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如果所附着的单晶硅层的尺寸不合适，即使使用大玻璃基板，也无法使将要获得的面板的个数达到最大。因此，在本发明中，从大致呈圆形的单晶半导体晶片中，形成了大致呈四边形的单晶半导体基板，并且通过用离子束照射到单晶半导体基板中，形成了破损层。在支撑基...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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