基于IGBT器件的表痕分析方法、装置、设备及介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及划痕检测技术，揭露了一种基于IGBT器件的表痕分析方法，包括：获取待测电子器件的原图，对所述待测电子器件的原图进行滤波处理，得到滤波图像；对所述滤波图像进行边缘检测，得到划痕像素点；对所述划痕像素点进行区域扫描，得到像素团块；对所述像素团块进行遍历归并，得到所述待测电子器件的划痕图像。本发明专利技术还提出一种基于IGBT器件的表痕分析装置、设备以及介质。本发明专利技术可以提高现有的表痕分析方法的效率及准确率。痕分析方法的效率及准确率。痕分析方法的效率及准确率。

【技术实现步骤摘要】
基于IGBT器件的表痕分析方法、装置、设备及介质


[0001]本专利技术涉及划痕检测领域，尤其涉及一种基于IGBT器件的表痕分析方法、装置、设备及介质。

技术介绍

[0002]随着信息技术的发展，电子元器件作为信息传输和处理的基本底层硬件在电子产品生产和应用中占据着举足轻重的地位，其中，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）凭借具有驱动功率小及低饱和压的优点广泛引用于家电、数码产品、轨道交通以及清洁发电、新能源汽车、智能电网等战略性新兴产业。由于电子产品需求的不断进化，IGBT器件朝着小体积、薄型化、片式化、微型化及组件化的方向不断发展，这些特点虽然提高了电子产品的质量，但是给检测机构和检测人员带来了不小的困难；此外，IGBT器件在生产加工过程中，需要经过复杂的工艺处理，在多重工艺处理下，IGBT器件表面不可避免会出现损伤，而这些将造成IGBT器件的表面缺陷，也将直接影响产品是否合格，因此，电子元器件的表面缺陷检测已然成为电子产品生产加工和可靠性分析过程中必要的工序。传统的工业流水线划本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于IGBT器件的表痕分析方法，其特征在于，所述方法包括：获取待测电子器件的原图，对所述待测电子器件的原图进行滤波处理，得到滤波图像；对所述滤波图像进行边缘检测，得到划痕像素点；对所述划痕像素点进行区域扫描，得到像素团块；对所述像素团块进行遍历归并，得到所述待测电子器件的划痕图像。2.如权利要求1所述的基于IGBT器件的表痕分析方法，其特征在于，所述对所述待测电子器件的原图进行滤波处理，得到滤波图像，包括：获取所述待测电子器件的原图的色彩通道值，根据所述色彩通道值对所述待测电子器件的原图进行灰度转化，得到灰度图；根据所述灰度图生成灰度坐标图，并根据所述灰度坐标图进行高斯计算，根据高斯计算的结果生成标准高斯滤波模板；利用所述高斯滤波模板对所述灰度图进行卷积计算，得到滤波图像。3.如权利要求2所述的基于IGBT器件的表痕分析方法，其特征在于，所述根据所述灰度坐标图进行高斯计算，包括：利用下式对所述灰度坐标图进行高斯计算：其中，表示为二维高斯模板参数；表示为预设的平滑程度参数；表示为所述灰度坐标图中像素点的横坐标；表示为所述灰度坐标图中像素点的纵坐标。4.如权利要求1所述的基于IGBT器件的表痕分析方法，其特征在于，所述对所述滤波图像进行边缘检测，得到划痕像素点，包括：对所述滤波图像进行像素求导，得到所述滤波图像中每个像素点的梯度值及对应的梯度方向；根据所述梯度值及对应的梯度方向对所述滤波图像的像素点进行筛选，得到划痕像素点。5.如权利要求4所述的基于IGBT器件的表痕分析方法，其特征在于，所述对所述滤波图像进行像素求导，得到所述滤波图像中每个像素点的梯度值及对应的梯度方向，包括：利用下式对所述滤波图像进行像素求导：利用下式对所述滤波图像进行像素求导：其中，表示为所述滤波图像中的像素点在水平方向的梯度值；表示为所述滤波图像中的像素点在垂直方向的梯度值；表示为所述滤波图像中的每个像素点的值；表示为所述滤波图像中的像素点的梯度值；表示为所述滤波图像中的像素点的梯度值对应的梯度方向。6.如权利要求1所述的基于IGBT器件的表痕...

【专利技术属性】
技术研发人员：仇亮，黄耀祖，
申请(专利权)人：广东仁懋电子有限公司，
类型：发明
国别省市：