮化镓芯片的至少一个目标散热区域及每个目标散热区域的发热量；基于印刷电路板图、氮化镓...

本发明提供了一种超结功率

本申请涉及一种基于氮化稼的快充芯片，包括由多个基准层顺序堆叠组成的基板

本发明公开了一种沟槽碳化硅功率器件及其制备方法，属于功率半导体器件制造技术领域，其中，方法包括取碳化硅衬底，在碳化硅衬底的上表面形成

本申请涉及一种氮化稼器件及其制造方法，器件包括基板

本发明涉及功率器件技术领域，具体公开了一种新能源储能碳化硅功率器件及其封装结构，包括碳化硅芯片和

本发明提供一种高阈值电压常关型GaN的电源管理方法及系统，涉及电源管理领域，该系统包括：负载充电模块，包括第一常关型氮化镓功率开关电路，并联有第二常关型氮化镓功率开关电路；切换开关模块，包括第一常关型氮化镓开关和第二常关型氮化镓开关；温...

本发明公开了一种器件良率高的半导体，包括半导体本体和第三触脚，所述半导体本体的底端安装有第三触脚，且第三触脚的顶端延伸至半导体本体的内部，所述第三触脚一侧的半导体本体底端安装有第二触脚，且第二触脚的顶端延伸至半导体本体的内部，所述第二触...

本说明书实施例提供一种IGBT封装结构，包括基板与外壳之间形成安装空腔，安装空腔内设置有DBC板、第一焊层、第二焊层、二极管芯片及IGBT芯片，基板设置在底部散热基座；散热驱动集成电路用于获取IGBT芯片的温度信息及电流信息；散热驱动集...

本说明书实施例提供一种SOT封装类芯片缺陷检测方法及系统，其中，所述方法包括：获取待检测SOT封装类芯片的外形特征；基于外形特征判断待检测SOT封装类芯片是否满足预设外形要求；响应于待检测SOT封装类芯片满足预设外形特征要求，对待检测S...

本发明涉及芯片封装缺陷检测方法和系统，通过直接采集包含芯片封装的图像，并提取出图像中的芯片边缘、芯片主体区域、以及芯片主体区域与芯片管脚的交点；并基于芯片边缘生成第一中心，基于芯片主体区域与芯片管脚的交点生成第二中心，以及基于芯片主体区...

本发明涉及氮化镓制备技术领域，揭露了一种用于提升氮化镓制备效率方法和装置，该方法包括：将历史氮化镓制备数据数据清洗成标准历史制备数据，按照制备周期将标准历史制备数据拆分为多个周期制备数据集；逐一选取周期制备数据集提取出制备参数数据集和制...

本发明涉及划痕检测技术，揭露了一种基于IGBT器件的表痕分析方法，包括：获取待测电子器件的原图，对所述待测电子器件的原图进行滤波处理，得到滤波图像；对所述滤波图像进行边缘检测，得到划痕像素点；对所述划痕像素点进行区域扫描，得到像素团块；...

本发明公开了一种新能源汽车芯片检测用夹持装置，属于半导体器件加工设备技术领域，包括支撑座，所述支撑座上固定连接有支撑架，所述支撑架上转动连接有转轴，所述转轴的一端固定连接有转动驱动件，所述转轴的另一端固定连接有轮体，所述轮体的外周面上固...

本发明涉及氮化镓制备技术领域，揭露了一种用于实现氮化镓制备场景下的设备组合分析方法及系统，该方法包括：获取氮化镓在目标制备场景下的初始设备组合方法，查找初始设备组合生成的氮化镓之别制备数据，提取氮化镓制备数据中预设制备指标的指标数据，并...

本申请涉及一种场效应晶体管及制备方法，场效应晶体管包括半导体衬底、间隔设在半导体衬底上的多个鳍片、设在鳍片两端的掺杂区、包裹上鳍片中间部分上的氧化物隔离以及包裹氧化物隔离上的金属栅极，每个鳍片上设有两个氧化物隔离，属于同一个鳍片的两个氧...

本申请涉及一种切线定位机构，其包括限位组件、导线载具组件、导线切割组件和光学测距组件，所述限位组件用于固定集成电路板，导线能够沿所述导线载具组件伸出，所述导线切割组件用于切割沿所述导线载具组件伸出的导线，所述导线切割组件能够相对所述限位...