【技术实现步骤摘要】
一种器件良率高的半导体
[0001]本专利技术涉及半导体
，具体为一种器件良率高的半导体。
技术介绍
[0002]半导体的生产工艺是非常复杂的，整个流片过程包含光刻、蚀刻、化学气相沉积、物理气相沉积、离子注入以及炉管等几百甚至上千步骤，需要单次或者多次进入不同的机台，每个步骤，都有可能导入缺陷，半导体生产出来后，在出晶圆厂之前，要经过一道电性测试，称为晶圆可接受度测试，那些有严重生产问题从而使得测试键的电性能超出规格之外的半导体会在这一道被筛选出来报废掉，半导体在可再生能源领域、电动汽车领域、绿色电子照明等新兴领域有着重要的应用。
[0003]现今市场上的此类半导体种类繁多，基本可以满足人们的使用需求，但是依然存在一定的问题，现有的此类半导体在使用时一般不便于半导体便捷的散热使用，大大的影响了半导体使用时的散热效果，给半导体的使用寿命带来了很大的影响。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种器件良率高的半导体，以解决上述
技术介绍
中提出半导体不便于半导体便捷的散热使用的问题。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种器件良率高的半导体，包括半导体本体(1)和第三触脚(4)，其特征在于：所述半导体本体(1)的底端安装有第三触脚(4)，且第三触脚(4)的顶端延伸至半导体本体(1)的内部，所述第三触脚(4)一侧的半导体本体(1)底端安装有第二触脚(3)，且第二触脚(3)的顶端延伸至半导体本体(1)的内部，所述第二触脚(3)一侧的半导体本体(1)底端安装有第一触脚(2)，且第一触脚(2)的顶端延伸至半导体本体(1)的内部，所述半导体本体(1)两侧的外壁上皆设有限位腔(16)，所述半导体本体(1)的外壁上安装有散热板(5)。2.根据权利要求1所述的一种器件良率高的半导体，其特征在于：所述散热板(5)的底端设有两组支撑脚(15)，且支撑脚(15)的顶端与散热板(5)相连接。3.根据权利要求1所述的一种器件良率高的半导体，其特征在于：所述半导体本体(1)的顶端设有连接板(12)，且连接板(12)的底端与半导体本体(1)固定连接。4.根据权利要求3所述的一种器件良率高的半导体，其特征在于：所述连接板(1...
【专利技术属性】
技术研发人员：仇亮，窦静，
申请(专利权)人：广东仁懋电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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