【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及诸如二极管或IGBT (绝缘栅双极晶体管)之类的除高速和低 耗特性之外还具有软恢复特性的半导体器件，以及用于制造半导体器件的方 法。
技术介绍
有600V、 1200V或1700V耐压级的二极管或IGBT作为功率半导体器件。 近来这些器件的特性已有了改进。功率半导体器件被用在诸如高效节能的变换 器逆变器系统之类的功率变换系统，并且对于控制旋转马达和伺服马达是不可 缺少的。这样的功率控制器需要低耗，节能，高速，高效以及环保、即对周围环境 没有坏影响的特性。对于这些需求，有一种普遍知晓的方法，即通过在形成半 导体基板的正面侧区域之后通过研磨等减薄常用的半导体基板(例如硅晶片) 的背面，然后从研磨表面侧执行具有预定浓度的元素的离子注入以及热处理 (例如参见专利文献1)。为了降低半导体器件的损耗，有必要改进截止损耗和导通损耗(导通电压) 之间的权衡关系。具体地，在例如表面栅极结构形成为沟槽栅极结构时，权衡 关系被改进。在少数载流子从P+集电极层到N—漂移层的注入被抑制从而降低 N一漂移层的载流子浓度时，权衡关系被改进。此外，在N—漂移层被减薄到耐 压未被降...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：第一导电型的第一半导体层；所述第一导电型的第二半导体层，其浓度比所述第一半导体层高并且被设置成在所述第一半导体层的第一主表面侧上与所述第一半导体层接触；所述第一导电型的第三半导体层，其浓度比所述第二半导体层低并且被设置成与所述第二半导体层接触；第二导电型的第四半导体层，其浓度比所述第一半导体层高并且被设置成与所述第三半导体层接触；所述第二导电型的第五半导体层，其浓度比所述第一半导体层高并且被设置成在所述第一半导体层的第二主表面侧上与所述第一半导体层接触；选择性地设置在所述第五半导体层的表面上的所述第一导电型的第六半导体层；ＭＯＳ栅极结构，其包括与所述第...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：根本道生，中泽治雄，
申请(专利权)人：富士电机电子技术株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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