【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本揭示案涉及用于使集成电路与电子组件校准的系统和技术。
技术介绍
集成电路已通过实现对离散装置来说不可能的新应用而使电子产业发生巨大变化。集成允许由数百万电子组件组成的复杂电路封装到单个半导体材料芯片中。另外,集成提供在单个硅片上制造数百个芯片的优势,这大大降低了成本且增加了完成的电路的每一者的可靠性。如今,集成电路在电子装置中广泛使用以实施例如通用和专用处理器的复杂电路。集成到芯片上的控制器可用于使各种处理器与芯片外组件(off-chip component)(例如,外部存储器和类似组件)介接。由控制器产生的时钟可用于存取这些芯片外组件。这些时钟应在某一容许公差内以特定标称速度操作,以确保控制器可在最坏情况温度和电压条件下与芯片外组件通信。由于硅片制造工艺中固有的过程的缘故,由单个晶片产生的一组芯片可能落入不同处理速度额定值范围中。视应用而定,一些制造商被迫丢弃在标称公差范围外的慢芯片和快芯片。这导致大量代价非常高的浪费。在试图保存晶片的不产生标称芯片的那些部分时,一些制造商采用一种速度分组(speed binning)方法,其中根据由单个晶片产生的各种芯片的分级处理速度来对所述各种芯片进行测试和分批。这种根据芯片的速度来对芯片进行分批的方法既耗费时间,代价又高。由于以降低的价格来出售慢芯片和快芯片的缘故而导致另外的成本。使用延迟来实施确保组成电子装置的集成电路与外部组件之间的无误差通信所需要的时序。所述延迟随许多因素的变化而变化,所述因素包括集成电路的速度和电压,以及外部组件的速度。可(例如)使用对此类通信进行测试并接着从测试结果导出延迟的校准过程 ...
【技术保护点】
一种电子装置,其包含:电子组件;和集成电路,其经配置以产生系统时钟和具有来自所述系统时钟的可编程延迟的外部时钟,所述集成电路进一步经配置以将所述外部时钟提供到所述电子组件,确定系统时钟与所述外部时钟之间所述集成电路与所述电子组件可在其中通信的延迟范围,且基于所述延迟范围,用多个预定延迟值中的一者对所述外部时钟进行编程。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2004-11-5 60/625,2291.一种电子装置,其包含电子组件;和集成电路,其经配置以产生系统时钟和具有来自所述系统时钟的可编程延迟的外部时钟,所述集成电路进一步经配置以将所述外部时钟提供到所述电子组件,确定系统时钟与所述外部时钟之间所述集成电路与所述电子组件可在其中通信的延迟范围,且基于所述延迟范围,用多个预定延迟值中的一者对所述外部时钟进行编程。2.根据权利要求1所述的电子装置,其中所述集成电路进一步经配置以存储所述预定延迟值。3.根据权利要求1所述的电子装置,其中所述电子组件包含至少一个存储器装置。4.根据权利要求3所述的电子装置,其中所述电子组件包含SDRAM、突发NOR、突发PSRAM、RAM、ROM、EPROM、EEPROM或VRAM中的至少一者。5.根据权利要求3所述的电子装置,其中所述集成电路进一步经配置以通过对电子组件的多个读取/写入操作来确定所述延迟范围。6.根据权利要求5所述的电子装置,其中所述集成电路进一步经配置以通过将所述读取操作中的每一者估计为通过状态或失败状态来确定所述延迟范围。7.根据权利要求1所述的电子装置,其中所述延迟范围包含上边界和下边界,且其中所述集成电路进一步经配置以基于所述延迟范围的边界,用多个预定延迟值中的所述一者来对所述外部时钟进行编程。8.根据权利要求7所述的电子装置,其中所述集成电路进一步经配置以确定多个预定延迟值中的所述一者为所述延迟范围的上边界是否高于所述系统时钟与所述外部时钟之间的最大可编程延迟的函数。9.根据权利要求7所述的电子装置,其中所述集成电路进一步经配置以确定多个预定延迟值中的所述一者为所述延迟范围的下边界是否低于所述系统时钟与所述外部时钟之间的最小可编程延迟的函数。10.根据权利要求1所述的电子装置,其中所述预定延迟值中的每一者与特征化所述集成电路的速度范围和特征化所述电子组件的速度范围有关。11.根据权利要求1所述的电子装置,其中所述电子装置包含无线电话、个人数字助理、电子邮件装置或Web启用装置。12.一种使集成电路与电子组件校准的方法,所述集成电路具有系统时钟,所述方法包含在所述集成电路上产生外部时钟,所述外部时钟具有来自所述系统时钟的可编程延迟;将来自所述集成电路的外部时钟提供到所述电子组件以支持与所述电子组件的通信;确定所述系统时钟与所述外部时钟之间所述集成电路与所述电子组件可在其中通信的延迟范围;和基于所述延迟范围,用多个预定延迟值中的一者对所述外部时钟进行编程。13.根据权利要求12所述的方法,其进一步包含存储所述预定延迟值。14.根据权利要求12所述的方法,其中所述电子组件包含至少一个存储器装置。15.根据权利要求14所述的方法,其中所述电子组件包含SDRAM、突发NOR、突发PSRAM、RAM、ROM、EPROM、EEPROM或VRAM中的至少一者。16.根据权利要求14所述的方法,其进一步包含通过对电子组件的多个读取/写入操作来确定所述延迟范围。17.根据权利要求16所述的方法,其进一步包含通过将所述读取操作中的每一者估计为通过状态或失败状态来确定所述延迟范围。18.根据权利要求12所述的方法,其进一步包含确定所述延迟范围的上边界和下边界,和基于所述延迟范围的边界,用多个预定延迟值中的所述一者对所述外部时钟进行编程。19.根据权利要求18所述的方法,其进一步包含确定多个预定延迟值中的所述一者为所述延迟范围的上边界是否高于所述系统时钟与所述外部时钟之间的...
【专利技术属性】
技术研发人员:加格鲁特维利斯库马尔帕特尔,格雷戈里布拉德,萨纳特卡普尔,
申请(专利权)人:高通股份有限公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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