电平移动电路和半导体器件制造技术

本发明专利技术提供了一种即便在过量负电压或ＥＳＤ浪涌被施加于高压电源端子时也不会发生失效和故障的电平移动电路和半导体器件。该电平移动电路由电平移动电阻器、与该电平移动电阻器相连的限流电阻器、以及其漏极连接到该限流电阻器的ｎ沟道ＭＯＳＦＥＴ构成，并且电平移动电阻器与限流电阻器之间的部分是电平上移电路的输出部。通过设置限流电阻器，因过量负电压或ＥＳＤ浪涌而流动的电流被抑制，由此防止电平移动电流失效或故障。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电平移动电路和半导体器件，其中防止因电路中过电流的流动 所引起的损坏和故障的发生。
技术介绍
图n示出逆变器或其它功率变换设备中功率半导体开关元件与常规半 导体器件(HVIC,即高压集成电路)之间的连接的一个示例。附图说明图17示出半桥的一个示例，其中两个功率半导体开关元件(在此为 IGBT 114、115)串联连接；通过交替地导通上臂IGBT 115和下臂IGBT 114， 高电位或低电位从用作输出端子的Vs端子交替输出，并且交流电被提供给 L负载118 (提供的是交流电)。艮卩，令IGBT 114和IGBT 115这样工作当输出高电势时，上臂IGBT 115被导通而下臂IGBT 114被截止；而当相反输出低电势时，上臂IGBT 115 被截止而下臂IGBT 114被导通。反并联连接到IGBT 114、 115的二极管 116和117是FWD (续流二极管)。驱动半导体器件lll (HVIC)输出以 GND为基准的一个信号作为下臂IGBT 114的栅极信号，并输出以以Vs端 子为基准的一个信号作为上臂IGBT 115的栅极信号。因此半导体器件111 (HVIC)必须本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用来驱动功率器件的栅极的驱动电路的电平移动电路，所述功率器件的一个主端子被连接到高压电源的高电位侧而其另一个主端子被连接到负载，低电位侧低压电路区的信号被转换成高电位侧低压电路区的信号，所述低电位侧低压电路区的电流由以所述高压电源的低电位侧作为基准的低压电源提供，而所述高电位侧低压电路区的电流由以所述功率器件的另一主端子作为基准的低压电源提供，　其中所述电平移动电路具有设置在以所述功率器件的所述另一主端子作为基准的低压电源的高电位侧与高压电源的低电位侧之间的第一电路，并且所述第一电路包括：源极区和沟道区短路的ＭＯＳＦＥＴ、与所述ＭＯＳＦＥＴ串联连接并连接至所述ＭＯＳＦＥＴ的漏极区的电平移动...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：原田祐一，伊仓巧裕，渡边泰正，上野胜典，
申请(专利权)人：富士电机电子技术株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]