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半导体配备有ＩＧＢＴ有源部分和用于检测ＩＧＢＴ异常状态的控制电路部分。集电极区以选择性方式在背表面一侧（即在ＩＧＢＴ集电极一侧）形成，也就是说在ＩＧＢＴ有源部分的正下方形成。...
该专利属于富士电机电子技术株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机电子技术株式会社授权不得商用。

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