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本发明提供了一种即便在过量负电压或ＥＳＤ浪涌被施加于高压电源端子时也不会发生失效和故障的电平移动电路和半导体器件。该电平移动电路由电平移动电阻器、与该电平移动电阻器相连的限流电阻器、以及其漏极连接到该限流电阻器的ｎ沟道ＭＯＳＦＥＴ构成，并且...
该专利属于富士电机电子技术株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机电子技术株式会社授权不得商用。

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