逆变器单元、集成电路芯片以及车辆驱动装置。提供了一种可小型化的、低成本高可靠性的逆变器单元。将控制电路部分、第一驱动与异常检测电路部分及第二驱动与异常检测电路部分形成ＳＯＩ基板上，作为一个集成电路芯片，该控制电路部分用于控制包括在逆变器...

根据本发明的用于控制开关式电源电路的控制系统包括：在从开关暂停转换到开关周期时限制变压器６的励磁电流的设定装置，慢慢地改变由设定装置所设定的设定值以防止变压器６的励磁电流快速变化并减少变压器６的励磁声音，及逐渐改变该设定值，以即使在负载...

根据本发明的薄膜磁感应元件包括铁氧体基底１；穿过铁氧体基底１，并包含连接导体３、线圈导体４和５的线圈；以及在铁氧体基底１的周边部分上形成的端２１到３２。端２３到３２被排列沿着Ｙ方向，其中磁通量密度很低。都连接到线圈导体４的、并且几乎不会...

在根据本发明具有半桥结构的绝缘电功率转换器中用于控制辅助（高端）开关器件２包括电阻器１０３和二极管１０４的第一串联电路，电阻器１０５和二极管１０６的第二串联电路，以及晶体管１０７；将变压器绕组６ｂ中所产生的电压用作信号电压来导通和切断辅...

本发明的目的是提供一种微型功率变换器，其中薄膜磁感应元件的电感值被提高，而电极处出现的感生电压被减小。形成于铁氧体衬底１１的第一主平面和第二主平面的周边区域中的电极１５ａ、１５ｂ集中配置在与螺管线圈的轴平行的方向上的相对的两侧上。在形成...

本发明提供一种开关电源系统的控制电路和控制方法，在所述开关电源系统中，设置了延迟电路，通过该延迟电路输出控制开关设备导通／截止的脉冲信号，并使信号的下降（在开关设备为导通且脉冲信号的电平为ＨＩＧＨ的情形中）延迟。通过延迟电路的输出，控制...

根据本发明的开关电源帮助减小待机时所消耗的电功率，防止开关电源启动时引起过电流，并进行防止短路的保护，所述开关电源包括开关控制电路，其功能如下：当其轻负载判断部分３基于反馈信号判断出该负载比较轻时，就进行ＰＦＭ控制；当其轻负载判断部分３...

半导体配备有ＩＧＢＴ有源部分和用于检测ＩＧＢＴ异常状态的控制电路部分。集电极区以选择性方式在背表面一侧（即在ＩＧＢＴ集电极一侧）形成，也就是说在ＩＧＢＴ有源部分的正下方形成。

根据本发明，有可能容易地改变设置有封装在树脂外壳中的半导体元件的半导体器件中的至少一个接线端子的布局。提供了一种半导体器件，包括：固定支撑在树脂外壳中的多个外部连接端子；封装在该树脂外壳中的ＩＧＢＴ元件和ＦＷＤ元件；以及设置有至少一个接...

本发明提供一种满足导通损耗和放射噪声双方的标准的绝缘栅型半导体装置，其解决方案如下：通过沟道（２１）将ｐ型基极层（２０）分成多个ｐ型基极区域（９、１０、１２），而且使没有ｎ型源极区（３）的ｐ型基极区（１０、１２）之中的一部分的ｐ型基极区...

本发明提供一种可以根据需要，更换作为滤波器元件使用的磁性部件，而且可使插件尺寸减少的半导体功率模块。可改良通过ＩＧＢＴ等电力用半导体元件的切换而进行直流电力和交流电力的电力变换的电变换装置用的半导体功率模块。配置环状磁性部件（６ｃ），以...

本发明提供了包含高耐压且可降低接通电压的双方向元件的半导体装置及其制造方法。通过在沟槽底面（３ａ）上形成扩张漏极区域（４），在分割半导体区域上形成ｐ偏置区域（５）和在其表面上形成第一和第二ｎ源极区域（９、１０），可以缩短第一和第二ｎ源极...

本发明的在向外部导出的控制端子上使用弹簧端子的半导体装置中，可以自由地设定弹簧端子的配置位置。将向盒２外侧导出的弹簧端子８保持在设置于盒２内的框架１５上，据此，可以使弹簧端子８在盒２内侧任意的位置上配置。弹簧端子８在被框架１５保持的状态...

本发明提供一种超接合半导体元件，能改善元件周缘部的雪崩耐量，提高作为元件整体的雪崩耐量。漏极.漂移部是以间距Ｐ１交互地重复接合第一ｎ型区域和第一ｐ型区域构成的第一并列ｐｎ构造，漏极.漂移部的周围是由第二并列ｐｎ构造所构成的元件周缘部。元...

提供了一种考虑到环境影响的高可靠度的半导体器件。在功率半导体模块的制造中，通过使用无铅焊料，通过焊料层将在其两个表面上具有陶瓷板和导体层的绝缘基片连接至散热基底，并通过焊料层将诸如ＩＧＢＴ之类的半导体芯片连接至绝缘基片。另外，在焊接绝缘...

提供一种半导体器件，其中创建用于防止焊料流动的挡料是很简单的，且其可靠性很高。通过由在预定图案中涂覆而设置在金属基底上的挡料的手段，可限制在将多个电路板键合到金属基底中所用的焊料的流动。

本发明提供了半导体装置的制造方法及其制造装置。本发明的课题为在制造半导体装置时抑制制造成本，同时形成高精度的图案。印刷器具（１００）具备贴付有形成图案的乳剂（３）的丝网结构（２）。丝网结构（２）的下侧配置晶片（６），从丝网结构（２）的上...

本发明涉及一种半导体元件的制造方法。在离子注入步骤中，锂（Ｌｉ）、硫（Ｓ）或硒（Ｓｅ）被用作掺杂剂，它们具有比硅半导体制造工艺中常用作掺杂剂的磷（Ｐ）或砷（Ａｓ）高的对硅的扩散系数。在激活步骤中，通过将固态激光器或准分子激光器与半导体激...

在根据本发明的沟槽型绝缘栅半导体器件中，该器件包括具有沟槽栅结构并且均匀分布在器件整个有源区的格子单元，在夹在ｎ↑［＋］型发射区（１０７）和ｐ型基区（１０５）之间并平行于硅衬底１００的主表面的部分中，夹在ｎ↑［＋］型发射区（１０７）和ｎ...

本发明提供一种半导体模块和半导体模块的制造方法，能够提高半导体模块的冷却效果。在绝缘板（１０）的下表面上接合金属箔（１１），在绝缘板（１０）的上表面上接合金属箔（１２），在金属箔（１２）的上表面上接合半导体元件（１４、１５）。在金属箔（...