用于制造半导体基板、显示面板和显示设备的方法技术

如果所附着的单晶硅层的尺寸不合适，即使使用大玻璃基板，也无法使将要获得的面板的个数达到最大。因此，在本发明专利技术中，从大致呈圆形的单晶半导体晶片中，形成了大致呈四边形的单晶半导体基板，并且通过用离子束照射到单晶半导体基板中，形成了破损层。在支撑基板的一个表面上，排列多个单晶半导体基板，以便彼此分离。通过热处理，在破损层中产生了破裂，并且使单晶半导体基板分离，同时单晶半导体层留在支撑基板上。之后，从接合到支撑基板的单晶半导体层中，制造出一个或多个显示面板。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于利用SOI (绝缘体上硅)技术形成的半导体基板、显示面板、 或显示设备的

技术介绍
使用薄膜晶体管的液晶显示器的市场已扩大了。薄膜晶体管是场效应晶体 管的一种，并且如此称呼是因为用于形成沟道的半导体都是由薄膜构成的。理 想情况下，如果可以制造由单晶半导体形成其沟道的薄膜晶体管，则是比较好 的；然而，可在600摄氏度或更低的处理温度下制造的非晶硅薄膜或多晶薄膜 常常被用于薄膜晶体管，这是因为作为液晶显示器的基材的玻璃基板具有较低 的温度限制。当然，己经开发出一种在绝缘基板上形成单晶硅薄膜的技术，这可用于液 晶显示器。例如，已揭示了一种在结晶玻璃基板上形成单晶硅薄膜的技术，这 种结晶玻璃基板是一种高耐热玻璃(参照专利文献1:已公开的日本专利申请 Hll-163363;专利文献2:已公开的日本专利申请2000-012864;以及专利文献 3:已公开的日本专利申请2000-150905)。最近，作为有源矩阵液晶显示器的 SOI基板，揭示了一种在玻璃基板上使小片单晶硅呈平铺图案的技术(参照专 利文献4: PCT国际申请2005-539259的日语翻译文本)。液晶面板是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示设备的制造方法，包括如下步骤：　从直径为３００－４５０ｍｍ的大致呈圆形的单晶半导体晶片中，形成大致呈四边形的单晶半导体基板；　通过用离子束照射大致呈四边形的单晶半导体基板的表面，在大致呈四边形的单晶半导体基板的表面以下给 定的深度处形成破损层；　在大致呈四边形的单晶半导体基板的上述表面那一侧之上形成接合层；　在具有绝缘表面的支撑基板上，排列多个大致呈四边形的单晶半导体基板，以便使多个接合层与支撑基板相接合；　通过热处理，在每一个破损层中形成 破裂；　在每一个破损层处，使每一个大致呈四边形的单晶半导体基板分离，使得多个单晶半导体层留...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，大沼英人，小山润，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]