具有控制电路的半导体器件制造技术

半导体配备有ＩＧＢＴ有源部分和用于检测ＩＧＢＴ异常状态的控制电路部分。集电极区以选择性方式在背表面一侧（即在ＩＧＢＴ集电极一侧）形成，也就是说在ＩＧＢＴ有源部分的正下方形成。

【技术实现步骤摘要】
具有控制电路的半导体器件技术邻域本专利技术涉及用于包括电感负载(L负载)的电路的半导体器件，尤其涉及 具有用于内燃机点火器的控制电路的绝缘栅双极晶体管(以下縮写为IGBT)。
技术介绍
如图8所示，已知一种包括电感负载42和45的内燃机的点火器。该点火 器使用在连接到次级线圈42的火花塞44中发生的断续火花，该断续火花是由 断续电流从电源41流经初级线圈45时在次级线圈42上生成的高电压引起的。 在此类内燃机的点火器中，双极晶体管已被用作电路中的开关装置43，以使断 续电流流经初级线圈42。然而，近年来双极晶体管已开始被IGBT代替。低导通电压和低开关损耗是用作上述内燃机的点火器的开关装置43的 IGBT应当满足的重要电气特性。为获得低导通电压，具有薄外延层(n型漂 移层)26的穿通IGBT(参见附图7)已被用作用于上述内燃机的点火器的IGBT。 现在，考虑以上电气特性，对使用悬浮区(FZ)衬底的非穿通(以下可縮写为 NPT) IGBT和期望获得特性的进一步改进的场截止(缓冲层)IGBT进行研究。 上述场截止(以下可縮写为FS) IGBT是一种穿通IGBT。如作为重要部分的 截面图的图7所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有控制电路的半导体器件，包括：　第一导电类型的半导体衬底；　ＩＧＢＴ部分，其包括：　设置于所述半导体衬底的一个主表面一侧的有源部分，所述有源部分包括第二导电类型的基极区，形成为所述基极区的表面区的第一导电类型的发射极 区，与所述发射极区和所述基极区两者都接触的发射电极，以及栅电极，所述栅电极形成于所述基极区的位于所述发射极区和所述半导体衬底的邻近其一个主表面的部分之间的一部分之上、且栅极绝缘膜介于它们之间；　以类似环状方式围绕所述有源部分的抗击穿结 构；　第二导电类型发射极区，所述第二导电类型发射极区邻近所述半导体衬底的另一主表面的一部分形成以...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：上野胜典，
申请(专利权)人：富士电机电子技术株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]