提供一种垂直磁记录介质，能够在不减损热稳定性的情况下更容易地在该介质上执行记录。该垂直磁记录介质中，在非磁性基体（１）上按顺序至少层积软磁性背衬层（２）、底层（３）和磁性记录层。该磁性记录层至少具有第一磁性记录层（５）、第二磁性记录层（...

本发明提供开关电源装置、开关电源控制电路和开关电源装置的控制方法，能够在任意一种动作模式中都防止电流的逆流，实现稳定的同步整流功能。在最大导通宽度控制电路（４）中，与一次侧的ＭＯＳＦＥＴ的导通时刻同步对于作为同步整流元件的ＭＯＳＦＥＴＱ...

一种包括沟槽形成工艺的半导体器件制造方法，其中沟槽用具有高结晶度的外延层掩埋，同时掩模氧化膜保持未去除。在ｎ型硅衬底的表面上形成ｎ型半导体，且在ｎ型半导体的表面上形成掩模氧化膜和掩模氮化膜（掩模层叠膜）。接着，通过光刻和蚀刻使得掩模层叠...

本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：绝缘衬底；安装在绝缘衬底的第一主表面上的至少一个半导体元件；以及散热器，该散热器通过焊料构件结合到绝缘衬底的与其上安装有半导体器件的第一主表面相反的第二主表面，其中：该焊料构件包含至少锡和锑；...

本发明为交流马达驱动电路以及电动车辆驱动电路。在交流马达驱动电路中，电流源整流器２被设置在交流发电机２的输出侧，并且交流马达４通过电压源逆变器３连接到电流源整流器２的输出侧。除此之外，多个双向开关６各自的端子之一连接到电压源逆变器３的其...

本发明提供一种能够高效率制造的功率半导体模块及其制造方法。在功率半导体模块（１）中，引线框（９）同时具有内部端子（３０）和外部端子（６），其多个外部端子（６）同时被软焊在半导体芯片（８）上。因此，没有必要如引线接合那样逐根进行连接，从而...

主要半导体元件的表面结构和第一Ｐ阱２４ｂ位于Ｎ↑［－］漂移层２３的主表面中。温度检测二极管２２由位于第一Ｐ阱２４ｂ中的Ｎ阱２５中的Ｐ↑［＋］阳极区２６以及位于Ｐ↑［＋］阳极区２６中的Ｎ↑［＋］阴极区２７构成，以使得温度检测二极管２２通过...

本发明提供一种开关电源，抑制开关电源中特别是开关频率的增加，使变换效率提高。作为形成开关电源的开关元件（Ｑ１、Ｑ２）的开关控制控制电路，设置：将直流输出电压控制在一定的设定值的误差放大部；用于根据该误差放大部的输出信号控制开关频率的振荡...

本发明提供一种用于控制开关电源的半导体器件。其中，端子ＶＨ用作使电流涌入启动电路的电流流入端，并且还用作用于从分压电阻器的结点提取抽头电压并将该抽头电压施加到欠压检测比较器的正端的电压检测端。欠压检测比较器将施加到正端的抽头电压与基准电...

本发明提供双方向元件及其制造方法，该元件具有：基于沟槽的第一、二分割区；沟槽底面形成的第一导电型第一区；第一、二分割区中形成的、与沟槽侧壁和第一区连接的第二导电型第二、三区；在第一、二分割区与沟槽侧壁连接且分别与第二、三区连接形成的第一...

本发明提供半导体装置的制造方法，其目的是提高半导体装置的可靠性和制造成品率。准备第一电极和第二电极通过绝缘层被分离的半导体元件，在金属箔上配置焊接材料，在焊接材料上以第三电极与其接触的方式载置半导体元件。此外，使片状的焊接材料与半导体元...

本发明提供开关电源装置，该开关电源装置的变换效率高且能够实现小型化。在直流电源之间连接由开关元件（Ｑ１）和（Ｑ２）的串联连接电路构成的半桥电路，在其输出端连接２个晶体管（Ｔ１、Ｔ２）的初级电感（Ｌｒ１、Ｌｒ２）和电容器（Ｃｒ）的串联电路...

本发明提供一种其中在防止半导体基板断裂的同时可防止元件被快回现象毁坏的半导体器件。在ＭＯＳ栅极结构在ＦＺ晶片的正面形成之后，研磨ＦＺ晶片的背面。然后，用质子照射并且用不同波长的两种类型的激光束同时照射经研磨的表面，从而形成Ｎ↑［＋］第一...

本发明提供具备具有划分信息记录区域的凹凸图案的磁性层、耐 腐蚀性优异的第一保护层和磁头滑动性优异的第二保护层的图案化磁 记录介质及其制造方法。其包括具有划分信息记录区域的道状和/或 点状的凹凸图案的磁性层、覆盖该磁性层的第一保护层和形成...

本发明提供一种图案化的磁记录介质的制造方法，包括不使磁性层（３）的磁特性劣化地彻底剥离磁性层（３）上的刻蚀抗蚀剂的工序，刻蚀抗蚀剂是在磁性层（３）的刻蚀中使用的。其特征在于，在磁性层（３）的刻蚀中所使用的刻蚀抗蚀剂的剥离工序包括下述工序...

本发明目的在于提供一种在形成中间层的凹凸图案时的干式蚀刻工艺中，能够以高精度仅对必要部位进行加工的图案化介质型磁记录介质的制造方法。其包括在基板上依次形成软磁层、蚀刻阻挡层、种子层、中间层、硬掩模层和抗蚀剂的工序；将上述抗蚀剂图案化，得...

本发明提供一种驱动电路，其无需在功率器件的栅极上连接电容器和电阻的串联电路，就能够降低损失和噪声，并能够提高驱动能力。在驱动电路中，设置有对ＩＧＢＴ（４３）的栅极电压波形进行设定的斜率设定电路（１３），将斜率设定电路（１３）的输出电压（...

本发明提供了一种即便在过量负电压或ＥＳＤ浪涌被施加于高压电源端子时也不会发生失效和故障的电平移动电路和半导体器件。该电平移动电路由电平移动电阻器、与该电平移动电阻器相连的限流电阻器、以及其漏极连接到该限流电阻器的ｎ沟道ＭＯＳＦＥＴ构成，...

本发明提供一种具有比现有技术更低的校正电路损耗的开关电源装置，并使调整不影响过电流限制或其它特征。用于电源控制的集成电路ＩＣ基于来自反馈电路的反馈信号和来自电流检测输入端的电压信号产生开关信号，并将来自输出端的开关信号输出至开关元件。提...

本发明提供一种超小型电力变换装置，其是半导体开关的数量不大于２个、且不会导致半导体芯片的大型化、效率低下的升降压型的超小型电力变换装置。超小型电力变换装置（３００）包括：由导体贯通板状的磁芯并卷绕的结构的（平面变压器）构成的小型变压器（...