本发明提供集成电路封装，所述集成电路封装包含：引线框架，其具有环绕中心接地板且接近于所述引线框架周边定位的多个Ｉ／Ｏ焊垫；集成电路电路小片，其具有定位在所述中心接地板上的导电电路小片端子；以及定位在所述中心接地板上且与其电连接的多个接地...

一种电容器结构，包括：　　　　第一畴壁，其被配置成作为多个电容器共有的第一端子；以及　　　　多个第二畴壁，其各自被配置成作为所述多个电容器中不同的一个的第二端子。

一种设备，包括：电子电路；与所述电子电路电通信的预充电晶体管；以及连接到所述电子电路和所述预充电晶体管的预充电起动晶体管，其中，当截止时，所述预充电起动晶体管将所述电子电路从所述预充电晶体管断开，且当导通时，所述预充 ...

通过停用ＤＲＡＭ的未使用部分的刷新来减小移动通信装置的功率消耗。ＤＲＡＭ包含多个可单独刷新的存储器刷新范围（ＭＲＲ）。所述装置的操作系统内的存储器刷新管理器（ＭＲＭ）识别在后续休眠模式操作期间将不被使用的虚拟存储器的范围（３０５）。ＭＲ...

通过提供用于存储器阵列存储位置的每一可寻址子单元的数据总线通道来测试存储器阵列的Ｉ／Ｏ中的读取和写入数据导引逻辑。每一总线通道连接到比较器的数据输入。ＢＩＳＴ控制器通过所述写入导引逻辑将测试模式写入到所述存储器，且并行读取所述测试模式以...

通过在处理器操作频率下同时经由两个或两个以上写入端口将数据写入到多端口存储器阵列及／或同时经由两个或两个以上读取端口从所述阵列读取数据来测试所述多端口存储器阵列。可循序地或并行地执行对从所述阵列读取的数据与写入到所述阵列的数据的比较。在...

在虚拟位线电路中使用的虚拟ＳＲＡＭ单元使用与标准ＳＲＡＭ单元中使用的晶体管相同的晶体管，所述标准ＳＲＡＭ单元包括配置为第一和第二位线输出电路的第一和第二子组晶体管。所述虚拟ＳＲＡＭ单元包括相同的第一和第二子组晶体管，其中所述第一晶体管被...

将线性开关组合到有源采样保持开关中。有源采样保持电路对称，并配置成受理对称输入。２个线性开关将平衡输入的正输入信号耦合到２个不同的取样电容。采样电容充电后，另一组开关配置该采样电容，使一个采样电容处于运算放大器的反馈环，另一个电容则从运...

把快闪和ＳＲＡＭ存储器（１１２、１１３）嵌入专用集成电路（ＡＳＩＣ）中，以提供改进的访问时间，还降低使用ＡＳＩＣ的移动电话的总的功率消耗。快闪存储器系统（１１２）包括配置成提供独立的快闪宏指令集的快闪存储器阵列（１３０），以及用于访问快...

一种读／写电子存储器组（１０）包括多个存储器单元（２２－２８）和（１２－１８），这些存储器单元接收具有重复的时钟周期的一个共同的时钟信号并拥有一个输入端（２０，２１）和一个共同的输出端口（３０，３１）。这些单元发挥作用，使得在每个时钟周...

本发明提供一种ＣＭＯＳ集成电路（例如，ＳＲＡＭ或ＤＲＡＭ），其被分成一核心块、一外围块和一保留块。所述核心块包括在所有时刻都被通电的电路（例如，存储单元）且直接耦接到电源和电路接地端。所述外围块包括可被通电或断电且通过一个头开关（ｈｅａ...

所公开的实施例提供了用于在具有代码区和数据区的闪速存储设备中存储数据的系统和方法。该方法包括当预期在数据区中存在足够的空间时，在代码区中的闪存驱动的控制下将数据写入数据区。否则，该方法包括在处于闪速存储设备外部的存储设备中的闪存驱动的控...

本发明提供一种用于控制存储器刷新的存储器系统。所述存储器系统的一实施例包含：一存储器，其经配置以在一自刷新模式和一自动刷新模式下操作，所述存储器具有复数个存储位置和一存储器控制器，其经配置以在所述自动刷新模式下在所述存储位置中的一第二者...

本发明提供一种存储器系统。所述存储器系统包括：具有许多库的易失性存储器，每一库具有许多行；和存储器控制器，其经配置以引导所述易失性存储器进入一自动刷新模式，所述存储器控制器经进一步配置以向所述易失性存储器提供一目标库地址。所述易失性存储...

本发明提供一种存储器系统。所述存储器系统包括一具有若干个库的易失性存储器及一存储器控制器，所述存储器控制器经配置以控制所述易失性存储器参与一自动刷新模式或一自刷新模式。所述存储器控制器进一步经配置以指令所述易失性存储器对一目标库执行一自...

一种存储器系统，其包含：　　　　一易失性存储器，其具有复数个库且经配置以进入包括一自动刷新模式和一自刷新模式在内的复数个操作模式中的一者；和　　　　一存储器控制器，其经配置以引导所述易失性存储器进入所述复数个操作模式中的一者；　　　　其...

本发明涉及一种包括若干存储器位单元的集成电路芯片。每一位单元包括：一具有一感应节点的锁存器；一具有一有效饱和操作区域的编程晶体管；及一熔丝，其于所述熔丝的一第一端子处连接至所述编程晶体管。可于所述熔丝的一第二端子处将一编程电压供应至所述...

本文公开了一种存储系统和用于刷新存储器的处理。存储系统包括存储器、配置成测量存储器温度的温度传感器，和配置成以刷新速率来刷新存储器的存储器控制器，刷新速率被控制为由温度传感器测量的温度的函数。

在引导式自动刷新（ＤＡＲＦ）模式中，由控制器发出刷新命令，且在存储器模块内部维持刷新行和库地址。在进入ＤＡＲＦ模式时，所述存储器内部的库地址计数器被初始化为第一预定值。所述存储器响应于ＤＡＲＦ命令刷新当前经定址的库，且以预定顺序递增所述...

一种电子装置包含电子组件和集成电路，其中所述集成电路经配置以：产生系统时钟和具有来自所述系统时钟的可编程延迟的外部时钟；将所述外部时钟提供到所述电子组件；确定系统时钟与所述外部时钟之间的所述集成电路与所述电子组件可在其中通信的延迟范围；...